【課題】電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。
【解決手段】陰極を形成する電極１３、及び層の形状の電子放出材料で形成された支持手段１４、電気絶縁層１１、及びグリッド電極１５を重ね合わせて含む三極管型陰極構造であり、電子放出材料で形成された手段１４は、グリッド電極内及び電気絶縁層内に形成される開口部１２の中心部に位置し、この開口部がスリットの形状であり、かつ電子放出材料で形成された手段は、スリットの縦軸に沿って一列に並べられる。 （もっと読む）

【課題】二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料、特には膜状に形成された二層カーボンナノチューブに富む炭素質材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料の製造方法は、減圧可能な容器内に配置された一対の電極間にアーク放電を発生させて該電極の少なくとも一方からカーボンを蒸発させて行う製造方法であって、該アーク放電の発生領域に近接する外側領域であって９００Ｋを下回らない温度領域内において前記一対の電極の少なくとも一方からの蒸発物を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及び電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、陰極と、電界放出ユニットと、絶縁層と、グリッド電極と、導電層と、を含む。前記絶縁層は、前記絶縁基板に配置され、前記絶縁層は、スルーホールと、第一端部と、第二端部と、を含む。前記第一端部は、前記絶縁基板に接触する。前記陰極は、前記絶縁基板の表面に配置される。前記電界放出ユニットは、前記陰極の前記絶縁基板と接触する表面とは反対側の表面に配置され、該陰極と電気的に接続される。前記グリッド電極は、前記絶縁層のスルーホールに被覆される。前記導電層は、前記絶縁層の前記第二端部に配置され、前記グリッド電極に電気的に接続され、且つ前記電界放出ユニットと電気的に絶縁される。 （もっと読む）

【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極１の表面に対向して距離Ｌ１を隔てて、電子引出し電極２が配置されている。カソード電極１及び電子引出し電極２には夫々、カソード貫通孔６、貫通孔７が穿設されている。ＣＮＴ含有炭素系粉材料からなる電子放出材料４がアノード電極３から見たときのカソード電極１の裏側の面にカソード貫通孔６に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極２とカソード電極１により生じた電界によって電子放出材料４から電子をアノード電極３に向けて放出させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カソードマスクとゲート電極との位置合わせが不要であり、外部からの衝撃に強い電界電子放出型の照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、「前記絶縁体、前記ゲート電極および前記カソードマスクは一体化されたゲート電極構造体を形成していること」から、照明装置の組み立てにおいて、カソードマスクとゲート電極との位置合わせをする必要がない。また、照明装置の組み立てにおいて、部材点数を抑制することが出来、組み立ての省力化を計れる。また、前記絶縁体は、前記ゲート電極および前記カソードマスクと接合されていることから、外部から衝撃を与えられても、カソードマスクとゲート電極の相対位置関係が歪むことがない。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑制することの出来る照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、電子偏向用電極を設けたことにより、電子偏向用電極に陰圧を付加することで、ゲート電極の開口部を通過した電子を偏向させ、電子放出の方向を変更することが出来る。このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部外に対応する部位であっても電子の衝突を発生させることが出来、発光ムラを抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 電子線発生の電流値を低くすることができる電子線放出装置を提供する。
【解決手段】 給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に５０ｋＶの直流電圧を印加し、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に１ｋＶの直流電圧を印加する。すると、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に印加した電圧によって電子が引き出され、グリッド電極３で絞られた電子は給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に印加した電圧によって加速せしめられて窓部１２のベリリウム箔１３を透過して外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができる電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、ゲート電極のカソード電極と対向する面側に絶縁体を形成し、絶縁体の厚さが、カソード電極とゲート電極間の距離よりも小さいことを特徴とする。これにより、カソード電極とゲート電極との間において、誘電率に偏りが生じることになり、カソード電極上の電子放出源の表面に電界を好適に集中させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】 電子線密度が高い電子放出体とこの電子放出体を組み込んだＸ線放射装置を提供する。
【解決手段】 炭素結晶の成長は最初は隆起部２２が徐々に大きくなり、次いで隆起部２２の先端から針状部２３が成長する。この針状部２３はグラフェンシートが斜めに多層に巻回され且つ内部は中空になっている。このようにして形成された炭素突起２１の軸は凹面１１の接線と略直交するため、多数の炭素突起２１の軸は凹面１１の焦点Ｆにて交わることになる。 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】基体２と、基体２上に設けた導電層３と、ダイヤモンド微粒子５に直接又は金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６を形成してなるナノ炭素材料複合体４と、を含み、ナノ炭素材料複合体４を、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みで、導電層３を介して基体２上に設ける。 （もっと読む）

【課題】制御電極の構造を簡単化でき、簡単な構造で電界放出電流の制御が可能な電界放出発光素子を提供する。
【解決手段】基板１上に制御電極２を形成し、制御電極２の全体を絶縁層３で被覆する。また、絶縁層３上にカーボンナノチューブを含む電子放出層４を配置し、電子放出層４に対向して電子放出層４からの放出電子により発光する発光層５を配置する。即ち、電子放出層４の下方に絶縁層３を挟んで制御電極２を配置することで制御電極２を平坦な簡単な構造とする。またカーボンナノチューブを網目状の膜とし、カーボンナノチューブ膜の下地に対する被覆率を１パーセント以下とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子に良好な均一性を有する電界を加えることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、アノード電極１１と、アノード電極１１と対向するように設置され、電界の印加により電子を放出する電子放出素子１６と、電子放出素子１６の上に設けられ、開口１４ａを備えるシャドウマスク１４と、アノード電極１１と、シャドウマスク１４との間に設置され、開口１３ａを備えるゲート電極１３と、を備える。ゲート電極１３の開口１３ａの半径をＲｇとし、シャドウマスク１４の開口１４ａの半径をＲｍとし、ゲート電極１３とシャドウマスク１４とが離間する距離をｈｇ、シャドウマスクの厚さをｈｍとすると、Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ及びｈｍは、１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７、１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０、ｈｍ／ｈｇ≦０．２を満たす。これにより、電子放出素子１６に良好な均一性を有する電界を加えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、アノードへの電子到達効率の高い電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、ゲート５を、該カソード６に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部９を有する凹凸形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供することである。
【解決手段】本発明は、フィールドエミッションデバイスであって、前記デバイスはカソードとアノードを備える。カソードは、懸濁液から複数のナノチューブをろ過することによって形成されるフィルタケーキから得られるカーボンナノチューブマットを備える。マットは、上面及び反対側の下面を備えることができる。下面は、マットが形成される間にフィルタに隣接して配設されるフィルタケーキ表面に対応する。上面は、カソードのエミッション面として働くことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、占有面積を増加を抑制しながら十分な抵抗値を有する抵抗層を備えた信頼性の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソード電極と、該カソード電極に電気的に接続された電子放出体と、該カソード電極と該電子放出体との間に設けられた抵抗層と、を少なくとも有する電子放出素子であって、前記抵抗層は前記電子放出体と同じ材料で構成されており、前記抵抗層の膜密度が前記電子放出体の膜密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 電子放出素子は、硼化ランタンの多結晶膜を備え、この多結晶膜を構成する結晶子のサイズが２．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）