【課題】 励起子を応用しながら室温動作する、高電圧不要かつ低真空動作可能な、高効率・連続高出力の電子源を提供する。
【解決手段】
本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 （もっと読む）

【課題】有用な焦点スポットをターゲットに形成するように電子ビームの十分な集束を可能としつつ、カソードからの電子ビームの抽出に必要な電圧を最低限にし、ビーム集束を可能とするメッシュ・グリッドを提供する。
【解決手段】電界放出器電子銃が、基材層６８に付着させられて、電子ビーム８６を発生するように構成されている少なくとも１個の電界放出器カソード８０を含んでいる。開口７６を有する抽出プレート７２が、電界放出器カソードに隣接して配置されており、該カソードからの電子ビームを抽出する電圧で動作する。少なくとも１個の電界放出器カソードの各々と抽出プレートとの間に配設されているメッシュ・グリッド９０は、少なくとも１個の電界放出器カソードの表面での電界を増強するような電圧で動作するように構成されている。メッシュ・グリッドは、電子ビームを所望のスポット寸法に集束させるように構成されている一次元グリッドである。 （もっと読む）

【課題】エミッタからの電子放出効率を高くし、発光効率に優れた冷陰極電子源の構造を提供すること。
【解決手段】本冷陰極電子源は、電界電子放出するエミッタＥを備えたカソード電極Ｋと該エミッタＥからの電子放出を制御するゲート電極Ｇ１，Ｇ２との間に露出する基板部分の比誘電率が当該基板Ｓの比誘電率より低い。 （もっと読む）

【課題】エミッタからの電子放出効率を高くし、発光効率に優れた冷陰極電子源の構造を提供すること。
【解決手段】電界電子放出するエミッタを備えたカソード電極と該エミッタからの電子放出を制御するゲート電極とを絶縁領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、カソード電極の電極幅をＷｋ、ゲート電極の電極幅をＷｇとして、上記両電極の電極幅比Ｗｋ／ＷｇがＷｋ／Ｗｇ≦１の式を満たした構成とする。 （もっと読む）

【課題】均質な塗膜を形成することができ、その塗膜の熱処理中に繊維状炭素が消耗することなく、さらには、エミッタのエミッション特性に優れた電界電子放出素子を得ることができる繊維状炭素含有塗料、この繊維状炭素含有塗料を用いて形成した繊維状炭素膜およびその製造方法、この繊維状炭素膜を備えた電界電子放出素子および電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明の繊維状炭素含有塗料は、繊維状炭素と、有機溶媒と、有機高分子とを含有してなり、前記繊維状炭素の長さが２０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱による特性変化を起こしにくく、安定した電子放出が可能な電子放出膜を備えた電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子の電子放出膜が、第１材料からなる第１層と、第１材料よりも電気抵抗率の小さい第２材料からなり前記第１層の中に設けられる複数の粒子と、を有する膜である。第１材料が、酸素と窒素とを含む材料である。詳しくは、第１材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。粒子の粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。電子放出膜の表面が水素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ及びカーバイド誘導炭素を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源及びその製造方法、並びに該電子放出源を採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素ナノチューブと、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有ガスと熱化学反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源の製造方法、その方法によって製造された電子放出源及び電子放出源を採用した電子放出素子。これにより、炭素ナノチューブとカーバイド誘導炭素が混成複合化されることによって、多量の炭素ナノチューブの使用時に発生するスクリーン効果を防止できて、電子放出能力が優秀なだけでなく、均一性に優れて長寿命の電子放出源を提供できる。 （もっと読む）

【課題】電界放出ディスプレイの三極管構造およびその製法を提供する。
【解決手段】マトリクスに配列された複数の陰極層は、陰極層を被覆して形成される。複数の縦延伸したゲートラインは誘電層上に形成され、各ゲート層は陰極層の２つの隣接した列間に設置される。 （もっと読む）

【課題】電子放出部を大気に晒す工程をなくすことで、電子放出部形成後の高真空工程を省略でき、製造コストを低減できるとともにガス分子が基板表面から脱離する量を最小限に抑え、寿命劣化を抑制することが可能となる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画像表示装置１には、カソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、気密に形成されるとともに大気圧より低い所定の圧力まで減圧された中空部１４ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成され、その一部が前記中空部１４ａを挟んで導電層１２に対向配置されたアノード電極３１と、導電層１２上に形成され、中空部１４ａ内に少なくともその一部が露出し、導電層１２とアノード電極３１の電位差により電子を放出するグラファイト２０と、アノード電極３１側に設けられグラファイト層２０から放出される電子によって発光する発光層３２と、を有する発光素子２が複数配列されている。 （もっと読む）

【課題】最適な範囲の粒径を持つ導電性粒子を含むことによって、ＣＮＴとカソード電極との良好な電気的接触を保つことができる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】直径が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満であるカーボンナノチューブと、平均粒径が０．１〜１μｍの導電性粒子を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や特殊な操作を必要とすることなく、電子放出能の高い薄膜型電子放出材料を形成するための組成物、前記薄膜型電子放出材料、その製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）有機高分子バインダーと、有機溶媒と、導電材と、気相成長法で作製された平均繊維径５〜１８０ｎｍのカーボンナノチューブ等を含む薄膜型電子放出材料の形成用組成物、（２）有機高分子マトリックス又は有機高分子の炭化物マトリックスと、導電材と、前記カーボンナノチューブ等の凝集体とを含む薄膜型電子放出材料、（３）前記組成物を導電性基板上に塗布したのち、加熱処理し、又はさらに焼成処理することにより、前記薄膜型電子放出材料を製造する方法、（４）前記薄膜型電子放出材料を用いて作製されてなる電界放出型素子、及び（５）前記電界放出型素子を搭載してなる電界放出型ディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子、これを備えた電子放出ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板２１０と、第１基板上に配置されたカソード電極２２０と、カソード電極２２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極２４０と、カソード電極２２０とゲート電極との間に配置されてカソード電極２２０とゲート電極２４０とを絶縁する絶縁体層２３０と、カソード電極２２０上に配置された触媒成長層２２５と、触媒成長層２２５から垂直成長させて形成配置された炭素ナノチューブを備える電子放出源と、を備える電子放出素子。これにより、電子放出素子の動作電圧を低下させることができ、このような電子放出素子を採用したディスプレイ装置は電力の消費を低減できる。 （もっと読む）

【課題】医療用、工業用、分析用等における新規な構造の電界放射型の電子源を提供すること。
【解決手段】軸状に延びる陽極１２と、この陽極１２周囲に環状に配置される電界放射型の陰極１４と、を備える。さらに陽極１２周囲に陰極１４からの電子を遮蔽する部材２４を、備えた構成。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノカーボンペーストと、これを用いたナノカーボンエミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】ナノカーボンペースト１が、導電性粒子として酸化亜鉛２に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料３が形成されてなるナノ炭素材料複合体４と、無機バインダー５と、有機バインダー６と、有機溶剤７と、を混合してなる。このナノカーボンペースト１を、基体１１上の導電層１２に塗布することで、ナノカーボンエミッタを製造する。 （もっと読む）

【課題】少量の触媒金属（例えば、コバルトおよびモリブデン）を含む、単一壁のカーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）およびセラミック支持体（例えば、シリカ）の複合体を提供すること
【解決手段】本発明は、少量の触媒金属（例えば、コバルトおよびモリブデン）を含む、単一壁のカーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）およびセラミック支持体（例えば、シリカ）の複合体を提供する。上記金属およびセラミック支持体を含む粒子は、単一壁のカーボンナノチューブの生成のために触媒として使用される。沈降シリカおよびヒュームドシリカの使用は、上記セラミック（例えば、シリカ）および上記単一壁のカーボンナノチューブの両方の特性を相乗的に向上し得る、ナノチューブ−セラミック複合体をもたらした。ポリマーへのこれらの複合体の添加は、それらの特性を向上し得る。 （もっと読む）

【課題】電子エミッタ作製プロセスが含むバッファ層を生成するプロセスを省略可能とすることである。
【解決手段】本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。本電子エミッタ用基材１０の製造方法は、導電性基材１６の表面に黒鉛含有ペースト２０を付着させる工程を含む。本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室３２内で上記電子エミッタ用基材１０の基材温度を７００℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜４２を成膜して電子エミッタ４４を製造する。 （もっと読む）

【課題】低電界の印加で所要の発光輝度を得ることが可能でかつカーボンナノチューブ１つ当たりの電子放出負荷を低減して電子エミッタとしての寿命特性が向上した電子エミッタを提供する。
【解決手段】本電子エミッタ１０は、陰極１４上に複数のカーボンナノチューブ集合体１８が分散配置され、上記カーボンナノチューブ集合体１８は複数本のカーボンナノチューブが電極表面からの最大高さを電極表面に沿う平面方向の最大直径で割った値であるアスペクト比で１／１０〜１／２で規定される粒子形状に集合して構成されている。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】電子放出源（エミッタ）の信頼性を大きく向上させることができる電界放出ディスプレイ用のＣＮＴエミッタの製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＣＮＴパウダーと有機バインダーと感光物質とモノマーとナノサイズの金属粒子４３２ａとを溶媒に分散させてＣＮＴペーストを製造する。ＣＮＴペーストを基板４１０上に形成された電極４２０上に塗布する。電極上に塗布されたＣＮＴペーストを露光して微細パターニングする。微細パターニングされたＣＮＴペーストを焼成する。焼成されたＣＮＴペーストの表面が活性化されるように、ＣＮＴペーストの表面を処理する。このような構成により、数μｍ程度の微細パターニングが可能であり、１つのピクセル内に複数のＣＮＴエミッタ領域を形成することができるので、電子放出の均一度を向上させることができる。 （もっと読む）