【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 電子放出素子は、硼化ランタンの多結晶膜を備え、この多結晶膜を構成する結晶子のサイズが２．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】電界放出型バックライト装置を提供する。
【解決手段】本発明の電界放出型バックライト装置の駆動方式は、陰極を接地しゲートに（＋），（−）のバイポーラ型パルス電源を印加する。パルス電源は、一定デューティー比を有し、ゲートに（＋）電圧が印加されたときには、陰極電極上の炭素ナノチューブにより構成されたエミッターからゲートへ電子が放出され、（−）電圧が印加されたときには、ゲート上部面の炭素ナノチューブから陰極電極へ電子が放出される。電子が放出される間、高電圧を印加して放出された電子が加速されるようにし、加速された電子が陽極電極の上部面に塗布された蛍光体を発光させる。本発明は、陰極及びゲート両側で交互に電子が放出されるので、全体基板面積のうちエミッターの有効面積を二倍に広め発光領域が広くなる効果が得られるのみならず、炭素ナノチューブエミッターの寿命を長くし、面発光装置の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置作用時、蛍光層上に非発光領域が現れないようにして輝度均一度を高めながら、拡散板による光損失を最小化できる発光装置、およびこの発光装置を光源として用いる表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、対向配置される第１基板および第２基板と、電子放出素子を備え、第１基板の一面に位置される電子放出ユニットと、第２基板の一面に位置される発光ユニットを含む。電子放出素子は互いに距離をおいて位置される第１電極と、第１電極の間で第１電極と平行に位置される第２電極と、第２電極に向かった第１電極の側面に位置される第１電子放出部を含む。第１電極と第２電極は第１基板の水平方向および垂直方向のうち、いずれか一方向に対して傾いて位置される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出素子から放出された電子の発散を抑制する構成を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさよりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低い電圧で、カソード電極からアノード電極に大量の電子を飛ばすことができ、効率良くＦＥＤを点灯できるＦＥＤ点灯装置を提供する。
【解決手段】真空密閉された空間内に、一方の表面に対向して配置された第１及び第２カソード電極２２，２３と他方の対向する表面に蛍光体が塗布された透過型アノード電極２１とを有し、第１及び第２カソード電極間に略対称の交流電圧を印加して電子を励起させるとともに、アノード電極に印加した第１直流電圧により電子を吸引して電子をアノード電極に衝突させてアノード電極を発光させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、均一に直立した針状突起生成物を有し、基板との密着性が高く、少ない工程で製造される、高性能の電界放出用電子源電極およびその製造方法ならびに電界放出用電子源電極素子を提供する。
【解決手段】 炭素材料からなり、ナノサイズの直径を持つ多数の針状突起生成物を直立した配列状態で形成してなる表面層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ電子源、ＣＮＴ電子源を製造する方法、及びＣＮＴパターン付きスカルプチャード基板を利用する太陽電池を開示する。
【解決手段】各実施形態は、ＣＮＴが、基板から直接成長することを可能にする金属基板を利用する。抑制剤が、金属基板からのＣＮＴの成長を抑制するために、金属基板に塗布され得る。この抑制剤は、任意のパターンで金属基板に正確に塗布することができ、それにより、ＣＮＴグルーピングの位置決めをより正確に制御することを可能にする。金属基板の表面粗さを変えて、各ＣＮＴグルーピング内のＣＮＴの密度を制御することができる。さらに、吸収体層及び受容体層をＣＮＴ電子源に施して、太陽電池を形成することができ、この太陽電池では、電位が、太陽光の露光に応じて受容体層と金属基板の間で発生可能である。 （もっと読む）

【課題】 高電子放出量、高電流密度の電子放出素子および電子放出装置を提供する。
【解決手段】 電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノ炭素材料複合体ペーストと、これを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体ペーストは、粒子に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料が形成されてなるナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と、溶剤と、を混合してなる。さらに詳しくは、ペースト組成として、バインダー材料と溶剤の重量比は、１：４〜１：９の範囲で、かつ、ナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と溶剤の総量の重量比は、１：１．５〜１：４の範囲である。 （もっと読む）

【課題】発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
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【課題】電子放出源形成用水系組成物及びこれを利用した電子放出源を提供する。
【解決手段】カーボン系化合物、ケイ酸化合物及び水を含む電子放出源形成用水系組成物である。これにより、電子放出源形成用水系組成物で所望のパターンを鮮明に形成させ、該組成物で製造した電子放出源は、残留炭素がほとんどないので、エミッションの性能及び寿命が向上する。 （もっと読む）

【課題】均一な電子ビームを放出でき、製造プロセスが容易な電子放出素子、該電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第１の層１０３を成膜する工程と、第１の層１０３上に、炭素を主成分とする第２の層１０４を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極基板上でカーボンナノチューブの起毛長さにばらつきがあっても、同等の電界電子放出特性の電界電子エミッタを提供可能とする。
【解決手段】複数本のカーボンナノチューブ５が起毛している電極基板１において、起毛長さが一定未満のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが短くなるほどカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数が多くなる比率で、また、一定の起毛長さ好ましくは１６μｍ以上のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが長くなってもカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数がほぼ一定の比率好ましくは１−６％でもって分布している電界電子エミッタ。 （もっと読む）

【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり安定した放電を行うことを可能にする。
【解決手段】水素を含む放電用ガス１２が封入された外囲器２と、外囲器内に設けられ、陰極支持体６、陰極支持体の表面に設けられたダイヤモンドの電子放出膜７、および陰極支持体に接するとともに電子放出膜に近接して設けられた水素含有膜８をそれぞれ有する一対の陰極５ａ、５ｂと、を備えている。 （もっと読む）

電子電界エミッタの放出を改善する新しい光画像形成型組成物が開示される。この組成物は、カーボンナノチューブおよび金属レジネートを含む。
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本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】より低い電界での電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、カソード電極１０２と、カソード電極１０２上に設けられた絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３上に設けられたダイポール層１０４と、を有する電子放出素子であって、ダイポール層１０４は、前記絶縁膜をＮＨ基で終端することにより形成されることを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数有することを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光体と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）