【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】１．０Ｐａよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層６ａでカソード６を形成し、１．０Ｐａ以上２．８Ｐａ以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部８の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部９を形成して電子放出点を増やす。 （もっと読む）

【課題】本発明は電界放出陰極素子に関し、特にグリッドを備える電界放出陰極素子及び電界放出表示装置に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、陰極基板と、該陰極基板の表面に設置されたグリッドと、該グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置された第一絶縁層と、該第一絶縁層の、前記グリッドに隣接する表面とは反対の表面に設置された陰極電極と、前記陰極電極の表面に設置された電子放出層と、を含む。前記第一絶縁層は第一透過孔を有し、前記陰極電極は、第二透過孔を有する。前記第一透過孔は前記第二透過孔に対応して設置され、且つ相互に貫通しているので前記グリッドの表面の一部を露出させる。前記電子放出層は、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置される。また、本発明は前記電界放出陰極素子を利用した電界放出表示装置も提供する。 （もっと読む）

【課題】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した場合、カソードとの距離が縮まるため更にカソードからの電子放出量や電子それぞれの運動エネルギーが増加する。増加した電子放出量や電子の運動エネルギーによって、ゲートがさらに熱膨張するという正帰還が発生する場合があった。
【解決手段】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した際に、ゲートとカソードとの距離が離れる構造を備える電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】 高エミッション効率で低電圧駆動可能な電界放出型冷陰極を提供する。
【解決手段】 ガラス製の基板5上に形成された導電層4上に、絶縁層2およびゲート層1を堆積する。その後、前記ゲート層1の開口径を前記絶縁層2開口径よりも大きくなるようにエッチングする。開口部以外をマスク材7にて被覆し、噴霧等の手法によってカーボンナノチューブを堆積して、エミッタ層３を、絶縁層２の開口側面をも被覆するように、かつ、エミッタ層の任意の点から最も近接したゲート層開口端が絶縁層２によって遮蔽されるように、形成する。このとき、絶縁層２の開口側面の上部がエミッタ層（カーボンナノチューブ層）によって被覆されないようにする。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が１０^８Ω／□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さＬが、抵抗膜の電子移動度μと、第一、第二の配線に供給される電位Ｖ１、Ｖ２と、Ｖ１及びＶ２が供給されている時間ｔとしたとき、（μ（｜Ｖ１―Ｖ２｜）ｔ）^１／２以上であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】 モリブデンを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、前記電子放出膜の表面をＸ線光電子分光法により測定して得られるスペクトルにおいて、２２９±０．５ｅＶの範囲に第１のピークが存在し、且つ、２２８．１±０．３ｅＶの範囲にサブピークが存在することを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界放出装置が提供される。
【解決手段】本発明による電界放出装置は、第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるゲートラインを含むゲート電極、及び第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるカソードラインを含むカソード電極を含む第１基板、第１基板と対向してアノード電極を含む第２基板、及び第１基板と第２基板間のスペーサーを含む。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑えた電界放射型照明装置を提供する。
【解決手段】カソードマスクの開口部の中心とゲート電極の開口部の中心の平行方向の位置をずらすことにより、ゲート電極の開口部を通過する電子を偏向させ、電子軌道を傾けることができる。このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部以外に対応する部位であっても電子を衝突させることができ、発光ムラを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。
【解決手段】陰極を形成する電極１３、及び層の形状の電子放出材料で形成された支持手段１４、電気絶縁層１１、及びグリッド電極１５を重ね合わせて含む三極管型陰極構造であり、電子放出材料で形成された手段１４は、グリッド電極内及び電気絶縁層内に形成される開口部１２の中心部に位置し、この開口部がスリットの形状であり、かつ電子放出材料で形成された手段は、スリットの縦軸に沿って一列に並べられる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でアノードへの電子の到達効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に積層された絶縁部材３とゲート５を備え、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、カソード６は絶縁部材３の角部３２に沿って設けられた複数の突出部１６を有し、ゲート５がカソード側に向かって伸びる複数の突出部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極１の表面に対向して距離Ｌ１を隔てて、電子引出し電極２が配置されている。カソード電極１及び電子引出し電極２には夫々、カソード貫通孔６、貫通孔７が穿設されている。ＣＮＴ含有炭素系粉材料からなる電子放出材料４がアノード電極３から見たときのカソード電極１の裏側の面にカソード貫通孔６に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極２とカソード電極１により生じた電界によって電子放出材料４から電子をアノード電極３に向けて放出させる。 （もっと読む）

【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、ゲートの変形を防止して、電子放出特性の変動を低減し、素子の破壊を防止する。
【解決手段】ゲート５の膜厚ｈと、絶縁部材３の外表面から凹部７の内側面までの距離Ｌとの関係を適切に保つことにより、電子放出素子を動作させたときに生じるクーロン力によるゲート５の変形を抑制する。 （もっと読む）

【課題】新規な電子放出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出装置は、エミッタ3と、前記エミッタ3との間に電圧が印加される引き出し電極4と、前記エミッタ3の先端にレーザー光を照射するレーザー照射装置を有する。ここで、エミッタ3は、金、銀、銅、アルミニウムまたは白金からなることが好ましい。また、エミッタ3の先端直径は1〜400nmの範囲内にあることが好ましい。また、エミッタ3の先端と引き出し電極4の距離は10nm〜5mmの範囲内にあることが好ましい。また、印加される電圧は1mV〜1000Vの範囲内にあることが好ましい。また、パルスレーザーの強度尖頭値、または連続波レーザーの強度は1W/cm²〜10GW/cm²の範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程である程度の面積を一度に加工することが可能な冷陰極電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。溶媒を蒸発させてポリマーＢ中にポリマーＡを微粒子状に析出させて固定化し、現像液でポリマーＡを除去してエッチングホール９を形成し、エッチングを行なってゲート電極にホール６を形成する。さらにホール６からエッチングして絶縁層にもホールを形成し、ホール内にエミッタを形成して冷陰極電子源１０とする。 （もっと読む）

【課題】制御電極の構造を簡単化でき、簡単な構造で電界放出電流の制御が可能な電界放出発光素子を提供する。
【解決手段】基板１上に制御電極２を形成し、制御電極２の全体を絶縁層３で被覆する。また、絶縁層３上にカーボンナノチューブを含む電子放出層４を配置し、電子放出層４に対向して電子放出層４からの放出電子により発光する発光層５を配置する。即ち、電子放出層４の下方に絶縁層３を挟んで制御電極２を配置することで制御電極２を平坦な簡単な構造とする。またカーボンナノチューブを網目状の膜とし、カーボンナノチューブ膜の下地に対する被覆率を１パーセント以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、アノードへの電子到達効率の高い電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、ゲート５を、該カソード６に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部９を有する凹凸形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極２０、絶縁膜３０及びゲート電極４０を積層するステップと、絶縁膜３０及びゲート電極４０を貫通するホール５０を形成してカソード電極２０の電子放出面２０ａを露出させるステップと、電子放出面２０ａ上に炭素繊維１００を成長させながら、炭素繊維１００とゲート電極４０との接触によるカソード電極２０とゲート電極４０間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極４０と接触する炭素繊維１００を切断するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】積層型の電子放出素子を備えた電子線装置において、電子放出効率の向上を図る。
【解決手段】表面に凹部７を有する絶縁部材３と、絶縁部材３の側面と凹部７の内表面に跨って位置するカソード６と、該カソード６と対向するゲート５と該ゲート５上に形成された突出部８を備え、凹部７内に位置するカソード６の低電位面が凹部７の入り口から奥に向かってゲート５側に傾斜している構成とする。 （もっと読む）