【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子放出可能電圧を低電圧化し、消費電力の低減と長時間動作の安定化と可能にする電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。よって、電子放出素子１における電流路の形成が容易になり、従来の電子放出素子に比べて低電圧での電子放出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、占有面積を増加を抑制しながら十分な抵抗値を有する抵抗層を備えた信頼性の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソード電極と、該カソード電極に電気的に接続された電子放出体と、該カソード電極と該電子放出体との間に設けられた抵抗層と、を少なくとも有する電子放出素子であって、前記抵抗層は前記電子放出体と同じ材料で構成されており、前記抵抗層の膜密度が前記電子放出体の膜密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】エミッタ数を増やした場合においてもマトリックス動作時の線欠陥を防止できるマトリックス型冷陰極電子源装置を提供する。
【解決手段】エミッタアドレス電極上に形成された電子を放出するためのエミッタが複数配列されたエミッタアレイと前記エミッタアレイに対向するように配置されたゲート電極とから成るマトリックス型冷陰極電子源装置において、前記ゲート電極は、ゲート信号配線に接続するためのゲートアドレス電極と前記エミッタアレイに対向する位置に配置されたエミッタ領域ゲート電極を有し、前記ゲートアドレス電極と前記エミッタ領域ゲート電極との間に高抵抗領域を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 （もっと読む）

【課題】発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】アーキング及びチャージング保護膜組成物、及びそれから形成されたアーキング及びチャージング保護膜を備えた電界放出素子を提供する。
【解決手段】無機酸化物５０ないし９０ｗｔ％、有機ビヒクル５ないし３０ｗｔ％、及びガラスフリット１ないし４５ｗｔ％を含むアーキング及びチャージング保護膜組成物である。本発明によるアーキング及びチャージング保護膜組成物を利用した電界放出素子のアーキング及びチャージング保護膜は、優れた接着力を有しており振動や真空中でも安定しており、電界放出素子の均一性及び安定性を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】電極配置領域の端部での電界集中を緩和して蛍光面端部での異常発光を防止し、かつ、電子放出層の放出電子に基づく絶縁基板表面のチャージアップを防止して電極や蛍光体に対するダメージを防止可能とする。
【解決手段】絶縁基板６に電界電子放出する電子放出層１８を備えたカソード電極１４を配置した冷陰極電子源２０において、絶縁基板６の表面に高抵抗膜２２を設け、この高抵抗膜２２により、電極配置領域１２端部での電界集中を緩和すると共に電子放出層１８の放出電子に基づく絶縁基板６表面のチャージアップを防止して電極や蛍光体に対するダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の変動が小さく安定な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体と、各々が前記基体の表面に対して実質的に垂直に配向した、複数の柱状の第１領域と、前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域と、前記複数の柱状の第１領域と前記第２領域とを覆う電子放出膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子を均一に放出することができ、製造工程が簡単であり低コストで製造することの可能な電子放出素子と、この電子放出素子を備えて画素間の均一度を向上させることの可能なディスプレイ装置および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０上に配置されたカソード電極１２０および電子放出源と、カソード電極１２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極１４０と、カソード電極１２０とゲート電極１４０との間に配置され、カソード電極１２０とゲート電極１４０とを絶縁する絶縁体層１３０と、カソード電極１２０に接するように配置され、半導体カーボンナノチューブを含む抵抗層１２５と、を備える電子放出素子１０１である。 （もっと読む）

【課題】放電電流を持続させることなく速やかに且つ確実に消弧する電極構造を実現し、該電極構造を備えた電子源及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】素子電極２，３と走査配線６，信号配線４との接続領域において素子電極幅を部分的に細く形成し、走査配線６と信号配線４との絶縁を図る絶縁層５を延長して、上記素子電極２，３の幅の細い部分を覆う。 （もっと読む）

【課題】画素別の電子放出均一度を向上させることができる電子放出素子、この電子放出素子を含む電子放出表示装置およびこの電子放出表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、カソード電極１４と；カソード電極１４と絶縁されて位置するゲート電極２８と；電子放出部２０と；カソード電極１４と電子放出部２０とに電気的に連結される抵抗層２２とを含み、抵抗層２２は、金属酸化物または金属窒化物から形成される電子放出素子１０４を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による電子放出デバイスは，基板２と，基板２上に形成される主電極６ａと補助電極６ｂとを含むカソード電極６と，補助電極６ｂ上に形成される抵抗層１４と，抵抗層１４と連結する電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる第１開口部８ａを備え，基板２上に形成される絶縁層８と，第１開口部８ａに対応する第２開口部１０ａを備え，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み，抵抗層１４はその厚さ方向に沿って変化する比抵抗値を有する。抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 （もっと読む）

【課題】抵抗層を設計通りの抵抗値で安定化させることができる微小電子源装置の製造方法、及び抵抗層と帯電防止層を設計通りの抵抗値で安定化させることができるカソードパネルの製造方法を提供し、電子放出の均一化及び長寿命化を図ることのできる微小電子源装置及びカソードパネルを提供する。
【解決手段】表面にカーボンナノチューブの一端を突出させた微小電子源層１２を備える微小電子源装置の製造方法において、カソード電極１１と微小電子源層１２との間に炭化珪素及び／または窒素含有炭化珪素からなる抵抗層Ｉ_１ａを形成する工程と、前記抵抗層Ｉ_１ａを構成する炭化珪素及び／または窒素含有炭化珪素を相変化させて結晶質の抵抗層Ｉ_１ｃとする熱処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】均一な電界放出特性を有する電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する。上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。 （もっと読む）

【課題】 表面伝導型の電子放出素子を用いてなる電子源において、高抵抗膜を用いて素子部の帯電防止を図ると同時に、該高抵抗膜の存在により発生するリーク電流を防止する。
【解決手段】 導電性膜４を形成後、該導電性膜４とその周囲を除く領域に高抵抗膜７を形成し、フォーミング処理を施して導電性膜４に亀裂５を形成した後、炭素化合物含有雰囲気下において素子電極２，３間に電圧を印加することにより、亀裂５内及び亀裂５の端部から高抵抗膜７に渡るカーボン膜６を堆積させる。 （もっと読む）

本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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