【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が大きくリーク電流が小さな高誘電体薄膜の上下面に上部電極および下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】下部電極上に、一般式（１）
Ｍ^１（ＮＲ^１）（ＯＲ^２）_３ （１）
（式中、Ｍ^１はタンタル原子またはニオブ原子を示し、Ｒ^１はイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基を示し、Ｒ^２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）で表されるイミド錯体およびアルミニウム錯体を原料として、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法によって、タンタル酸化物および／またはニオブ酸化物ならびにアルミニウム酸化物の積層膜または混合膜からなる薄膜を形成させ、当該薄膜上に上部電極を形成させ、高誘電体薄膜コンデンサとする。 （もっと読む）

【課題】優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供する。
【解決手段】好適な実施形態の電子部品1は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部１０及び外層部２０を有し、内層部１０は、その全表面を外層部２０に覆われており、且つ、外層部２０よりも熱膨張係数が大きい。内層部１０には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにフォルステライトがフィラーとして含まれており、外層部２０には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにアルミナがフィラーとして含まれており、これにより熱膨張係数が調整されている。 （もっと読む）

【課題】コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制する。
【解決手段】コンデンサＣは、積層体１４に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより構成されている。コイルＬ１，Ｌ２は、積層体１６に内蔵され、かつ、コンデンサＣと共にノイズフィルタを構成している。積層体１６において、コンデンサＣと積層体１６とに挟まれている絶縁層３３ａ〜３３ｃは、コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆに挟まれている絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率を有している。 （もっと読む）

【解決手段】多層式電気部品は、交互に積層された複数のセラミック層（２）と複数の電極層（３）とを有する単一の基体（１）を備える。基体（１）は、互いに対向する２つの端面（４，４’）と、互いに対向する２つの側面（５，５’）とを備える。多層式電気部品は、複数の外部電極（６，６’）と、電極層（３）に配置された複数の内部電極（７，８，９）とを備え、複数の内部電極（７，８，９）が、少なくとも部分的に重なり合って重複領域を形成している。内部電極（７，８，９）のそれぞれは、外部電極（６，６’）に割り振られている。端面（４，４’）の一方から延びる少なくとも１つの第１内部電極（７）は、端面（４，４’）の他方から延びる少なくとも１つの第２内部電極（８）と重なっている。側面（５，５’）の１つから延びる少なくとも１つの第３内部電極（９）が第１内部電極（７）及び第２内部電極（８）に重なっている。 （もっと読む）

【課題】電極材料との接着力が大きく、且つ膜強度が大きい誘電体組成物を構成するコア−シェル構造粒子、これを用いた組成物、誘電体組成物及びキャパシタを提供する。
【解決手段】ペロブスカイト系結晶構造を有する高誘電率無機粒子を含有するコアと、（ａ）重合性基を有する樹脂を含有するシェルを有するコア−シェル構造粒子であって、シェルの平均厚さが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコア−シェル構造粒子。 （もっと読む）

【課題】 絶縁特性およびリーク電流特性の劣化を防止する効果が充分に得られる薄膜ＭＩＭキャパシタを提案するとともに、その薄膜ＭＩＭキャパシタを製造する方法を提案する。
【解決手段】 薄膜ＭＩＭキャパシタ１は、基板２の上に下部電極３、卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６が順次積層されている。卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６は略同じ面積に形成されており、下部電極３は外部との接続部分を形成するために他の薄膜と異なる形状となっている。卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。 （もっと読む）

少なくとも１つの誘導領域１と少なくとも１つの容量領域２とを含む多層構成要素が明記される。誘導領域１はフェライトセラミックを含み、電極構造体３は誘導領域１の、外側に向く頂部に配置される。電極構造体３はインダクタンス５を有する少なくとも１つのコイル構造体４を形成する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が大きくリーク電流が小さな酸化ニオブ薄膜および／または酸化タンタル薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】下部電極上に、一般式（１）
Ｍ^１（ＮＲ^１）（ＯＲ^２）_３ （１）
（式中、Ｍ^１はタンタル原子又はニオブ原子を示し、Ｒ^１はイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を示し、Ｒ^２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）で表されるイミド錯体を原料として、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によって薄膜を形成させ、当該薄膜上に上部電極を形成させ、高誘電体薄膜コンデンサとする。 （もっと読む）

【課題】高周波数での力率改善性能が最適なキャパシタを装備した、電力伝送性能が良好な電力伝送装置、電力伝送装置の送電装置、電力伝送装置の受電装置、高周波電力回路用キャパシタの性能評価方法および性能評価装置を提供する。
【解決手段】直流電力を交流電力に変換する交流電源１３と送電コイルと１を少なくとも含む送電部１０と、負荷２１と受電コイル２とを少なくとも含む受電部２０とから成る電力伝送装置１００において、力率改善用キャパシタの誘電吸収をＫとすると、Ｋが１％以下の条件を満足するキャパシタを、送電コイル１と交流電源１３との間、受電コイル２と負荷２１との間、の少なくとも一方に直列に装備し、１０ｋＨｚ以上の周波数で電力を伝送する。 （もっと読む）

【課題】外部電極に端子電極がめっき形成されるときに、多孔質素体の表面へのめっき付着を十分に抑止でき、製品の信頼性低下を防止することが可能な積層電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層電子部品１は、セラミックスからなり複数の空孔を有する多孔質素体２と、多孔質素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有するＰＴＣサーミスタであり、多孔質素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。内部電極２には、外部電極５，５が接続されており、更にその上に端子電極７，７がめっきにより形成されている。多孔質素体２の複数の空孔には、付加重合型の樹脂が充填されている。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れたセラミック多層部品を提供する。
【解決手段】ガラス及び無機フィラーを含有する絶縁体部１１０と、絶縁体部１１０内に配設された複数の電極層１２０と、を備えるセラミック多層部品１００において、絶縁体部１１０は、電極層１２０に挟まれ且つ電極層１２０に挟まれた厚さが４５μｍ以下である近接電極間絶縁体部１３０と、電極層に挟まれ且つ電極層に挟まれた厚さが４５μｍを超えるか又は電極層に挟まれていない非近接電極間絶縁体部と、を有し、近接電極間絶縁体部１３０に含まれたポア１５０は、長径Ｒが７．５μｍ以下であり、且つ短径ｒに対する長径Ｒの比（Ｒ／ｒ）がＲ／ｒ≦１．４であり、非近接電極間絶縁体部に含まれたポアは、短径ｒに対する長径Ｒの比（Ｒ／ｒ）が１．０≦Ｒ／ｒ<３．０である。 （もっと読む）

【課題】ＣａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体磁器を用い、内部電極としてＣｕを用いた積層セラミックコンデンサの寿命特性を改善する誘電体器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｃａ_ｘＺｒＯ_３＋ａＭｎ＋ｂＬｉ＋ｃＢ＋ｄＳｉで表され、Ｃａ_ｘＺｒＯ_３（但し、１．００≦ｘ≦１．１０）１００ｍｏｌに対して、０．５≦ａ≦４．０ｍｏｌ、６．０≦（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１５．０ｍｏｌを含有し、０．１５≦（ｂ／（ｃ＋ｄ））≦０．５５、０．２０≦（ｄ／ｃ）≦３．３０であることを特徴とする誘電体磁器である。また、それを用いた積層セラミックコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタの下部電極に凹凸を形成する工程において、真空装置の加熱工程を必要としないようにする。
【解決手段】基材101上に、密着層102a、窒化チタン膜102bからなる下部電極102を形成する〔(b)図〕。下部電極102上に酸化物薄膜形成剤103aを塗布する〔(c)図〕。塗布された酸化物薄膜形成剤103aを焼成して酸化物薄膜103を形成する〔(d)図〕。このとき、下部電極102の表面に凹凸が形成される。酸化物薄膜103上に上部電極106を形成する〔(e)図〕。 （もっと読む）

【課題】Ｌａ_２Ｏ_３の強い吸湿性を改善し、高い耐湿性及び安定性を有する半導体装置及びコンデンサを提供する。
【解決手段】高誘電率絶縁膜１２が（Ｌａ_１−ｘＭ_ｘ）_２Ｏ_３（０＜ｘ≦０．３、ＭはＳｃ、Ｙ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂの群から選ばれる１又は２以上の金属）で表記される組成からなることにより、吸湿性が改善し、安定性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は多孔性誘電材料の誘電特性をレストアする方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この方法は基材を提供することを含み、該基材は多孔性誘電材料の少なくとも一の層を含み、該誘電材料は混入物質を含み、該混入物質は表面張力を有する少なくとも一の取り込まれた液体を含み、ここでその少なくとも一の混入物質を含む多孔性誘電材料は第一の誘電率を有する。該基材は表面張力を有する少なくとも一の化合物と水を含むレストア流体と接触させられ、該表面張力は多孔性誘電材料の少なくとも一の層において少なくとも一の取り込まれた液体の表面張力よりも低い。乾燥の間に、該多孔性誘電材料は第二の誘電率を有し、該誘電率は第一の誘電率より低く、そして該レストア流体の全ての構成要素が乾燥の間に除去される。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、高い圧電特性及び誘電特性を有し、特に圧電ｄ₃₁定数、比誘電率、誘電損失、及びキュリー温度Ｔｃのいずれか一つ以上に優れた圧電磁器組成物及びその製造方法、並びに該圧電磁器組成物を利用した圧電素子を提供すること。
【解決手段】一般式｛Ｌｉ_x（Ｋ_1-yＮａ_y）_1-x｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）_bＯ₃で表され、かつｘ、ｙ、ｚ、ｗ，ａ，ｂがそれぞれ０＜ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦１、０＜ｚ≦０．４、０＜ｗ≦０．２の組成範囲にある化合物を主成分とする圧電磁器組成物である。該圧電磁器組成物は、Ａｇを添加元素として含有してなる。そして上記添加物の含有量は、上記一般式で表される化合物１ｍｏｌに対して、０．００１ｍｏｌ〜０．１５ｍｏｌである。 （もっと読む）

【課題】高容量キャパシタ素子を配線回路板内に収率良く形成すること。
【解決手段】平滑性に優れた剥離層４１上に誘電体層５２を形成した積層体４０を作成する。次に、キャパシタ素子２０の第一電極２３が少なくとも形成された絶縁基板１１上に、この積層体４０を剥離層４１が上側になるように配置し、第一電極２３と誘電体層５２とを流動性のある絶縁樹脂シート６０を介して貼り合せる。さらに、剥離層４１を剥離し、誘電体層５２をパターニングした後、誘電体層５２上に第二電極２４を形成し、キャパシタ素子２０を内蔵する配線回路板１００を得る。 （もっと読む）

【課題】 セラミック層と内部回路層とが交互に積層されたセラミック積層体の製造方法に関するものである。
【解決手段】セラミック層１０とその上面全体を覆う内部回路層２、３とからなる単位ユニット層１１を、接着層５を介して繰り返し積層してなるセラミック積層体１の製造方法において、内部回路層２、３は、セラミック層１０の表面に印刷形成された略同一膜厚の複数の印刷層からなり、隣り合う印刷層の境界部において、該印刷層の端縁の少なくとも一部が重なることにより、内部回路層全体の膜厚が均一になるように順に印刷、乾燥し、単位ユニット層１１を形成する工程と、得られた単位ユニット層１１の表面に接着層５を印刷形成し、単位ユニット層１１同士を接着させてセラミック積層成形体１Ｇとする工程と、セラミック積層成形体１Ｇを脱脂、焼成して上記セラミック積層体１を得る工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、かつマイクロ波帯でのＱ値が高い、誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】たとえば、多層セラミック基板１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミック組成物であって、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して２５〜５５重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ_３に換算して２０〜５０重量％、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して１１〜２５重量％、Ｃａ成分および／またはＺｒ成分を、Ｃａ成分についてはＣａＣＯ_３に換算して、およびＺｒ成分についてはＺｒＯ_２に換算して、０．３〜３重量％、ならびに、Ｍｎ成分をＭｎＣＯ_３に換算して５〜２０重量％含み、かつＣｒを実質的に含まない。 （もっと読む）