【課題】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の面全面から均一に電子が放出するＣＮＴ電子放出基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
開口部を有するメタルマスクに、略垂直に複数のＣＮＴが配設され一体化されてなるＣＮＴ電子放出基板である。カーボンナノチューブはメタルマスクの開口部に配設され一体化されていてもよい。メッキ処理により、ＣＮＴをメタルマスクに配設、一体化させることができる。シリコン基板に垂直方向に成長されてなるＣＮＴにメタルマスクを載置し、メッキ浴中にてメッキ処理を施し、ＣＮＴをメタルマスクに配設、一体化せしめ、しかる後に、シリコン基板を除去することによりＣＮＴ電子放出基板を製造する。ＣＮＴはシリコン基板に成長したものを、メタルマスクに転植するので、ＣＮＴの面の高さが均一であり、電子放出面全面から均一に電子が放出されるという効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】画素別の電子放出均一度を向上させることができる電子放出素子、この電子放出素子を含む電子放出表示装置およびこの電子放出表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、カソード電極１４と；カソード電極１４と絶縁されて位置するゲート電極２８と；電子放出部２０と；カソード電極１４と電子放出部２０とに電気的に連結される抵抗層２２とを含み、抵抗層２２は、金属酸化物または金属窒化物から形成される電子放出素子１０４を提供する。 （もっと読む）

【課題】凝集しやすいサブミクロン程度のカーボンナノチューブの微粒子を分散液中に安定且つ均一に分散させたカーボンナノチューブ分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ、塩基櫛型ブロックコポリマー及び有機溶剤を含むカーボンナノチューブ分散液であって、前記カーボンナノチューブ１重量部に対して前記塩基櫛型ブロックコポリマーを０．０５〜３重量部含み、前記塩基櫛型ブロックコポリマーの主鎖がポリエチレンイミンであることを特徴とするカーボンナノチューブ分散液とする。 （もっと読む）

【課題】印加電圧の増大に対して電界放射電流が飽和しにくい炭素膜を提供すること。
【解決手段】細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをｈ、半径をｒとして、ｈ／ｒの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、その製造方法及びそれを採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源である。これにより、電子放出源は、カーボン系物質とその表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、またはカーボン系物質と金属コーティング膜との界面に金属炭化物層が形成されているので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。電子放出源を利用すれば、信頼性が向上した電子放出素子を製作できる。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維膜表面に凹凸形状をもつ大電流放出が可能な電界電子放出源およびその電界電子放出源を容易で低コストに製造する方法又はその電界電子放出源を用いたマグネトロンを提供することを目的とする。
【解決手段】陰極基板５の表面を機械的に粗すか、エッチング処理を施すことで陰極基板５の表面に活性化された活性領域６と活性化されていない未活性領域７が分布するようにする。この陰極基板５に熱ＣＶＤ法を用いて炭素繊維を製膜すると、導電性の粒子を陰極基板５上に配置することなく、厚く成長した炭素繊維膜８と薄く成長した炭素繊維膜９の分布する凹凸形状のついた電界電子放出源１１が形成される。また、本発明の電界電子放出源に形成した炭素繊維１０は、従来の陰極基板を活性化せずに形成した電界電子放出源の炭素繊維の径よりも太く、優れた電子放出特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱電子放出用の電子放出物質、それを備えた電子放出素子、及びそれを備えた平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】電子放出物質の本体部と、電子放出物質の本体部の表面に形成されたベースメタル層と、ベースメタル層の表面に形成された熱電子放出層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
電子放出電流が大きく、製造が容易で堅牢性に富んだ電子放出電流の大きな電子放出を実現し、３極真空管、磁気センサ、真空センサなどの応用デバイスを提供すること。
【解決手段】
陰極２から陽極３へ向けて電子を放出する電子放出素子において、陰極２と陰極２に隣接する電子放出領域１に跨って、かつ電気絶縁性薄膜５を介してゲート電極４を設け、陰極２に対して正となる電圧をゲート電極４に印加することにより、ゲート電極４近傍の陰極２における電子放出面６の障壁幅を狭くして電子に対するトンネル効果を促進し、陰極２から陽極３への電子放出を生じ易くしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一で良好なフィールドエミッション特性を安定して得ることができる微小電子源装置及びその製造方法を提供し、該微小電子源装置を用いた平面型発光装置並びに平面型表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０上にカソード電極１１、抵抗層Ｉ_１が積層され、一端が炭素材料粒子の凝集物１２ｂを介して抵抗層Ｉ_１に固定され、該抵抗層Ｉ_１上に直立したカーボンナノチューブ１２ａを電子放出源として備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フィールドエミッタの陰極及びその製造方法、並びに平面光源に関する。
【解決手段】本発明に係るフィールドエミッタの陰極は、陰極導電層と、該陰極導電層に形成した電子放出層と、を含む。本発明に係る平面光源は、前記フィールドエミッタの陰極と、陽極と、を含む。本発明はフィールドエミッタの陰極の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】炭素系エミッタ材料の優れた性質である低電圧、高効率電子放出を利用した新規な平面電極の構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、球面状凹部と電界により電子を放出する電子放出突起が平面基板上に周期的均一構造をもって形成されてなる多孔体構造電界放出平面電極が提供される。このような多孔体構造電界放出平面電極は、平面基板上に均一に球状粒子の細密充填層（オパール層）を形成する第一の工程、高分子材料及び／又は高分子材料前駆体をオパール層の間隙に充填する第二の工程、当該高分子材料及び／又は高分子材料前駆体を固化する工程、及びオパール層を除去する第四の工程によって簡便に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板材料の選択範囲が広く、フィールドエミッタの均一性が良好で、炭素ナノチューブの利用効率が高い炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタは、基板と、該基板に成長された複数の炭素ナノチューブのマトリックスのシートと、を含む。前記炭素ナノチューブのマトリックスのシートは、第一端部及び該第一端部に対向する第二端部を有する。前記第一端部は炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの電子放出端部として、前記基板から離れるように設置される。前記第二端部は、前記基板に電気的に接続される。本発明は、炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ含有層に粒子を添加することにより、起立したカーボンナノチューブを適切な間隔で配置することのできる電界放射式ディスプレイを提供する。
【解決手段】カソードパネル１とアノードパネル２とを備え、カソードパネル１は、カソード基板３と、カソード電極４と、先端部がアノードパネル２側に露出して電子を放出するカーボンナノチューブ５およびカーボンナノチューブ５どうしの起毛間隔を定めるためのガラス粒子６を含むカーボンナノチューブ含有層７とを有し、アノードパネル２は、アノード基板１０と、アノード電極１１と、電子から与えられるエネルギーによって光を発する蛍光体１２とを有し、ガラス粒子６は、粒径が０．５μｍ〜２０μｍであり、かつカーボンナノチューブ含有層７の体積を１００％とした場合に、粒子含有率が体積比で１０％〜７０％であるものである。 （もっと読む）

【課題】エミッション遅延現象を抑制して動画像の実現の際に輝度の低下を最小化し，表示品質を高めることが可能な電子放出素子および電子放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子は，カソード電極６と，絶縁層を介してカソード電極６の上部に形成されるゲート電極１０と，カソード電極６に形成され，カソード電極６とゲート電極１０に印加された電圧の差から発生する電界によって電子を放出する電子放出部１２と，カソード電極６とゲート電極１０に電圧を印加する駆動部と，電子放出部１２から放出された電子を加速させるために陽の電圧が印加されるアノード電極２６とを含み，カソード電極６に印加される第１電圧（Ｖｃ）とゲート電極１０に印加される第２電圧（Ｖｇ）は０．４≦Ｖｃ／Ｖｇ＜０．８を満足する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてＭｎ成分含有率が１．５％以上のステンレスからなる陰極基板１０を４５０〜６００℃に加熱し、陰極基板１０の表面にガスを反応させることで、陰極基板１０の表面に存在するＮｉあるいはＦｅなどを核として陰極基板１０の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜１１を形成し電界電子放出源を構成した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】炭化水素および水素を含む反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する前処理工程と、前処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる本処理工程とを備え、前処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、本処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォール膜の凹凸な表面上に電子引出電極を容易に高精度に形成することを可能となし、かつ、カーボンナノウォール膜から長期にわたり安定した電子放出させることを可能とすること。
【解決手段】基板１５上に多数のナノオーダの壁状炭素薄片が平面方向に集合連成された形態のカーボンナノウォール膜１８が電子放出材料として成膜され、該カーボンナノウォール膜１８上に粒子サイズが１００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子からなるナノダイヤモンド膜２０がカーボンナノウォール膜１８の凹凸表面を反映しない平坦な膜表面に成膜されている。 （もっと読む）

【課題】大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてステンレスの平均結晶粒径が４０μｍ以下である陰極基板１０を４５０〜６００℃に加熱し、陰極基板１０の表面にガスを反応させることで、陰極基板１０の表面に存在するＮｉあるいはＦｅなどを核として陰極基板１０の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜１１を形成し電界電子放出源を構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出現象を利用しつつ簡便なプロセスで作製できるモジュールを提供し、発光デバイスとしてディスプレイのみならず広範囲な分野において活用を図ることを目的とするものである。特に、高効率電子放出特性を有し、長寿命を持つエミッタ材料を提供し、また、低温で再現性に優れたエミッタ加工プロセスも提供する。
【解決手段】透明導電ガラス及び有機蛍光体薄膜からなるアノード基板と、半導体基板及び電界電子放出材料薄膜からなるカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を高真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板と間に電界を印加させる電圧印加回路とを有し、基板間の空隙を真空チャネル領域として、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を有機蛍光体薄膜に注入させて発光させることを特徴とする電界放出発光デバイス。 （もっと読む）