【課題】安定して均一な電界放出を行う冷陰極電子源を提供すること。
【解決手段】本冷陰極電子源は、電極の表面に電界電子放出が可能な電子放出層が形成された冷陰極電子源であって、上記電子放出層が、互いに絡み合った状態の炭素ナノ繊維素群を内部に含む基体部と、この基体部の表面から当該基体部内の炭素ナノ繊維素群の一部が基体部表面から突出してなる電子放出部とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の上に炭素系ナノ材料を低温で生成させるための触媒組成物、この触媒組成物を用いて生成させた炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びその作製方法、並びにこのカソード基板を用いた電子放出素子デバイス及びその作製方法の提供。
【解決手段】Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏから選ばれた少なくとも１種類の金属又はこれらの合金であって触媒として機能する第１金属と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれた少なくとも１種類の金属又はこれらの合金である第２金属と、窒素又は窒素化合物とを含む触媒組成物。この触媒組成物を用いて生成した炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びこの基板を用いた炭素系ナノ材料デバイス。 （もっと読む）

【課題】ベースへの所望の接着性および非常に良好な絶縁性を有する厚膜タイプの誘電体を提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、感光性組成物からなり、上記下側誘電体層の上に形成された上側誘電体層とを含む。上記下側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ１）と、上記上側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ２）と、上記主要ガラス粉末の焼成温度（Ｔ３）とが関係Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ３＋３０℃を満たす。 （もっと読む）

【課題】導電性マイエナイト化合物粉末を、バルクの導電性マイエナイト化合物上に形成した電界電子放出素子と、これを用いた電界電子放出装置はすでに存在したが、より密度エネルギー効率の高い電界電子放出素子および装置が求められていた。
【解決手段】１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３または１２ＳｒＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３の化学式で表されるマイエナイト型化合物のいずれかを５０モル％以上含有し、上記マイエナイト型化合物の構成酸素の一部が電子で置換されて１×１０^１８ｃｍ^−３以上の電子密度を示す、導電性マイエナイト型化合物粒子を０．０１〜５０質量％と、溶媒を５０〜９９．９９質量％を含有することを特徴とする、電界電子放出素子用インクを提供する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを用いた電子放出能の高い電子放出素子、特に低電界値であっても電子放出特性が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 上記課題は電極基材に取付けられたカーボンナノチューブの起毛部が複数の凸状に形成されていることを特徴とする電子放出素子によって解決される。
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【課題】 電子収束に優れたゲート電極と収束電極とが同一平面に形成されたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】 本発明のカソード基板は、基板上に形成されたカソード電極と、絶縁層と、エミッタと、２以上のゲートホールが形成されたゲート電極と、該ゲート電極と同一平面に形成された収束電極とを備えたカソード基板において、各ゲート電極は、他の２つのゲート電極とそれぞれの端部で接続され、収束電極は、該端部以外の各ゲート電極の周囲を包囲するように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線を発生させる装置において、発熱量を抑え、寿命を延ばす。
【解決手段】電子放出部であるエミッタ１３とターゲット１５を備えた除電装置において、粒径が２ｎｍ〜１００ｎｍのダイヤモンド粒子からなる薄膜がエミッタ１３の表面に形成されている。この薄膜は、ＸＲＤ測定においてダイヤモンドのＸＲＤパターンを有し、かつラマン分光測定を行った際に、膜中のｓｐ３結合成分とｓｐ２結合成分の比が、２．５〜２．７：１であることを特徴としている。直流電源１４から電圧がエミッタ１３に印加されると、しきい値電界強度が１Ｖ／μｍ以下で、エミッタか１３から従来よりも多数の電子が放出され、しかもエミッタ１３の温度も殆ど上昇せず、長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】導電性マイエナイト化合物粉末を、バルクの導電性マイエナイト化合物上に形成した電界電子放出素子と、これを用いた電界電子放出装置はすでに存在したが、より密度エネルギー効率の高い電界電子放出素子および装置が求められていた。
【解決手段】１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３または１２ＳｒＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３の化学式で表されるマイエナイト型化合物のいずれかを５０モル％以上含有し、上記マイエナイト化合物に少なくとも１モル％以上は［Ｃａ_２４Ａｌ_２８Ｏ_６４］^４＋（４ｅ⁻）もしくは［Ｓｒ_２４Ａｌ_２８Ｏ_６４］^４＋（４ｅ⁻）と表される導電性マイエナイト型化合物を含有する粒子が、基体面上に形成されており、該粒子の単位面積あたりの密度が、該粒子の断面の円換算径Ｒ［μｍ］に対して０．００１／Ｒ^２［個／μｍ^２］以上０．１５／Ｒ^２［個／μｍ^２］以下であることを特徴とする電界電子放出素子および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素系物質と、下記化学式（１）等で表されるシリコン系物質からなる群より選択される少なくとも１種のシリコン系物質を、硬化および熱処理した後の結果物と、を含む電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および該電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
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【課題】電子放出源形成用組成物、これから製造される電子放出源、および前記電子放出源を備える電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素系物質と、ビヒクルと、下記化学式（１）で表される繰り返し単位を含む重合体と、を含むことを特徴とする、電子放出源形成用組成物：


Ａ１は、単結合、または置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、Ｚ１およびＺ２は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、カルボキシル基、−ＮＲ１Ｒ２で表される基、スチレン系樹脂の一部、またはノボラック樹脂の一部であり、この際、前記Ｒ１および前記Ｒ２は互いに独立して、アリール基である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の変動が小さく安定な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体と、各々が前記基体の表面に対して実質的に垂直に配向した、複数の柱状の第１領域と、前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域と、前記複数の柱状の第１領域と前記第２領域とを覆う電子放出膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電子放出層の表面が凹凸を生じることなく基板全体で平坦化され、陽極と冷陰極の電子放出層との間の間隔を所定の間隔で一定に制御でき、かつ微細なパターンを作成できる電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板の一部を除去することにより電極層表面を露出させ、底面を電極層とし、かつ側面を絶縁性基板で囲まれた溝を形成する工程と、絶縁性基板と溝との表面全体に、電子放出部材を含むペーストを塗布し、熱処理が行われたペースト及び絶縁性基板を一体的に研磨して電子放出層を形成する工程と、を含む電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電界放出型バックライトユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板１１０と、下部基板１１０上に形成される複数のカソード電極１１２と、下部基板１１０及びカソード電極１１２上にライン形態に形成される複数の絶縁層１１４と、絶縁層１１４上に形成される複数のゲート電極１１６と、絶縁層１１４間のカソード電極１１２上に形成されるものであり、電子放出物質からなる少なくとも一つのエミッタ１３０と、を備える電界放出型バックライトユニット。 （もっと読む）

【課題】高真空を保持しながら容易に炭素ナノチューブ陰極を入れ替えることが可能な放射線管システムを提供すること。
【解決手段】真空空間を提供するハウジングと；ハウジングの内部に設置される陽極と；陽極に対応し、表面に炭素ナノチューブが成長されている炭素ナノチューブ基板と；炭素ナノチューブ基板に電圧を印加する陰極板と；炭素ナノチューブ基板と結合されハウジングに脱着自在に設置されるサンプルプローブと；炭素ナノチューブ基板から電子を円滑に抽出するためのグリッド電極と；グリッド電極をパスした電子を集束する電子集束レンズと；サンプルプローブの周りに複数設置されるフィードスルーと；ハウジング内部の真空状態を保持するためにハウジングの内部と外部を遮断させる真空バルブと；を含むことを特徴とする、マイクロ集束レベルの電子ビーム発生用炭素ナノチューブ基板分離型の放射線管システムが提供される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが均一に分散された高効率の電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。炭素繊維複合材料１は、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を４〜１６体積％含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層カーボンナノチューブが均一に分散された高効率の電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、多層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。炭素繊維複合材料１は、多層カーボンナノチューブ４０を８〜１６体積％含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 太陽光等の熱エネルギーを効率よく電気的エネルギーに変換が可能なエネルギー変換装置を提供する。
【解決手段】 エネルギー変換装置1は、真空容器2、電子放出電極3、電子加速電極4、電子加速電源5および電子収集電極6を備えている。電子収集電極6は、電子通過用貫通孔7aが設けられており電子放出電極3に近い放出電極側電極板7と、電子通過用貫通孔が設けられており電子加速電極4に近い加速電極側電極板とからなる。より多くの電子が加速電極側電極板8に収集されることを利用して、加速電極側電極板8を負極、放出電極側電極板7を正極とすることにより、電気エネルギーが取り出される。 （もっと読む）

【課題】被膜の密着力が強く，電界の印加で容易にカーボンナノチューブが剥れず，しかも酸化雰囲気中の熱処理温度でカーボンナノチューブが焼失しない電子放出源形成用組成物を実現する。
【解決手段】カーボンナノチューブと，ガラスフリットと，硼素と有機樹脂および有機溶剤とからなる電子放出源形成用組成物において，前記ガラスフリットを、鉛を主要成分として含まず，かつその軟化点が５００℃以下の物性を示すガラス組成物とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料自体の劣化の少ない構造・構成を有し、コンパクトで薄型かつ低コストな電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。これにより、基板上に良質の窒化ホウ素材料を得ることができる。また、同材料に電子を放出する際の電圧印加を行うことが可能となり、かつ、電子を供給することができる。また、窒化ホウ素材料１３としてＳｐ^３結合性窒化ホウ素を用い、さらには、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素として、Ｓｐ^３結合性５Ｈ−ＢＮ材料又はＳｐ^３結合性６Ｈ−ＢＮ材料を使用することにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】従来より低い電圧で電子放出が可能な電子放出源が、より低コストで得られるようにする。
【解決手段】電子放出源１０は、鉄（Ｆｅ）を主成分とした合金材料から構成された基板１１と、基板１１に設けられた複数の貫通孔１２と、基板１１の表面に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層１３とから構成されたものである。電子放出層１３は、基板１１に設けられた貫通孔１２の貫通孔壁１４にも形成されている。基板１１は、例えば、厚さ０．０５〜０．２０ｍｍに形成され、幅０．０５〜０．２ｍｍの方形の貫通孔１２がマトリクス状に設けられて格子状とされたものである。 （もっと読む）