方法は、電極材料及び、その電極材料上にセラミックス材料を有するキャパシタ構造を作製する工程及び、セラミックス材料の点欠陥によって、セラミックス材料が、電極材料を酸化することなく絶縁性となるような条件で、セラミックス材料を焼成する工程を有する。方法は、導電性ホイルにセラミックス材料を堆積する工程及び、減圧下でかつ、セラミックス材料の伝導性の増大に対応する準位への点欠陥の遷移の移動度を最小にする温度でセラミックス材料を焼成する工程を有する。装置は、第1電極、第2電極及び、第1電極と第2電極との間に設けられたセラミックス材料を有する。ここで、セラミックス材料は、1μm未満の厚さ及び、移動する点欠陥濃度が最適化されている熱力学的状態に対応する漏れ電流を有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率で超薄膜化が可能なポリマーセラミックコンポジット材料を提供すること。
【解決手段】高誘電率フィラーを樹脂中に分散してなる２５０ｐＦ／ｍｍ^２以上、特に１，０００ｐＦ／ｍｍ^２以上の容量密度を有するキャパシタ用ポリマーセラミックコンポジット材料であって、好ましくは上記高誘電率フィラーの表面の少なくとも一部がデンドリティック構造の化合物で被覆されているキャパシタ用ポリマーセラミックコンポジット材料。上記フィラーはモノモーダル又はマルチモーダル構成である。 （もっと読む）

【課題】 シート抵抗を低減し、デカップリング機能を最大限に引き出すことのできる低ＥＳＲの薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】 薄膜キャパシタは、支持基板上の同一平面内で互いに対向する一対の電極と、前記同一平面内で前記一対の電極の間に位置する誘電体層と、前記一対の電極の各々に接続される実装用の接続電極とを備える。好ましくは、前記一対の電極は、正電位が印加される正電極と、負電位が印加される負電極とが前記同一平面内で交互に配置される形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体樹脂層と電極金属層との積層体の層間接着を強化しつつ、積層体とスペーサとの接着を抑制することができるコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体樹脂層と電極金属層とが交互に積層されたコンデンサの製造方法において、誘電体樹脂層と電極金属層とを交互に積層した積層板を条に切断した個片３１とスペーサ４１とを交互に固定枠４２に組込み、固定枠４２に交互に組み込まれた個片３１とスペーサ４１とに外部電極となる金属を溶射し、個片３１とスペーサ４１とに作用する圧力を調整しながら個片３１とスペーサ４１とを加熱する。 （もっと読む）

【課題】 回転体表面に積層した積層体表面とオイルを出射する出射プレートとの間の距離を正確に測定することにより、積層体の特性を向上させることができる積層体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーセンサからなる第１、第２の計測部１４Ａ、１４Ｂにより、積層体表面までの距離と出射プレート１３までの距離を測定し、その差を求めること、または、空気マイクロメータを備えた出射プレートプレートを用いることによって、回転体２の表面に積層した積層体表面と出射プレート１３間の距離を正確に測定する。 （もっと読む）

【課題】 上部電極から誘電体層へのイオンマイグレーションを確実に防止して信頼性を高めた薄膜キャパシタ素子を提供すること。
【解決手段】 薄膜キャパシタ素子１０は、基板１上に順次形成された下部電極２および誘電体層３と、誘電体層３を露出させる開口５ａを有して該誘電体層３の周縁部を覆う位置に形成された絶縁樹脂層５と、絶縁樹脂層５上および開口５ａ内の誘電体層３上に形成された拡散防止層６と、拡散防止層６上に形成されて開口５ａ内で該拡散防止層６および誘電体層３を介して下部電極２と対向する上部電極４とを備えており、拡散防止層６はＴａやＴａＮ等の金属材料にて薄膜形成されている。拡散防止層６には下部電極２上に位置する上部電極４の側端面よりも外方へ延びる延出部６ａが設けられており、この延出部６ａは上部電極４と同電位なので該側端面と下部電極２との間の電界を遮断する効果がある。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く静電容量の大きいキャパシタを形成することができる誘電体材料を提供する。
【解決手段】１）構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉを含む複合金属アルコキシド化合物を含む有機溶媒溶液中に、２）構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉを含む結晶性の金属酸化物粒子と、３）リン酸エステル基を含む分散剤を必須成分として含む材料を使用する。 （もっと読む）

本発明は、めっき法で形成される金属層との密着性に優れ、かつ、めっき薬液に侵食されにくい金属酸化物薄膜複合材料を提供することを目的とするものであり、金属薄膜付き銅箔上の金属薄膜表面に、少なくとも、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層を構成の最外層として有する誘電体薄膜を設けた薄膜複合材料を提供することで上記目的を達成した。 （もっと読む）

システムは、環境的バリアを備える。環境的バリアは、回路を提供するのに好適に使用可能である。例えば、装置が薄いフィルム状のバッテリ（例えば、リチウムやリチウム化合物を備えるバッテリ）を備え、このバッテリが電気回路に接続する形態を挙げることができる。環境的バリアは、交代層として積層される。交代層を構成する層のうち少なくとも１つは、平滑化、平坦化及び／又は水平化を、物理的構造機能をもたらす層に与える。交代層を構成する層のうち少なくとも他の１つの層を構成し、この層は拡散バリア機能を発揮する。物理的構造機能を与える層は、フォトレジスト、光学的に境界を定めることが可能な層、エネルギ的に境界を定めることが可能な層及び／又はマスク可能な層を備える。物理的構造層は誘電体からなるものであってもよい。層状の構造は、複数の層の対を備え、各層の対は物理的構造層及びバリア層を備える。バリア層は低い気体透過速度性能を備える。このことにより、現状において検知可能な水準以下にまでガスの透過速度を低減可能となる。 （もっと読む）

プリント回路構造に埋め込まれた複数のコンデンサのうちの１つは、プリント回路構造の第１基材層（５０５）をオーバーレイする第１電極（４１５）、第１電極をオーバーレイする結晶誘電体酸化物コア（４０５）、結晶誘電体酸化物コアの上にある第２電極（６１５）、および、結晶誘電体酸化物コアと第１および第２電極の少なくとも１つとの間にあってそれらに接触している高温酸化防止層（２２０）を含む。結晶誘電体酸化物コアは、１マイクロメートルより薄い厚さを有し、１０００ｐＦ／ｍｍ^２より大きい容量密度を有する。複数のコンデンサはいずれも材料および厚さが同じである。結晶誘電体酸化物コアは、複数のコンデンサの他のコンデンサ全ての結晶誘電体酸化物コアから分離されていてもよい。
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金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサを形成する方法であって、ＭＩＭコンデンサのプレートが、半導体デバイスのメタライゼーション層の厚み全域に形成されている。上記メタライゼーション層の表面の粗さを軽減するために、上記メタライゼーション層の材料内に、少なくとも１つの薄い伝導材料層が配置されている。このため、ＭＩＭコンデンサの信頼性が改善される。上記薄い伝導材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮを含んでいてよく、あるいは、上記ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮの上または下に配置されたバリヤ層を含んでいてもよい。上記ＭＩＭコンデンサの１つのプレートは、メタライゼーション層内の伝導線をパターン化するために用いられるマスクと同一のマスクを用いてパターン化される。したがって、上記ＭＩＭコンデンサを製造するために必要なマスクの数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 低温の結晶化により良好な特性を有するＢｉ層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含む強誘電体の原料液を結晶化することにより、強誘電体膜を形成する工程を含み、前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡサイトがＰｂであるＡＢＯ_３系酸化物を生成するための原料液である。 （もっと読む）

【課題】 汎用的なシート材料を用いることにより低コストで簡便なプロセスにより、樹脂回路基板内に高精度のＬＣＲや電波吸収部品層の内蔵化を歩留まり良く実現させることができるプリント配線板製造用シート材を提供する。
【解決手段】 支持体層２、金属層３、受動部品形成層４、金属層５の順に積層成形して成るプリント配線板の製造にあたり、支持体層２によって金属層３，５及び受動部品形成層４が支持されていると共に支持体層２の存在により金属層３がパターニングされていない状態で積層成形する。このことから成形時の受動部品形成層４の変形や割れが抑制される。この金属層３，５や受動部品形成層４によってコンデンサ、インダクタ、抵抗、電波吸収部品層等の回路部品を形成することにより、これらの回路部品をプリント配線板に内蔵すると共に受動部品形成層４の薄いものでも歩留まり良く高精度に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波応答性の優れたコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】 金属多孔シート体１に電極部２、有機系誘電体層３、固体電解質層４、電極層５を設けたものを絶縁保護層６で被ったものにおいて、この絶縁保護層６の少なくともいずれか一方の面に電極部２と電極層５にそれぞれ接続される導電体１０を表出させ、この導電体１０上に接続バンプ１１を形成した。 （もっと読む）

【課題】 マイクロストリップ線路の線路幅の狭小化を行なったとしても、導体損失が増加しないようにする。
【解決手段】 半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１１上には、接地電極１２と、厚さが約０．５μｍのチタン酸ストロンチウムからなる誘電体層１３と、線状導体層１４とにより構成されるマイクロストリップ線路が形成されている。線状導体層１４は、幅が約０．５μｍの狭小部１４ａと、幅が約５μｍの幅広部１４ｂとにより構成されている。この線状導体層１４は、異なる材料からなる積層体であって、基板１１側から順次形成された、厚さが約０．１μｍの窒化タングステンシリコンからなる第１層１５と、厚さが約０．０５μｍのＴｉと厚さが約０．５μｍのＡｕとの積層体からなる第２層１６と、厚さが約３μｍのＡｕからなる第３層１７とから構成されている。 （もっと読む）