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Fターム[5E319BB09]の内容

Fターム[5E319BB09]に分類される特許

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【課題】プリフォームを自動的に基板に装着するシステム及び方法であり、リードレスチップキャリアにプリフォームを仮止めを行う際に、確実に且つ平坦であること、および、最小の応力を有することの双方が保証される。
【解決手段】プリフォームの載置場所34と、基板を載置場所内に配置する第一の構成要素32と、プリフォームを載置場所内にて基板の上に配置する第二の構成要素24と、プリフォームを基板に仮止めする仮止め装置と、構成要素及び仮止め装置の作動状態を感知する複数のセンサと、感知された作動状況に基づいて構成要素及び仮止め装置の作動を自動的に制御するコントローラとを含む。 (もっと読む)


【課題】 鉛フリーのはんだ材料を用いて挿入タイプの電子部品を基板に実装するためのはんだ付け方法およびはんだ付け装置であって、リフトオフの発生と引け巣の発生を低減して電子部品と基板の接続の信頼性に優れた基板のはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】フロー炉100ではんだ付けした実装基板を、リフロー炉110にて実装基板を加熱し、はんだ接合部のはんだを再溶融させた後、実装基板全体を均一な温度に加熱保持111され、その加熱保持された状態で、基板全体を一括同時に急速冷却112することにより得られる。または、フロー炉から凝固させることなくリフロー炉に搬送された実装基板を、リフロー炉にて実装基板を加熱し、はんだ接合部のはんだを再溶融した後、実装基板全体を均一に加熱保持して、その加熱保持した状態で、基板全体を一括同時に急速冷却することによっても得られる。 (もっと読む)


【課題】発泡金属などの金属多孔質体の高い延性によって、耐ヒートサイクルに優れた接合体および電子モジュールを提供する。
【解決手段】素子の接合面と基板の接合面との間に導電性を有するろう材3の層を介して接合される接合体1であって、接合体1は基材が金属多孔質体2であり、ろう材3の層に接する基材の両面に金属多孔質体2にろう材3を含浸させた含浸層4をもち、金属多孔質体2にろう材3が含浸していない非含浸層5で含浸層4を挟んだものである。 (もっと読む)


【課題】 金属合金粉末として、Biを58重量%以上含むBi−Sn系ソルダペーストにおいて、接合後に高い接合強度が得られるとともに、接合対象物がAuを含む場合においても空隙が発生しないソルダペースト、およびそのソルダペーストを用いて接合された接合物品を提供する。
【解決手段】 金属合金粉末として、Biが58重量%〜98重量%、Vが0.01重量%〜0.5重量%、残部Snからなるソルダペースト、およびそのソルダペーストを用いて接合された接合物品とする。 (もっと読む)


【課題】 金属合金粉末として、Biを30重量%以上含むBi−Sn系ソルダペーストにおいて、接合後に高い接合強度が得られるとともに、接合対象物がAuを含む場合においても空隙が発生しないソルダペースト、およびそのソルダペーストを用いて接合された接合物品を提供する。
【解決手段】 金属合金粉末として、Biが30重量%〜98重量%、Al、Mnのいずれか一方が0.01重量%〜0.5重量%、残部Snからなるソルダペースト、およびそのソルダペーストを用いて接合された接合物品とする。 (もっと読む)


【課題】はんだの基本合金に、さらに別の元素を添加することによらず、部品実装基板の使用中に生じる接合部内の応力を抑制する手段を提供する。
【解決手段】プリント配線板のスルーホールに電気電子部品のリードを挿入して前記プリント配線板と前記電気電子部品とをはんだ付けする部品実装基板のはんだ付け方法であって、前記はんだ付け後に所定の温度条件および時間条件の範囲にてリフロー処理を施す。また、これらの方法により、はんだ接合部内の応力が抑制された部品実装基板を得ることができる。
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【課題】現行の接合条件を変更せずに、信頼性あるファインピッチILBを確立できるフレキシブル配線基材並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材11と、絶縁基材11の一方面に形成された銅を含む導電体層をパターニングした配線パターンと、配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層17とを具備し、配線パターンの端子部は、配線ベース層21上にスズめっき層26を施したものであり且つ各端子のピッチが20μmより大きく30μmより小さいフレキシブル配線基材において、端子部の配線ベース層21上のスズめっき層26は、スズめっき層26中に配線ベース層21の銅が拡散した拡散層26aと純スズ層26bとからなり、総厚が0.26μm〜0.5μmの範囲であり、純スズ層の厚さが0.08μm〜0.18μmであり且つ総厚をtとしたときの(0.53−0.846t)μmの値を超えない範囲にある。 (もっと読む)


【解決手段】 最初に前駆体材料が形成される液相拡散焼結法を利用してはんだ材料が形成される。前駆体材料は、第一の融点温度を有する第一の金属、及び第二の融点温度を有する第二の金属を含む複数の金属粒子を含有する。第一の融点温度は第二の融点温度を上回る。前駆体材料は、第二の融点温度よりも高く、第一の融点温度よりも低い処理温度(Tp)に加熱され、処理温度を上回る高い融点温度を有する金属合金材料を形成するために、予め設定された保持時間の間、処理温度(Tp)にて定温に保たれる。はんだ材料は、装置の仕様として定められた使用温度(Ta)において二つの部品を一つに接続するために使用され得る。なお、Ta /Tp>1となる。 (もっと読む)


【課題】電子部品をはんだ付けする際、電子部品の内部接合が270℃まで溶融させず、かつ耐衝撃性に優れた接合構造体で構成された回路基板で制御される電子機器を実現すること。
【解決手段】電子部品と、基板と、電子部品と基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、第1の接合材料は、第1の合金を含み、電子部品は、電子素子と、電子素子と接続される電極と、電子素子と電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、第2の接合材料は、Biを主成分とする第2の合金を含み、第2の合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeを含み、フィラーを0.01〜5.0%を添加することにより、270℃未満では溶融しなくなるので、回路基板に電子部品をはんだ付けする際の加熱で電子部品内部の接合部分が溶融せず不良が生じることがなく、かつAgを含有しない安価な鉛フリー製品が可能となる。 (もっと読む)


【課題】改良された導電率、熱伝導率及び半田付け中のICの損傷を避けるのに十分な低融点を有し、ICの使用のための最小の半田厚みを提供することができる半田接合を実現する材料及び製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、動力学的スプレー装置の中に供給され、基板若しくは基板の一部に向かって加速され、既存の半田よりも良好な熱的及び電気的特性を有する複合半田を形成する、混合粉体又は複合粉体を提供している。このように半田層を形成する利点は、後続の半田付け性を改善する低い酸素濃度、堆積厚みの優れた制御、堆積化学成分の優れた制御、及び最終的に、高速の製造を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】濡れ性に優れかつボイド発生の少ないSn−Au合金はんだペーストを提供する。
【解決手段】Au:6.5〜9.8質量%を含有し、残りがSnおよび不可避不純物からなる成分組成を有するSn−Au合金はんだ粉末とフラックスとの混合体からなり、前記混合体は、フラックス:5〜25質量%含有し、残部がAu:6.5〜9.8質量%を含有し、残りがSnおよび不可避不純物からなる成分組成を有するSn−Au合金はんだ粉末からなる混合体であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合に、電子部品を搭載するに適したAu−Sn共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に提供する。
【解決手段】基板への電子部品の搭載方法は、基板(10)の電極面(20)にAuバンプ(24)を形成し、該Auバンプ上にSn系はんだシート(26)を搭載し、これらのSn系はんだシートとAuバンプをリフローしてAu−Sn共晶合金(28)とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品(30)を接合することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、実質的な質量比でAuを80%含有する高価なAuSn共晶合金を代替する接合方法として、実装工程内に急冷プロセスを導入することにより、AuSn共晶合金からAu量を40〜60%削減したAuSn合金を高温はんだに適用可能とした。通常の冷却速度により作成された低Au組成合金の融点は、包晶反応が非平衡により崩れ、平衡状態図上の融点を下回る。ここで、このAuSn合金を急冷により作成すると、平衡状態図上の融点、またはその温度で生成される相の割合が増加し、耐熱性が向上する。 (もっと読む)


【課題】はんだ付けに際してはんだ部分にボイド発生の少ないAu−Ge合金はんだペーストに関するものであり、さらにこのAu−Ge合金はんだペーストはAuメッキしてある基板をはんだ付けするために特に有効なAu−Ge合金はんだペーストを提供する。
【解決手段】Ge:10.5〜15.5質量%を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる組成を有するガスアトマイズAu−Ge合金粉末を80〜98質量%含有し、残部がノンハロゲンフラックスからなり、前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を4〜6個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有する。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板上回路電極表面に粘着性を付与し、該粘着部にハンダ粉末を付着させる回路形成法において、ハンダ層の高さが不均一となったり、ハンダバンプが欠損する事のない方法の提供。
【解決手段】プリント配線板上の導電性回路電極表面に粘着性を付与し、該粘着部にハンダ粉末を付着させ、ハンダ回路を形成するハンダ回路基板の製造方法において、回路電極部分をレジストで覆い、導電性回路電極部分に開口部を設け、該開口部の面積を円形とした場合の直径をD1、ハンダ粉末の直径をD2とし、回路電極部分のレジストの厚さをD3とした場合、該各開口部に、D1、D2、D3の間に式(1)の関係のハンダ粉粒子を1個だけ付着させることを特徴とするハンダ回路基板の製造方法。
1>(D1−2×((D2−D3)×D3)1/2)/D2≧0・・・・(1) (もっと読む)


【課題】
新規なはんだ接続による電子機器を提供することにある。特に温度階層接続に
おける高温側のはんだ接続を実現することにある。
【解決手段】
半導体装置と基板の接続部が、Cu等の金属ボールおよび該金属ボールとSn
の化合物からなり、該金属ボールは該化合物により連結されている。
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【課題】ハンダ付け終了後の残渣が少なく、それによりハンダ付け後の洗浄を必要としない。濡れ性が良好であって、しかも絶縁信頼性が損なわれない。金錫合金からなり、ハンダ溶融の際、フラックスが揮発した後に露出するハンダを酸化から防止することが可能なペーストを提供する。
【解決手段】フラックスと金錫合金ハンダ粉末を混合させた金錫合金ハンダペーストの改良であり、ハンダ粉末粒子表面を、金錫合金以外の他の金属、防錆剤又はキレート剤により被覆したことを特徴とする。また、フラックス中に水酸基を4〜6個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を有する化合物を含む高粘性溶剤及び低粘性溶剤をそれぞれ含有する。 (もっと読む)


【課題】特にAu−Sn合金はんだペーストを用いてLED(発光ダイオード)素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。
【解決手段】素子3を基板1に載置し、さらにAu−Sn合金はんだペースト2を前記素子3から離してまたは隣接して基板1に搭載または塗布し、前記素子3を載置しかつAu−Sn合金はんだペースト2を搭載または塗布した基板1を非酸化性雰囲気中でリフロー処理するAu−Sn合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法 (もっと読む)


【課題】第1の接合部材の一面およびこれに対向する第2の接合部材の一面にそれぞれバンプを設け、それぞれの接合部材のバンプの先端部を接触させて接続してなるバンプ接合体の製造方法において、バンプの接触時における位置ずれを防止する。
【解決手段】第1のバンプ21の先端部21aおよび第1のバンプ21の相手側である第2のバンプ22の先端部22aを周期的な凹凸を有する形状とした後、これら両バンプ21、22の先端部21a、22aの凹凸部をかみ合わせるように両バンプ21、22を接触させ、接続を行う。 (もっと読む)


【課題】搭載する部品を洗浄すること無しに、残留フラックスのない状態で基板と実装部品とを接合することができる。
【解決手段】本発明は金錫合金ハンダ粉末及びフラックスを主成分とする金錫合金ハンダペーストを用いてリフローハンダ付け法によりハンダ付けする方法の改良である。その特徴ある構成は、基板のハンダ接合予定箇所に所定量の金錫合金ハンダペーストを供給する工程11と、ペーストを供給した基板をハンダ溶融温度を越える温度で一定時間保持して、ペーストに含まれるハンダ粉末を溶融するとともにペーストに含まれるフラックスを揮発させる第1溶融工程13と、基板のペーストを供給したハンダ接合予定箇所に実装部品を搭載する工程15と、実装部品を搭載した基板をリフロー温度に保持して基板と部品とを溶融したハンダを介して接合する第2溶融工程16とを含むところにある。 (もっと読む)


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