【課題】 安定かつ容易に炭素の電子状態を変化させることにより、電子放射特性を向上させ、電子放出素子としての利用が可能な炭素材料を提供する。
【解決手段】 金属内包フラーレンを分散した高分子を原料として、高分子を熱処理することにより作成することを特徴とする金属分散炭素材料の製造方法であって、このようにして作成した金属分散炭素材料は、熱処理で作成した炭素材料中でも、金属元素が微小な大きさで分散するため、金属元素と炭素との間の相互作用が大きくなり、炭素の電子状態が変化することにより、電子放射特性が改善され、低電圧で効率的に電子放射を起こすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを用いた電子放出能の高い電子放出素子、特に低電界値であっても電子放出特性が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 上記課題は電極基材に取付けられたカーボンナノチューブの起毛部が複数の凸状に形成されていることを特徴とする電子放出素子によって解決される。
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【課題】 ナノフレークカーボンチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブからなる群から選ばれるカーボンチューブと(b)炭化鉄又は鉄とからなり、カーボンチューブ内空間部の１０〜９０％に炭化鉄又は鉄が充填されている鉄−炭素複合体を含む炭素質材料を、酸素濃度の制御を要することなく製造する方法、該方法により得られる鉄−炭素複合体、該鉄−炭素複合体を含む電子放出材料を提供する。
【解決手段】 (1)反応炉において、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、鉄錯体とハロゲン化鉄とを予め反応させ、(2)上記反応炉内に、熱分解性炭素源を導入し、該熱分解性炭素源と上記工程(1)で得られた反応生成物とを反応させることにより、鉄−炭素複合体を含む炭素質材料を製造する。得られる鉄−炭素複合体は特異な先端形状を有し、優れた電子放出材料である。 （もっと読む）

【課題】 容易に製造することができ、かつ解像度の高い冷陰極電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の冷陰極電子源３０は、導電膜５および導電膜６に印加された電圧によってＣＮＴ膜４から電子を放出する冷陰極電子源であって、絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成された導電膜５と、導電膜５上に形成された導電膜６と、導電膜５と導電膜６との間に形成された絶縁膜７とを備えている。絶縁膜２および導電膜５の各々には孔２ａ，５ａの各々が開口しており、導電膜６には孔２ａ，５ａに繋がる孔１２が開口している。さらに、孔２ａ，５ａの底部に形成されたＣＮＴ膜４を備えている。絶縁膜７から離れるに従って孔１２の口径が減少している。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブ複合材料、それの生成の方法、そして、そのような複合材料の使用に関する。
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【課題】 電界放出チップを用いて、高電流密度で広い範囲の電子ビームの照射ができる、構造の単純化及び小型化を確保できる電子ビーム照射装置の提供
【解決手段】 周りの一側に長さ方向に電子ビーム照射窓が形成された真空チャンバーと、真空チャンバーの内部中心の長さ方向に位置され、その周りの一側に電子ビーム照射窓に対応される電界放出チップが形成された陰極と、チャンバーの一端に位置され、前記陰極側に高電圧を印加させる高電圧印加部と、を含む電子ビーム照射装置。 （もっと読む）

新規なヘテロダイヤモンドイド含有フィールドエミッションデバイス（ＦＥＤ）が開示される。本発明の一態様においては、ヘテロダイヤモンドイドのヘテロ原子はフィールドエミッションデバイスの陰極すなわち電子放出性部品の一部として電子供与性の種（たとえば、窒素）を構成する。
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電子放出特性に優れる電子放出材料とその製造方法、ならびに、電子放出素子を提供する。高分子膜を焼成して得た炭素材料を含む電子放出材料の製造方法であって、金属酸化物および金属炭酸化物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物が分散したポリアミド酸溶液を調製し、調製したポリアミド酸溶液を成膜およびイミド化して、金属化合物を含むポリイミド膜を形成し、形成したポリイミド膜を焼成して炭素材料を形成する製造方法とすればよい。また、炭素材料を含み、表面に窪みを有する隆起が炭素材料の表面に形成されており、この隆起が金属元素を含む電子放出材料とすればよい。
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10 nm未満の外径、及び10層未満の層を有するカーボンナノチューブ物質を開示する。また、基板、任意に接着促進層、及び電子電界放出物質層を含む、電子電界放出素子を開示する。該電子電界放出物質は、１チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有する、カーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ製造方法の１つは、下記段階を含む：(a) MgO 粉末上に支持されたFe、及びMoを含む触媒を製造する段階；(b) 水素、及び前駆体としての炭素を含む混合ガスを使用する段階；及び(c) カーボンチューブを製造するように、前記触媒を950℃以上に加熱する段階である。電子電界放出陰極の他の製造方法は、下記段階を含む：(a) １チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有するカーボンナノチューブを含む、電子電界放出物質を合成する段階；(b) 適切な溶媒中で、該電子電界放出物質を分散する段階；(c) 基板上に、該電子電界放出物質を堆積する段階；及び(d) 該基板をアニールする段階である。 （もっと読む）

本発明は、式Ｍ₆Ｃ_yＨ_z（式中、Ｍ＝遷移金属、Ｃ＝カルコゲン、Ｈ＝ハロゲン、およびｙおよびｚは、８．２＜ｙ＋ｚ＜１０であるような整数である）により記述される、サブミクロン断面を持つ擬一次元材料に関し、材料は、１０００℃を超える温度で一段階方法で合成される。本発明は、また、電子、化学、光学または機械用途におけるこれらの材料の使用に関する。
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ナノ構造炭素材料を容易にかつ様々な基材上に形成し得る製造方法を提供する。前記製造方法として、導電層が形成された基材上にリソグラフィによりナノ構造炭素材料をパターニングするパターニング工程を有する電子放出源の製造方法であって、前記パターニング工程は前記導電層上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程を含み、このナノ構造炭素材料形成工程が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で高周波電圧を対向する電極間に印加して放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法により行われることを特徴とする電子放出源の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）

本発明において、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の組成物がインク中に生成され、このインクは、インクジェット被覆プロセスを介して分配し得る。このＣＮＴインクは、カソード構造体に形成されるウェルに分配される。本発明のある実施形態は、図１（ａ）に示されるような、ウェル構造体内にＣＮＴを均一に被覆するためのプロセスを提供する。ウェル構造体は、穴を形成するために４つ以上の壁（または、丸穴の場合は、１つの壁）を有し得る。
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【課題】ナノダイヤモンドを用いた改良された電子放出構造と画素化された配列と共に、冷陰極の放出領域をより簡単に製造する方法を提供する。
【解決手段】高い仕事関数を有する金属１８であって、金属−ドープされたダイヤモンドナノ結晶粒子層１４を低い仕事関数を有する金属陰極１２の平坦面と接触させて包むカプセルである金属１８を備えた電子放出素子と、その形成方法である。その方法は、伝導性を有するナノダイヤモンド粉末を金属性の溶液と調合すること、仕事関数が高い金属を含むこと、及び、それを金属陰極１２の上に配置して低い電子親和力を示す表面領域を有する合成の物質層を構成することを含んでいてもよい。得られる冷陰極構造は、効率的な電子放出のために必要な抽出電界が低く、単位面積あたりの放出電流を制限する手段を有し、そして、吸着/脱着に対する電子放出感度が低減されている。 （もっと読む）

レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供する。マットは、直径が約１ミクロン未満の虫くい状のカーボンデポジットである、カーボンフィブリルとしても周知のカーボンナノチューブから形成する。次いでカーボンナノチューブマットをレーザ又はプラズマで処理する。カーボンナノチューブマットをそのように処理することによって、フィールドエミッションカソードとしての、又はフィールドエミッションデバイスの一部分としてのフィールドエミッション性能が改善される。 （もっと読む）

アモルファスダイヤモンド材料（５）および陰極（２５）と陽極（３０）との間に結合される中間部材（５５）。このアモルファスダイヤモンド材料（５）は、少なくとも約９０％の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約２０％は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング（５）は、陰極（２５）のベース部材と接触しているエネルギー入力表面（１０）およびこのエネルギー入力表面（１０）に対向する電子放出表面（１５）を有する。この電子放出表面（１５）は、約１０〜約１，０００ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。
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本発明に係る電子放出性織布は、極めて簡単に製造することが可能であり、大面積に容易形成することができると共に、表示装置をはじめ各種用途に利用可能である電子放出源の提供することを目的としている。 本発明の電子放出性織布は、導電性層１を絶縁層２で被覆した第１の線状体３と、導電性材料からなる第２の線状体４とを交差させてなることを特徴としている。 及び、本発明の電子放出性織布は、第１の線状体の浮部及び／又は沈部における、第２の線状体の第１の線状体との交差部表面に、カーボン系材料が設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

マルチビームＸ線生成装置は、陰極上に所定のパターンで配置され、固定され個々に制御可能な複数の電子放出ピクセルを有した、固定電界放出陰極と、前記ピクセルの前記所定パターンに対応する、所定パターンで配置された複数の焦点を備えた、前記陰極の反対側に位置する陽極と、前記陽極及び陰極を覆う真空槽と、を備える。別の構成は、その少なくとも一部に電子放出物質が配置された平面状の表面を有した固定電界放出陰極と、前記陰極の平面状の表面に対して空間を隔てて平行に設けられ、サイズの異なる複数の開口部を有したゲート電極と、前記陰極と空間を隔てて反対側に位置し、前記電子放出物質に合わせて複数の焦点を有する陽極と、前記陽極及び陰極を覆う真空槽と、を備え、前記ゲート電極は、少なくとも１つの焦点及びその登録位置から外れた位置へ、前記陰極から放出された電子の少なくとも１つのビームを送出するように前記開口部を操作できるように、動作可能であるＸ線生成装置として実現される。関連する方法も開示されている。 （もっと読む）

【課題】炭素材料の優れた電気伝導度、熱伝導度、耐食性を有し、かつ、仕事関数が小さい大面積の表示装置用電子放出材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出領域として、表面から所定の領域に炭素以外のイオンを打ち込んだグラファイトシート１０１が基板１０２上に接着層１０３で固定され、前記グラファイトシートと絶縁層１０５と介して導電性ゲート層１０６が設けられ、グラファイトシート１０１に対向して蛍光体層１０９を配置した。この構成により、炭素材料の優れた特性を有し、仕事関数が小さい電子放出材料が得られ、高効率の電界放出素子、大面積表示装置が実現できる。 （もっと読む）