【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】記録時の書き込み能力を維持しつつ、垂直磁気記録録層の垂直配向性を向上させることができ、また、垂直配向性の向上と磁性結晶粒子の粒径の均一化及び微細化を両立させることができ、情報の高密度記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層２、配向制御層３、磁気記録層４および保護層５を具備し、このうち配向制御層３は、シード層６および中間層７によって構成されている。シード層６は、Ｃｕを主成分とし、面心立方構造を有するＣｕ−Ｔｉ合金を主材料とする。そして、このＣｕ−Ｔｉ合金は、非磁性基板１の表面に対して略垂直方向に（１１１）結晶面配向するとともに擬似六方晶構造を有している。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉを得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。基板温度を１０℃から４００℃の範囲の適当な温度に保持した状態で、該酸化膜２の表面にＦｅ３とＳｉ４とをほぼ３：１の蒸着速度比で同時蒸着させる。室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー磁気記録層の耐食性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の上にＮｉTa密着層２、軟磁性層３、Ｔａ中間層４、Ｒｕ中間層５、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６を形成した後、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６の表面を水素（Ｈ_２）プラズマ処理する。その後、ＤＬＣ保護膜層７を形成し、潤滑層８を塗布する。 （もっと読む）

【課題】 生成速度の向上と均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 フェライト形成面を下方向から横方向にの範囲に保持し、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液および、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる機構によって、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子を効率的に除去して生成速度を向上させ、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造する。 （もっと読む）