【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）

カソード基板を多層で構成し、各カソード基板上に配線を多層で配置することによって、カソードブロックの個数の制限なく、多数のカソードブロックによりさらに微細なローカルディミングが行われることができる電界放出装置を提供する。本発明による微細ローカルディミングが可能な電界放出装置は、カソード基板を多層で構成し、各カソード基板上に配線を多層で配置することによって、カソードブロックの個数の制限なく、多数のカソードブロックにより微細なローカルディミングが可能であることを特徴とする。また、配線設計によって各カソードブロックのＲＣ遅延時間を同一に調整することができるので、これにより、各カソードブロックに伝達される電流制御信号が同一のタイミングに到逹することができ、電界放出装置の特性が向上することができる。
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【課題】電子放出素子及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上で一方向に沿って相互離隔されて位置する第１電極と、一方向に沿って第１電極の間に位置する第２電極と、第１電極及び第２電極と電気的に絶縁されるように配され、一方向と交差する方向に延設される第３電極と、第１電極及び第２電極の側面にそれぞれ形成される第１電子放出部及び第２電子放出部と、を備える電子放出素子である。隣接する前記第１電子放出部と前記第２電子放出部との間には、ギャップが形成されている。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】アーキング及びチャージング保護膜組成物、及びそれから形成されたアーキング及びチャージング保護膜を備えた電界放出素子を提供する。
【解決手段】無機酸化物５０ないし９０ｗｔ％、有機ビヒクル５ないし３０ｗｔ％、及びガラスフリット１ないし４５ｗｔ％を含むアーキング及びチャージング保護膜組成物である。本発明によるアーキング及びチャージング保護膜組成物を利用した電界放出素子のアーキング及びチャージング保護膜は、優れた接着力を有しており振動や真空中でも安定しており、電界放出素子の均一性及び安定性を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明による素材の堆積物は、カーボンナノバッド分子を含む。
【解決手段】カーボンナノバッド分子は、少なくとも１つのフラーレン基（２）を介して互いに結合する。本発明による電子デバイスは、カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含む。本発明による電子デバイスは、例えば、トランジスタ（１８）、電界エミッタ（１７、１９）、透明電極（１５、２４、２８、３０）、コンデンサ（３１）、太陽電池（３２）、光源、ディスプレイエレメントまたはセンサ（３３）であり得る。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極への電圧の印加時間及び形態に対応するようにアノード電極にAC電圧を印加することにより、ゲート電極に電圧が印加されない遊休時間の間にアノード電極に不要な電圧が印加されるのを防止して駆動電力を減少させるとともに、アノード電極に印加される不要な高電圧により電子が放出されるのを防止して発光効率を増大させ、かつアノード電極に不要な高電圧が印加される時間を短縮させて寿命を延ばす。
【解決手段】 本発明は、所定間隔だけ離隔して対向するように配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上に形成された少なくとも一つのカソード電極と、前記カソード電極から離隔した位置で、絶縁体により前記背面基板から絶縁されるように形成された少なくとも一つのゲート電極と、前記カソード電極の上面に形成されたエミッタと、前記背面基板に面するように前記前面基板上に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に塗布された蛍光体層と、前記アノード電極にAC電圧を印加する第１電圧印加手段と、前記ゲート電極にAC電圧を印加する第２電圧印加手段とを有し、前記アノード電極と前記ゲート電極に印加されるAC電圧は同期化されている。
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【課題】チャージアップ防止、電子放出層への電流制限、電極マイグレーション抑制、電極等の保護を図る抵抗膜の形成工程の工程数を削減し製造コストダウンを可能とすること。
【解決手段】電子放出層６を備えたカソード電極と、ゲート電極とを絶縁部分露出領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、両電極で覆われないで露出している絶縁部分露出領域と、上記カソード電極と電子放出層との境界領域と、電極表面露出領域と、電子放出層上面露出領域との４つの領域のうち、少なくとも２つの領域に単一の連続する高抵抗膜を設けた構成。 （もっと読む）

アンダー・ゲート電界放出トライオード装置、それに用いるカソード組立体は、電荷散逸層を含む。電荷散逸層は、カソード電極および／または電子電界エミッタの下または上に配置されていてよい。
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【課題】中空陰極の円筒内側表面にのみ蒸着炭素膜を成膜する。
【解決手段】（ｉ）短辺上端を円弧状に成形した導電性の矩形板状体からなり、（ii）上記矩形板状体の長辺側面に沿って、（ii-1）長辺側面に開口し、かつ、（ii-2）一端を閉じた円筒の中空陰極部材、又は、一端を閉じた円筒の外側底部に接続用端子を備える中空陰極部材を、長辺側面に垂直に、密着状態で収容する部材収容孔が形成されている治具を用いて、中空陰極の円筒内側表面にのみ炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体は、基体の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成されたらせん構造を有するナノ炭素材料と、からなる。基体上にらせん構造を有するナノ炭素材料を有するナノ炭素材料複合体は、パラジウムまたはその合金から選ばれる金属の薄膜を基体上に形成する工程と、該金属担持基体を液体炭化水素中で加熱する工程とを含む方法によって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に配置され,カソード電極１０と直交するゲート電極１４と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで形成されたホール（１１）からなる電界放出マトリックス電極構造をメッキ槽（３４）内に配置する工程と、カーボンナノチューブ４の成長の核となる触媒微結晶核２９を電着させる際、ホール（１１）内への触媒電着は、ホール底のカソード電極１０を陰極、ゲート電極１４を陽極として電着させる工程とを有するカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

電界放出陰極アセンブリと陽極との間の真空の間隙に保護蒸気が存在している電界放出デバイス。保護蒸気は、Ｍ−Ｈ結合（式中、ＭはＣ、Ｓｉ、Ｂ、ＡｌまたはＰであり得る）を含有するガスなどの１種または複数種の水素含有ガスであり得る。保護蒸気は、真空の間隙中において、２０℃で約１０^−８Ｔｏｒｒ（１，３３×１０^−６Ｐｅ）超の分圧を有する。
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【課題】カーボンナノチューブとカソード電極との密着性を保持しつつ、接触抵抗が低くエミッション開始電界強度が小さい電子放出素子を提供すること。
【解決手段】（ａ）カーボンナノチューブ、（ｂ）ガラス粒子および（ｃ）導電性粒子を含む、膜厚が０．１０〜２．０μｍである電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】低電界で高放出電流密度が得られる電子放出膜を提供する。
【解決手段】金属と炭素とを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、金属を除いた電子放出膜の密度を、１．２ｇ／ｃｍ³以上１．８ｇ／ｃｍ³以下とし、電子放出膜中における水素含有量が電子放出膜を構成する全原子に対し１５原子％以上４０原子％以下とする。さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子を放出することが可能で、動作が安定しており信頼性が高い電子源、この電子源の作製方法、および、この電子源を使用する冷陰極放電灯等の放電装置を提供する。
【解決手段】電子源１において、基板２と、基板２上に形成されたダイヤモンド結晶微粒子３の集合体と、ダイヤモンド結晶微粒子３の表面に形成された白金微粒子４と、を備え、さらに、電子源１を、冷陰極放電灯等の放電装置に使用すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 励起子を応用しながら室温動作する、高電圧不要かつ低真空動作可能な、高効率・連続高出力の電子源を提供する。
【解決手段】
本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 （もっと読む）