【課題】カソード電極層とアノード電極層との間でのショートが防止され、電子放出効率が高く、かつ複数の画素の発光の均一性が高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔６は、少なくとも絶縁層２を貫通する部分においてカソード電極層１１ｂに向かって除々に幅または径が大きくなっている。貫通孔６内においては、複数のカーボンナノチューブ７が触媒層５の内側面から貫通孔２の側面に沿って延びている。複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子を放出できる電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出素子は、基体と、基体の上に配置された第一の電極と、前記第一の電極上に設けられた電子放出部材と、前記第一の電極と間隔Ｈを有して基体の上方に配置され、かつ、前記電子放出部材の少なくとも一部を露出する開口を有する第二の電極と、を有する電子放出素子であって、第二の電極の面積が開口の面積の４倍以上であり、間隔Ｈと開口の幅Ｗとの比Ｈ／Ｗが、０．０７以上０．６以下である。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイスとこれを用いた電子放出表示デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の電子放出デバイスは、基板と、基板上に形成される第１電極と、第１電極に電気的に連結される電子放出部と、第１電極上に第１電極から絶縁されて位置しながら、第１電極との交差領域に電子放出部開放のための複数の開口部を形成された第２電極と、第２電極上に第２電極から絶縁されて位置しながら、第２電極の開口部に連通する開口部を形成された第３電極と、を含み、電子放出部と第２電極が次の２条件（条件１：Ｄ２／Ｄ１≦０．５７９、条件２： Ｄ２≧１μｍ）を同時に満足する。これにより、画面の色純度を高めて、向上した表示品質を実現できる。ここで、Ｄ１は第２電極の開口部幅を示し、Ｄ２は電子放出部の幅を示す。 （もっと読む）

【課題】蛍光膜面のほぼ全領域にかけてその発光輝度を均一にすること。
【解決手段】蛍光膜１４付きのアノード電極１２と電界放射型のカソード電極１６との間に多数の電子通過孔１８ａを備えたグリッド電極１８を介装した電界放出型光源において、上記カソード電極１８に対向するグリッド電極面１８ｂ上に不連続な膜形状に絶縁薄膜２０をチャージアップ部材として設けた構成。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を最適化することができるカソード構造を明らかにする。
【解決手段】本発明は、サポート（２１）上に配置される、カソード導体（２２）、電気絶縁層（２４）、及び、グリッド電極（２５）を備え、前記電気絶縁層及び前記グリッド電極は、少なくとも１つの電子放出エレメントを露出する開口部を有し、前記カソード導体（２２）に電気的に接続され、電子放出材料で作製されるナノチューブ（２８）を備えるトライオード型カソード構造に関する。カソード構造には、最長のナノチューブがグリッド電極（２５）に接触することを防止するための保護手段が備えられている。 （もっと読む）

【課題】画面の輝度と画素間の発光均一度を高め、高解像度製作に有利であり、製造品質を向上させる電子放出デバイス、および電子放出デバイスを用いる電子放出表示デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成される第１電極１４と、第１電極１４に電気的に接続される電子放出部２０と、第１電極１４上部で第１電極１４と絶縁されて配置され、第１電極１４との交差領域で電子放出部２０を開放するための複数の開口部１８１を形成する第２電極１８とを含み、第２電極１８は、下記条件を満たすように形成される電子放出デバイスが提供される。条件：１．３６≦Ｐ／Ｄ≦１．６５。ここで、Ｄは、第２電極の開口部の幅を示し、Ｐは、第２電極の互いに隣接する開口部のピッチを示す。 （もっと読む）

【課題】平形カソードの製造に利用される、特定の物理的特性を示す電界放出膜を提供すること。
【解決手段】電界放出カソードとして用いられる炭素膜（７０３）は、基板（８０３）上の薄い炭素膜の層である。炭素膜は、２５〜１６５ｃｍ^-1の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有する、１５７８ｃｍ^-1〜１６２０ｃｍ^-1の範囲のＵＶラマンバンドを有する。炭素膜は、３００ナノメートルより薄くてもよい。膜が堆積される基板は、導電性、非導電性のどちらでもよい。非導電基板の場合、基板は、連続的な導電層または導電性材料の緻密な網構造のいずれかでコーティングされ得る。 （もっと読む）

【課題】励起エネルギーが小さい場合においても高い電子放出効率を実現することが可能な電子放出装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に形成され、ＳｉＣ基板１１表面に対して垂直方向に配向化された複数のカーボンナノチューブから構成されたカーボンナノチューブ層１２と、カーボンナノチューブ層１２上に形成され、カーボンナノチューブ層１２と接触するＭｇＯ層１３と、カーボンナノチューブ層１２と接続されたオーミック電極１７と、ＭｇＯ層１３との間に空隙１４を挟んでＭｇＯ層１３に対向するように配置された電極１５と、オーミック電極１７と電極１５との間に電圧を印加する電圧源１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】画質および発光効率を改善することが可能な電界放出ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】輝度／駆動電圧変換回路１は、パネル５の輝度を制御する輝度制御信号ＬＣＳを受けて、それを駆動電圧制御信号ＤＶＣに変換する。輝度／シールド電圧変換回路２は、輝度制御信号ＬＣＳを受けて、それをシールド電圧制御信号ＳＶＣに変換する。駆動回路用電源３は、駆動電圧制御信号ＤＶＣに従って駆動電圧ＤＶを可変し、それを駆動回路４に供給する。駆動回路４は、駆動電圧ＤＶ、映像データＶＳＤおよび同期信号ＳＹＮを受けて、パネル５のゲート電極６およびカソード電極７にパッシブ駆動パルス幅変調信号ＰＤＭを出力する。シールド電源８は、シールド電圧制御信号ＳＶＣに従ってシールド電圧ＳＶを可変し、それをシールド電極９に供給する。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率の高い電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明における電子放出装置１００は、表面または内部が露出した領域１７を有し、（０００１）面を主面とするSiC基板１１と、基板１１のC面に形成された炭素により構成される電子放出層１２と、領域１７に形成された電極１８とを備える。また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。また、電子放出層１２は、基板１１のC面の一部分に形成され、電極１８は、基板１１のC面の電子放出層１２が形成されていない領域に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】低電圧で均一な電子放出を可能とする電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】電極表面の凹凸形状にかみ合わせ可能な、可逆的接着性を有する可撓性基板を、配向性カーボンナノチューブ膜の転写工程に用いることにより、電界放出型冷陰極を製造する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上にカソード電極を形成する工程と、（ｂ）カソード電極上にエミッタをパターニングして形成する工程と、（ｃ）エミッタが形成された基板構造物の表面に感光性ガラスペーストを塗布して乾燥させ、エミッタを埋め込む感光性ガラスペースト層を形成する工程と、（ｄ）（ｃ）工程の結果物である感光性ガラスペースト層を露光、現像及び焼成工程を経てパターン化してゲート絶縁層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子、これを具備したバックライトユニット、これを具備した平板ディスプレイ装置及び電子放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板の一面に配置され、所定方向に延長された第１主電極部と、第１主電極部から突出されて延びる所定パターンの第１副電極部とを備える第１電極と、ベース基板の一面上で、第１電極と所定の間隔に離隔されて配置され、所定方向に延長された第２主電極部と、第２主電極部から突出されて延びる所定パターンの第２副電極部とを備える第２電極と、第１電極と第２電極とのうち少なくとも一方の電極に形成された電子放出源とを備える電子放出素子、これを具備したバックライトユニット、これを具備した平板ディスプレイ装置及び電子放出素子の駆動方法である。これにより、効果的にアノード電極により形成される電界を遮断し、低いゲート電圧により電子を持続的で安定的に放出でき、発光均一性と発光効率とを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１、２以上のゲートホール５が形成されたゲートホール領域７を有するゲート電極６、絶縁層２及びエミッタ４を少なくとも備えたカソード基板において、エミッタ４とゲート電極６との間で形成される等電位面が、エミッタから放出された電子を収束する凸面となるようにゲート電極及びエミッタのうち少なくとも１つを構成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出を適切に行うことが可能である電子放出素子、およびこれを用いた電界放出型ディスプレイを提供すること。
【解決手段】基板１Ａと、基板１Ａ上に形成されたカソード電極２と、カソード電極２上に形成された絶縁層３と、絶縁層３上に形成されたゲート電極４と、孔３ａに収容され、かつカソード電極２上に形成された電子放出源５と、を備える電子放出素子Ａ１であって、電子放出源５は、カソード電極２上に形成された金属体５１と、この金属体５１上に形成された金属触媒層５２と、この金属触媒層５２上に形成されたカーボン繊維５３と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブを配線する電極の組が複数組ある場合でも同時に配線作業を実行し、かつナノチューブを１本ごとに制御できる配線方法を提供すること。
【解決手段】複数本のナノチューブ１１を分散させた溶媒１０を電極１，２間に滴下する。配線する所望の電極間ごとに互いに相関のない異なる波形の信号電圧５，６を印加する。信号電圧によって溶媒中のナノチューブ１１を泳動させて所望の電極間に配線させる。印加する信号電圧の波形は、Ｍ系列の擬似乱数ビット列から生成する。配線する電極間を流れる電流を検知したら信号電圧の印加を停止することで、各電極間には１本のナノチューブを配線する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ層を表層部に備えた金属板よりなる電子放出源において、前記カーボンナノチューブ層に供給する電力に対する電子の放出能力を大きくすること。
【解決手段】前記カーボンナノチューブ層の表面部を窒化する。このカーボンナノチューブ層は炭素六員環と炭素五員環とが垂直方向に起立した状態で構成されており、炭素六員環及び炭素五員環の先端部の炭素原子を窒素プラズマによって窒素原子に置換することで、置換された窒素原子と炭素原子とを結ぶ結合手の長さが炭素原子と炭素原子とを結ぶ結合手の長さよりも長くなることから、炭素六員環または炭素五員環のＣ−Ｃ−Ｃ角に比べてＣ−Ｎ−Ｃ角の方が鋭角となる。この鋭角の頂点に位置する窒素原子に電界が集中する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させる。
【解決手段】カーボンナノチューブ１を陰極基板２に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法において、密閉容器５内に配置された陰極基板２の下側に磁石４を配置し、密閉容器５内のうち、陰極基板２の上側の空間に、磁性を有する金属１ｂが残されたカーボンナノチューブ１を噴霧する。また、カーボンナノチューブ１を噴霧する前に、陰極基板２上に導電性ペースト７を塗布する。 （もっと読む）

本発明は、電流を基盤として駆動することができ、薄膜トランジスタによる漏洩電流を防止することができるアクティブマトリックス電界放出ディスプレーを提供する。本発明の電界放出ディスプレーは、蛍光体の陰極発光が発生する発光素子部と、前記各発光素子部を駆動するための薄膜トランジスタ部と、を含む多数個の単位ピクセル;前記各単位ピクセルにスキャン信号を印加するための電流ソース;及び前記各単位ピクセルにデータ信号を印加するための電圧ソースを含むことを特徴とする。ここで、前記電流ソースのオン電流(ｏｎ−ｃｕｒｒｅｎｔ)は与えられた書き取り時間(ｗｒｉｔｉｎｇ ｔｉｍｅ)内にスキャン行の負荷抵抗(ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ)及び容量(ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ)が耐えられるほど充分に大きくて、前記電流ソースのオフ電流(ｏｆｆ−ｃｕｒｒｅｎｔ)は各ピクセルで電子放出が無視きるほど低い値を有する。また、前記電圧ソース(ｖｏｌｔａｇｅ ｓｏｕｒｃｅ)で印加されるデータ信号のパルス振幅(ａｍｐｌｉｔｕｄｅ)またはパルス幅を変化させてディスプレーの階調を表現する。
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【課題】 低電圧駆動で効率良く電子放出が可能な冷陰極電界電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 支持体１０１、カソード電極１０２、絶縁層１０３、ゲートホール１０６を有するゲート電極１０４及びレジスト１０７を積層被着した後、ゲートホール１０６よりも径が小さい炭素物質配設用ホール１２１をゲートホール１０６からカソード電極１０２に至るまで形成し、次に、触媒金属１０９、１１０を被着形成し、レジスト１０７のリフトオフ処理や絶縁層１０３の炭素物質配設用ホール１２１の拡張処理を行った後、カーボンナノチューブ等の炭素物質１１１を触媒金属１１０上に成長させることにより、冷陰極電界電子放出素子を作製する。 （もっと読む）