【課題】セラミック誘電体層の薄層化および多積層化を図るために微粒子の誘電体粉末を用いても高容量化できる積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。
【解決手段】セラミック誘電体層７および内部電極層９が交互に複数積層された有効部１ａと該有効部１ａの積層方向の上下面に形成された前記セラミック誘電体層７からなる保護層１ｂにより構成されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の両端部に形成された外部電極３とを具備してなる積層セラミックコンデンサにおいて、前記保護層１ｂのセラミック誘電体層７を形成する結晶粒子１１の平均粒径が前記有効部１ａのセラミック誘電体層７を形成する結晶粒子１１の平均粒径よりも小さく、かつ前記コンデンサ本体１は、前記外部電極の対向する磁器に垂直な方向の側面が凹状に湾曲し、残留圧縮応力が２５０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】非酸化性雰囲気中の焼成条件において、耐還元性が高く、しかも比誘電率や誘電損失の温度特性が平坦であり、絶縁抵抗が高く、ＤＣバイアス依存性が安定した誘電体磁器を提供する。
【解決手段】ジルコン酸ストロンチウム系結晶とジルコン酸バリウム系結晶とジルコン酸カルシウム系結晶とを主結晶相とし、Ｍｎを含有する焼結体からなり、前記ジルコン酸ストロンチウム系結晶の平均結晶粒径をＤＳＺ、前記ジルコン酸バリウム系結晶の平均結晶粒径をＤＢＺ、前記ジルコン酸カルシウム系結晶の平均結晶粒径をＤＣＺ、としたときに、平均結晶粒径比ＤＢＺ／ＤＳＺおよびＤＢＺ／ＤＣＺがともに０．３〜０．７の範囲である。 （もっと読む）

【課題】温度補償用のコンデンサに採用可能な高誘電率の誘電体磁器を提供する。
【解決手段】Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＴｉおよびＺｒをそれぞれ酸化物として含有する主結晶粒子により形成された誘電体磁器であって、前記Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＴｉおよびＺｒが、Ｂａ＝０．４５〜１．０１、Ｓｒ＝０〜０．５、Ｃａ＝０〜０．０５、Ｔｉ＝０．４〜０．６、Ｚｒ＝０．４〜０．６のモル比であるとともに、ＴｉおよびＺｒの合量モル数を１としたときに、Ｂａ、ＳｒおよびＣａの合量のモル数ｍが０．９９５〜１．０１の範囲であり、かつ、Ｚｒ／Ｔｉ比がモル比で０．６〜１．５の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられる誘電体磁器組成物において、誘電体層を薄層化した場合においても、高い誘電率を有し、かつ、ショート不良率の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 組成式｛（Ｂａ_{（１−ｘ−ｙ）} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｚ）} Ｚｒ_ｚ ）_Ｂ Ｏ_２ で表され、前記組成式中のＡ，Ｂ，ｘ，ｙおよびｚが、０．９９０≦Ａ／Ｂ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦１．０の関係にある誘電体酸化物を含む主成分を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記主成分の原料として、前記主成分組成を有する粒子の表面に、Ｓｉの酸化物、Ｍｇの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物およびＳｒの酸化物から選択される１種または２種以上を、固溶させた原料粉末を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられる誘電体磁器組成物において、誘電体層を薄層化した場合においても、高い誘電率を有し、しかも、ショート不良率の低減された誘電体磁器組成物を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】 組成式（Ｂａ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_３ で表され、前記組成式中のｍ、ｘ、およびｙが、０．９９５≦ｍ≦１．０２０、０≦ｘ≦０．１５、０≦ｙ≦１．００の関係にある誘電体酸化物を含む主成分と、前記主成分以外の添加副成分と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記主成分の原料粉末と、前記添加副成分の原料粉末と、を混合し、誘電体原料を得る工程と、前記誘電体原料を焼成する工程と、を有し、前記添加副成分の原料粉末の少なくとも一部として、［微細原料粉末の比表面積］／［主成分原料粉末の比表面積］≧３の関係を満たす比表面積を有する微細原料粉末を、用いることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とその下層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極構造を提供する。
【解決手段】誘電体膜キャパシタ２０は、開口部２２ａを有し、白金を含む材料からなる下部電極２２と、下部電極２２の上方に設けられた、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する酸化物を含む誘電体膜２４と、誘電体膜２４の上方に設けられた上部電極２６と、を含む。誘電体膜２４の形成領域の面積に対する、下部電極２２の平面面積の割合が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能な誘電体磁器組成物、及びそれを用いて作製される電子部品を提供する。
【解決手段】 （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ_２Ｏ_３ ６〜１５部、ＳｉＯ_２ １〜５部、ＺｎＯ １〜５部、ＭｇＯ ０〜３部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部（Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部をＬｉ_２Ｏ ０．０８〜２．０質量部で置換してよい）を添加した誘電体磁器組成物、それを用いて作製される電子部品。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明の実施形態によると、平行板の間に配置されたバルク単結晶誘電体素材、若しくは単結晶膜誘電体素材を有する平行板コンデンサが提供され、また１若しくはそれ以上の単結晶誘電体、若しくは単結晶フィルム誘電体を有し、当該誘電体の各々が２つの電極間に配置されたコンデンサが提供される。これらのコンデンサを組み込んだエネルギー蓄積装置もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】 静電容量の温度特性を示すＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規格）をいずれも満足することができ、且つ、静電容量および絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、絶縁破壊耐力に優れ、内部電極層としてＮｉまたはＮｉ合金が使用可能な積層コンデンサなどの電子部品と、その電子部品の誘電体層として用いて好適な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。
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【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分とするガラスで構成されており、前記ガラス中の各含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルである焼結助剤を、前記主成分１００モルに対して１〜７モル（但し１モルと７モルを除く）添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分として含み、前記主成分中の含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルであるガラス材料と、ＭｇＯを主成分とする非ガラス材料とを、有する焼結助剤を、該焼結助剤中の各成分が以下に示す量となるように添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．７〜８モル（但し０．７モルと８モルを除く）、
非ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．１〜４モル（但し０．１モルと４モルを除く）。
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【課題】ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】ゾル−ゲル法による酸化物誘電層の形成方法において、以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とする酸化物誘電層の形成方法等を採用する。（ａ）工程：所望の酸化物誘電層を製造するゾル−ゲル溶液調製のための溶液調製工程。（ｂ）工程：前記ゾル−ゲル溶液を金属基材の表面に塗工し、酸素含有雰囲気中で乾燥し、酸素含有雰囲気中で熱分解を行う一連の工程を１単位工程とし、この１単位工程を複数回繰り返し、１単位工程と１単位工程との間に任意に５５０℃〜１０００℃の不活性ガス置換等の予備焼成処理を設けて膜厚調整を行う塗工工程。（ｃ）工程：最終的に５５０℃〜１０００℃の不活性ガス置換等の焼成処理を行い誘電層とする焼成工程。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成することができ、焼成してもシェル部の厚さが均一なコアシェル構造の粉末を得ることを可能とする粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の元素の原料を含む液体中で粒子を合成する粉末の製造方法において、合成過程で前記液体の組成が連続的又は断続的に変化するように、前記粒子の成分として取り込まれる組成物を前記液体に添加して、少なくとも粒子の内部と表面の組成が異なる粒子２１，２４，２７，３１を得る寿命が長い積層セラミックコンデンサを提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体用ガラスフリット、誘電体セラミック組成物、積層セラミックキャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体用ガラスフリットであって、ａＳｉＯ_２‐ｂＢ_２Ｏ_３‐ｃＬｉ_２Ｏ‐ｄＫ_２Ｏ‐ｅＣａＯ‐ｆＡｌ_２Ｏ_３‐ｇＴｉＯ_２‐ｈＺｒＯ_２から組成され、上記ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００で、上記２０≦ａ≦３５、２０≦ｂ≦３５、２０≦ｃ≦３０、３≦ｄ≦５、２≦ｅ≦１２、２≦ｆ≦１０、１≦ｇ≦１２、１≦ｈ≦７を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物を、組成式ｘＢａＯ−ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．１２≦ｚ≦０．２０、０．３０≦ｗ≦０．３８で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含ませた。 （もっと読む）

ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。いくつかの実施態様では、ナノロッド、ナノチューブ、ナノリボンなどのような他のナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。人工誘電体は、誘電体材料内に埋め込まれた複数のナノワイヤー（または他のナノ構造）を有する誘電体材料を含む。ナノ構造を使用した人工誘電体によって、非常に高い誘電率を達成することができる。ナノ構造の長さ、直径、キャリア密度、形状、アスペクト比、配向性、および密度を変化させることによって、誘電率を調整することができる。加えて、制御可能な人工誘電体に電界を印加することによって、誘電率を動的に調整することができる、ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した制御可能な人工誘電体を開示する。様々な電子デバイスが、ナノ構造を有する人工誘電体を使用して性能を向上させることができる。
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【課題】多結晶誘電体層の形成方法と前記誘電体層を用いた半導体デバイスの提供。
【解決手段】多結晶誘電体層２０は、酸化物または窒化物を含む第１の誘電体材料と前記誘電体層の重量の１重量％未満の第２の材料より形成される。第１の誘電体材料の粒子２１境界に沿った漏洩電流が低減するように、前記第１の誘電体材料のエンタルピーより低いエンタルピーを有する非導電性の酸化物または窒化物を形成する第２の材料を含み、第１の誘電体材料の粒子境界に配置される。 （もっと読む）

【課題】ラミネートのｚ軸において、独特に、または擬似対称配置で構成された３つ以上の異なる誘電性テープケミストリーの前駆体グリーン（焼成されていない）ラミネートから、平坦でゆがみのない、ゼロ収縮の低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のボディ、コンポジット、モジュールまたはパッケージを作製する方法を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック構造体は、１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープと、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープと、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる。 （もっと読む）

【課題】 静電容量の増大を図りつつ、誘電体層と下部電極との密着性の向上が図られたキャパシタ及びその製法、それを用いたフィルタ、それに用いる誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係るキャパシタ１０は、下部電極１４Ａと、下部電極１４Ａに成膜されたＳｉＯ_２層２０とＳｉＯ_２層２０上に成膜されたＳｉＯＮ層２１とＳｉＯＮ層２１上に成膜されたＳｉ_３Ｎ_４層２２とを有する誘電体層１６と、誘電体層１６上に形成された上部電極１４Ｂとを備えることを特徴とする。このように下部電極１４ＡとＳｉ_３Ｎ_４層２２との間にＳｉＯ_２層２０を介在させると、従来キャパシタのように下部電極１４Ａに直接Ｓｉ_３Ｎ_４層２２を成膜した場合に比べ、下部電極１４ＡとＳｉ_３Ｎ_４層２２とが堅固に密着する。さらに、ＳｉＯ_２層２０とＳｉ_３Ｎ_４層２２との間にＳｉＯＮ層２１を介在させると、ＳｉＯ_２層２０とＳｉ_３Ｎ_４層２２とが堅固に密着する。 （もっと読む）