【課題】下位電極膜と誘電体膜との密着性に優れるとともに高耐電圧を実現するのに適したキャパシタ部、を有する電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品は、基板およびキャパシタ部を備える。キャパシタ部は、基板上に設けられた電極膜１１（下位電極膜）、当該電極膜１１に対向する電極膜１２（上位電極膜）、並びに、当該電極膜１１，１２間の誘電体膜１３からなる積層構造を有する。電極膜１１は、誘電体膜１３の側に酸化被膜１１ｃ’を有して当該誘電体膜１３と接合している密着金属層１１ｃを含む多層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】際断面性状に優れた金属箔裁断方法を提供する。
【解決手段】先端が近接して配置された対向する第１刃と第２刃の間に金属箔を通して両刃間で切断する金属箔の裁断方法において、第１刃と第２刃のラップ（刃噛み深さ）を１５０μｍ〜２５０μｍに設定して金属箔の剪断を行なうことを特徴とする金属箔の裁断方法。 （もっと読む）

【課題】基板と、この基板上に積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層とを備えた薄膜デバイスにおいて、誘電体膜の厚みの均一性を向上させる。
【解決手段】薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に配置された絶縁材料よりなる平坦化膜３と、この平坦化膜３の上に設けられたキャパシタ４とを備えている。キャパシタ４は、平坦化膜３の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。誘電体膜２０の厚みは、０．０２〜１μｍの範囲内であり、且つ下部導体層１０の厚みよりも小さい。平坦化膜３の上面の最大高さ粗さは、基板２の上面の最大高さ粗さよりも小さく、且つ誘電体膜２０の厚み以下である。下部導体層１０の上面の最大高さ粗さは、誘電体膜２０の厚み以下である。 （もっと読む）

【課題】 酸化温度が低い材料を上部電極として使用し、なおかつ誘電体素子のリーク電流密度を十分に低減することの可能な誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 下部電極１２上に誘電体１４を形成して、第１の積層構造１５を作製する。次に、第１の積層構造１５をアニールする。続いて、誘電体１４上に上部電極１６を形成して、第２の積層構造１７を作製する。この後、第２の積層構造１７を減圧雰囲気２５ｂ下で１５０℃以上の温度でアニールする。下部電極１２および上部電極１６の蒸発を防ぐため、第２の積層構造１７のアニールは、４５０℃以下の温度で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製造上の歩留まりが良好であり、信頼性の高い薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】半導体チップに接続される薄膜キャパシタであって、前記半導体チップに個別に接続される、多分割のセル構造に配列された複数の個別キャパシタを有することを特徴とする薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】誘電特性を改善したフィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】フィルムコンデンサ１０は、第１の電極１２上に配置された第１の誘電率を有する第１の誘電体層１４と、第１の誘電体層１４上に配置された第２の誘電率を有する第２の誘電体層１６とを含み、第２の誘電率は、第１の誘電率よりも少なくとも５０％大きい。フィルムコンデンサはさらに、第２の誘電体層１６上に配置された第２の電極１８を含む。 （もっと読む）

【課題】低温で所望の誘電特性を有する非晶質常誘電体薄膜を形成すると共に製品の信頼性を高めることの出来る薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材３１ａ上に順次下部電極３３と、上記下部電極上に形成された非晶質常誘電体膜３５と、上記常誘電体膜上に形成された金属シード層３７と、上記金属シード層上に形成されたその表面粗度Ｒａが３００ｎｍ以上である上部電極３９と、を形成して薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板３０とする。この場合、上記下部電極３３は無電解メッキで形成された部分３３ａと電解メッキで形成された部分３３ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタを内蔵した印刷回路基板の製造方法及びそれにより製造された印刷回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基材２１ａ上に、無電解メッキで形成された部分２３ａと電解メッキで形成された部分２３ｂを含む下部電極２３を形成する工程と、上記下部電極上に低温成膜工程によって非晶質常誘電体膜２５を形成する工程と、上記常誘電体膜上に無電解メッキ工程によって金属シード層２７を形成する工程と、上記金属シード層上に電解メッキ工程を利用して上部電極２９を形成する工程とを含み（上部電極２９上に絶縁基板２１ｂを設けてもよい）、薄膜キャパシタを内蔵した印刷回路基板の製造方法及びこの製造方法で製造された薄膜キャパシタを内蔵した印刷回路基板２０である。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを備えた薄膜デバイスにおいて、キャパシタの耐電圧の低下や製品間におけるキャパシタの耐電圧のばらつきの増大を抑制する。
【解決手段】薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に設けられたキャパシタ３とを備えている。キャパシタ３は、基板２の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。誘電体膜２０の厚みは、０．０２〜１μｍの範囲内であり、且つ下部導体層１０の厚みよりも小さい。下部導体層１０の上面の最大高さ粗さは、誘電体膜２０の厚み以下である。 （もっと読む）

【課題】 実装面積を変えずに、且つ、回路パターンの変更を行うことなく、静電容量増加、等価直列抵抗低減のため並列接続することを可能とした表面実装型コンデンサを提供すること。
【解決手段】 板状または箔状の拡面化した弁作用金属陽極体１の端部からは陽極端子７が引き出され、弁作用金属陽極体１の少なくとも中央部１ａの表面には酸化皮膜からなる誘電体層が形成され、誘電体層上には導電性高分子膜２または金属酸化物半導体の固体電解質層が形成され、少なくとも導電性ペースト層９を介して、板状の陰極端子８と接続された多端子の表面実装型コンデンサ１００において、陽極端子７及び陰極端子８を、実装面および、実装面と反対側の上面に同様に形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の厚さを厚くすることができ、上部電極の表面粗度を増加させることができる薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材３１ａ上に第１下部電極３３ａ及び第２下部電極３３ｂからなる下部電極３３を形成し、上記下部電極３３上に低温成膜工程により非晶質常誘電体膜３５を形成し、上記非晶質常誘電体膜３５上に緩衝層３６を形成し、上記緩衝層３６上に金属シード層３７を形成し、上記金属シード層３７上に上部電極３９を形成して薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板３０を製造する。 （もっと読む）

【課題】水を消費する機能かつ蓄電機能を有する、防水性に優れた保護層を備えた電気デバイスを提供する。
【解決手段】電気デバイスにおける電気化学素子の少なくとも一部を覆う保護層は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成された、弁金属を含む陽極層と、陽極層上に形成された酸化皮膜層と、酸化皮膜層上に形成された固体電解質層と、固体電解質層上に形成された陰極層と、陰極層上に形成された第２の絶縁層と、陽極層と電気的に接続された第１の電圧印加端子と、陰極層と電気的に接続された第２の電圧印加端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の流れにくい耐電圧性に優れた薄膜デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極と、絶縁膜もしくは誘電膜と、第二の電極との積層構造を含み、前記第一の電極と絶縁膜もしくは誘電膜との間に、前記第一の電極と直接結合を形成できる有機ケイ素化合物からなる緩衝膜を備えたことを特徴とする薄膜デバイスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率無機粒子を含有してなる比誘電率が大きい誘電体組成物を層間絶縁材料とし、層間絶縁材料と金属電極の密着力が大きく、長期信頼性が高く、静電容量が大きいキャパシタを提供する。
【解決手段】樹脂と高誘電率無機粒子を含有し、高誘電率無機粒子の含有量が、７０重量％以上９７重量％以下である誘電体組成物と、誘電体組成物に接して設けられたＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒのいずれかを含む第１金属層を有するキャパシタ。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ単結晶基板上に強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上に形成された強誘電体材料からなるエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Ｓｉ単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をＺ_Ｆ面とし、Ｚ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのＺ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆ０としたとき、０．９８０≦ｚ_Ｆ／ｚ_Ｆ０≦１．０１０であり、前記強誘電体材料が、ペロブスカイト型結晶構造を有する、化学式ＡＢＯ_３（ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから選ばれた１種以上である）で表される化合物又は希土類元素含有チタン酸鉛であり、厚さが２〜１００ｎｍである強誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな容量値を有するコンデンサ素子を内蔵しながら、薄く接続できるノイズ除去機能を付加したシートデバイスおよびこれを用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が絶縁性のシート状基板２と、シート状基板２上に形成された、２つの配線基板の接続端子間を接続する複数の配線導体３と、シート状基板２上に形成された、下層電極層３Ｃ、誘電体層４および上層電極層５から構成されるコンデンサ素子６とを備え、配線導体３のうちのあらかじめ設定した配線導体がコンデンサ素子６の下層電極層３Ｃまたは上層電極層５に電気的に接続され、コンデンサ素子６の上層電極層５または下層電極層３Ｃが配線導体３のうちのグランド導体５Ａに接続されている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気中での焼成が可能であり、容量温度特性に優れ、高い比誘電率を有し、ＤＣバイアス特性（誘電率の直流電圧印加依存性）が良好で、しかも、電圧印加時における電歪量の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式｛（Ｂａ_ｘ Ｓｒ_ｙ Ｃａ_ｚ）Ｏ｝_ｍ ＴｉＯ_２ で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分を有し、前記主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号ｘ、ｙ、ｚおよびｍが、０．１９≦ｘ≦０．２３、０．２５≦ｙ≦０．３１、０．４６≦ｚ≦０．５４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．９８０≦ｍ≦１．０１、の関係にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 強誘電性薄膜素子の電極間の強誘電層の界面に沿って形成される漏洩通路を減少させ、制御する。
【解決手段】 開示されている強誘電性薄膜素子は、2つの電極の間における、該強誘電性薄膜素子と不動態層との間の界面に沿う漏洩通路を減少させまたは制御する不動態化構造を含む。また、このような素子を作製するための方法が開示されている。前記不動態化構造は開口を有する第1の不動態層を含み、該開口は、前記強誘電性薄膜層の一部分を露出させ、第2の不動態層が該開口を介して前記含み、該通路が前記強誘電性薄膜層に接することを可能にする。一実施の形態において、前記開口は、コンデンサの活性領域を包囲している矩形リングである。他の実施の形態において、第2の不動態層が第2の電極にも接し、該第2の電極の一部分も前記開口を介して露出する。他の実施の形態において、集積抵抗における前記薄膜層と不動態層との間の界面に沿って電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】短い焼成時間で形成することができ、且つ高品質な誘電体層を備えるコンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】処理装置１００内の雰囲気をガス供給源１１２等により、例えば酸素雰囲気等に調節する。熱処理装置１０１内の雰囲気を酸素雰囲気とし、所定程度まで温度を上昇させる。次に熱処理装置１０１内にウエハＷに不良が生じない速度で、誘電体前駆体層が形成されたウエハボート１６１をロードする。ロード後、熱処理装置１０１の反応管内を焼成温度まで上昇させ、所定時間焼成させる。熱処理装置１０１内で所定程度まで冷却させた後、処理装置１００内で室温程度まで冷却し、処理装置１００外に搬出する。さらに、ウエハＷ上に形成された誘電体前駆体層を焼成する前に、誘電体前駆体層の溶剤の揮発温度より高く、かつ誘電体前駆体の結晶化開始温度よりも低い温度で、所定の時間保持して残留溶剤を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】保護層の内部に残留応力を適正範囲内にするとともに直下の層との密着性を確保させた長期信頼性を確保する薄膜コンデンサとその製造方法を提供するとともに、この薄膜コンデンサを用いた高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】支持基板１上に、下部電極層２、誘電体層３、上部電極層４が順次形成されて、静電容量領域が形成されて薄膜コンデンサをなしている。そして、下部電極層２と電気的接続された外部端子５ａ、上部電極層４と電気的接続された外部端子５ｂが形成され、これらの外部端子５ａ、５ｂがそれぞれ内部に露出するように、開口部６ａ、６ｂを設けた保護層７が静電容量領域を被覆するように形成されている。この保護層７は、シリカを主成分とするとともに、圧縮残留応力を１００ＭＰａ以上２１０ＭＰａ以下の範囲となるようにした。 （もっと読む）