【課題】 何ら不具合が発生することなく、機械研磨を用いたダマシン法により樹脂層の溝に導電層を埋め込んで配線層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上に樹脂層１８を形成した後に、樹脂層１８に溝１８ｘが形成され、かつ樹脂層１８の上に保護金属層２０（Ｎｉ又はＴｉＷ）が形成された構造を形成する。続いて、溝１８ｘを埋め込む導電層２２（Ｃｕ）を溝１８ｘ内及び保護金属層２０上に形成した後に、保護金属層２０を研磨防御層として利用して、導電層２２を機械研磨することにより、導電層２２を溝１８ｘ内に埋め込んで配線層２４を得る。その後に、保護金属層２０を除去する。 （もっと読む）

【課題】 サイドエッチングの発生を防止して、導体パターンの剥離や導体パターンの電気抵抗の増大を防止することのできる、配線回路基板の製造方法、および、その製造方法によって製造される配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 ベース絶縁層１を用意し、そのベース絶縁層１の上に、チタン薄膜またはジルコニウム薄膜からなる第１金属薄膜２と、銅薄膜からなる第２金属薄膜３とを順次形成する。次いで、第２金属薄膜３の上に、電解銅めっきにより、銅からなる導体パターン４を形成し、その導体パターン４から露出する第２金属薄膜３を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングする。その後、第１金属薄膜２を酸化して、酸化チタン薄膜または酸化ジルコニウム薄膜の絶縁体からなる絶縁薄膜６を形成し、フレキシブル配線回路基板を得る。 （もっと読む）

【課題】微細配線を形成すると配線材料の折れ曲がりや破損が生じて信頼性が悪化するという課題を解決し、配線が微細化した場合でも充分な電気的接続の信頼性を確保することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気絶縁性基材１と、これを貫通する貫通孔３と、この貫通孔３に充填された導電性ペースト４によって貫通孔３両端で電気的に接続する配線１２を備え、上記配線１２の少なくとも一方は貫通孔３を覆うランド１１部分で厚みが厚く形成された構成にすることにより、貫通孔３を覆うランド１１部分でその厚みが厚いために貫通孔３上での配線１２の剛性を確保しつつ、それ以外の部分では配線厚みを薄くして微細配線が形成でき、電気的接続性と微細配線を両立した配線基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの特性を効果的に活用できるデカップリング性能に優れたデカップリング素子およびその製造方法、並びに、当該優れたデカップリング性能を備えたデカップリング素子を内蔵するプリント基板回路を提供すること。
【解決手段】 基体１と、該基体１表面に支持され、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体からなる高周波ノイズ吸収体２と、該高周波ノイズ吸収体にそれぞれ接続された入力電極３および出力電極３と、を備えることを特徴とするデカップリング素子、およびその製造方法、並びに、これを高周波ノイズ吸収体として予め搭載したプリント基板製品である。 （もっと読む）

【課題】スパッタや蒸着等の気相法によりコストアップを極力抑えながらプラスチックフィルム上に金属薄膜を形成するに当たり、金属とプラスチックフィルムの密着強度の大幅な向上を図る。
【解決手段】基材の表面を粗化面化し（１１０）、その基材の粗化面にポリイミド前駆体を塗布して（１０３）、加熱イミド化する（１０４）ことにより、基材の粗化面に対応した粗化面（Ｒｍｓ０．０５μｍ以上）を有する粗化フィルム１１０を得る。次に基材から剥がした粗化フィルムを真空チャンバ内に収容して、Ｃｒスパッタ（１２２）、Ｃｕスパッタ（１２３）を順にすることにより粗化面上に金属薄膜を形成し、更にその上にＣｕメッキすることにより金属被覆基板１３０を得る。 （もっと読む）

集積化インダクタコアを有するプリント回路板を形成するための方法。本発明によれば、薄いニッケル層を銅箔上に形成する。次いで、この銅箔構造を基板に積層して、ニッケル層が基板と接触するようにする。銅箔を除去し、ニッケル層を基板上に残す。当該技術で知られている写真製版投影およびエッチング技法を用いて、ＮｉＦｅをニッケル層上に直接メッキして、パターン形成させ、これによって基板の集積化インダクタコアを形成する。本発明のこの方法は、公知の製法に使用されるいくつかの工程を不要とし、同時に、エッチング時間を低減し、かつＮｉＦｅの無駄を最少化する。 （もっと読む）

等しくない接合特性と側面を有する基板を塗布する方法は、第１の組の被覆条件下で第１の側面を塗布し第１の組の被覆条件と異なる第２の組の動作条件下で第２の側面を被覆することにより基板を非対称に被覆し、側面の等しくない接合特性を補償する工程を含む。また基板作成法は第１及び第２の面を有しアニーリング処理された熱可塑性基板のベース層を与える工程と、ベースライン温度及び相対湿度を有する環境下で基板のベース層を安定化する工程と、ベース層をドリリング処理してビアホールを形成する工程と、ベース層の第１及び第２の面をイオン処理してビアホールのドリリング処理による汚染物を除去しスパッタリング処理用の第１及び第２の面を作成する工程と、ベース層の温度がベース層のアニーリング処理温度を越えないよう制御して、ベース層の第１の面上に少なくとも１の金属層を第１のスパッタリング処理によりオングストロームを金属化し次に第２の面上に少なくとも１の金属層をスパッタリング処理する工程と、金属化されたベース層をベースライン温度並びに相対湿度を有する環境下で安定化させ次に金属化されたベース層を更に処理して金属層を導電性パターンに変形する工程とを含む。 （もっと読む）