【課題】多層ビルドアップ配線基板を容易に得ることを可能とする複合体を提供する。
【解決手段】本発明に係る複合体１は、シリコンウェーハ２と、シリコンウェーハ２の一方の表面２ａ上に積層された絶縁樹脂層３と、絶縁樹脂層３のシリコンウェーハ２側と反対の表面３ａ上に積層されており、金属により形成された金属層４と、金属層４の絶縁樹脂層３側とは反対の表面４ａ上に積層されており、金属層４の上記金属が酸化した酸化層５と、酸化層５の金属層４側とは反対の表面５ａ上に積層された銅層６とを備える。上記金属は、ニッケルであるか、又は銅よりも酸化還元電位が卑な金属である。 （もっと読む）

【課題】信号配線の特性インピーダンスの制御及びデカップリングキャパシタのキャパシタンスの制御を行う基板を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板と、前記基板に形成された電源配線と、前記基板に形成された信号配線と、前記基板に形成されたグランド配線と、前記信号配線、前記電源配線及び前記グランド配線を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された金属膜１１と、を備え、前記電源配線を被覆する前記絶縁層の厚さと、前記信号配線を被覆する前記絶縁層の厚さとが異なり、前記金属膜１１がグランド電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品と配線基板とを半田の再溶融によって接続する場合に、隣接する半田同士の接続を防止できる電子部品実装用配線基板の製造方法、電子部品実装用配線基板、及び電子部品付き配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】チップ実装用端子パッド１７上に半田と樹脂製の電気絶縁材とを含む接合材ペースト８５を配置し、接合材ペースト８５を加熱することによって、半田を溶融させるとともに電気絶縁材を軟化させる。その後、半田を固化させて半田バンプ９を形成するとともに、電気絶縁材を半田バンプ９の表面及び半田バンプ９の周囲の積層基板５の表面にて硬化させて電気絶縁表面層４５を形成する。従って、この構造の半田バンプ９を備えた実装用配線基板１にＩＣチップ３を実装する際に、半田を再溶融させた場合には、電気絶縁表面層４５によって、隣合う半田バンプ９同士が接続し難いという利点がある。 （もっと読む）

【課題】環境温度の大きな変動に対して信頼性の高い高周波接続配線基板を提供する。
【解決手段】基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力され、基板の表面と裏面との間に導通のためのビアを複数有する高周波接続配線基板において、環境温度変化により複数のビア間でクラックが発生しないよう、ビアを形成すべき位置における接地導体の表面積に応じた所定の直径で各ビアが形成され、複数のビアは複数種類の直径から構成される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１層の導体層と少なくとも１層の樹脂絶縁層とが交互に積層され、表面をなす前記樹脂絶縁層から複数の導電性パッドが突出してなる積層構造体を含む多層配線基板において、はんだバンプを均一に形成し、半導体素子との接続不良を抑制する。
【解決手段】少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、この表面から突出するようにして形成された導電性パッドに対して、第１の開口径を有する第１の開口部が形成されてなるメタル層と、前記第１の開口径及び前記導電性パッドの外径よりも大きな第２の開口径を有する第２の開口部が形成されてなる樹脂層とが、前記第１の開口部及び前記第２の開口部が連通するように積層されてなるマスクを介してはんだペーストを供給し、リフローする。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気信号の伝送特性に優れた多層配線基板を提供する。
【解決手段】 アルミナを主成分とするセラミックス絶縁層１Ａが複数積層された絶縁基板１と、該絶縁基板１の内部に設けられたビア導体３とを具備してなり、前記ビア導体３を縦断面視したときに、中央部３ＢＣから外周部３ＢＯ側に向けて、銅とタングステンとの複合層３Ｂ１および銅層３Ｂ２がこの順に配置されており、前記銅層３Ｂ２が前記複合層３Ｂ１の周囲を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】
プレスフィットコネクタをスルーホールに圧入する際の接続の信頼性を損ねることなく、容易にプレスフィットコネクタをスルーホールに圧入することが可能なプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
２枚の銅張積層板を用意し、いずれか一方又は両方の銅張積層板に対して、厚付け銅めっきを施した第１の貫通スルーホールを形成し、該第１の貫通スルーホールを穴埋め樹脂で充満し、該２つの銅張積層板を、プリプレグを介して加熱圧着により積層して前記第１の貫通スルーホールを非貫通スルーホールとし、該積層した２つの銅張積層板を貫通する第２の貫通スルーホールを形成し、該積層した２つの銅張積層板全体の表面を覆うように厚付け銅めっきを施し、前記非貫通スルーホールに充満された穴埋め樹脂を該非貫通スルーホールの開口部を覆っている厚付け銅めっきと共にドリルにより削除し、エッチングにより外層パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインを含みかつ良好な高周波特性を有する信号配線を備えた基板を提供する。
【解決手段】基板１０ａは、絶縁性基材２０ａと、該絶縁性基板を挟むよう配置された導電層３０ａと、高速信号配線１００ａ，２００ａを備える。高速信号配線は、マイクロストリップライン１１０ａ，２１０ａと、導電性パッド１２０ａ，２２０ａと、中継ライン１３０ａ，２３０ａから構成される。特に、中継ラインは、マイクロストリップラインよりも特性インピーダンスが高くなるよう、該マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体に対する接着強度の高い表面配線層を有するプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供する。
【解決手段】 少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄがムライト質焼結体からなる絶縁基体１１と、少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄの内部に設けられたビア導体１４と、該ビア導体１４と接続され、前記絶縁基体１１を平面視したときに、前記ビア導体１４よりも大きな面積で前記絶縁基体１１の表面に設けられた金属膜からなる表面配線層１３とを具備しており、前記ビア導体１４がモリブデンまたはタングステンの少なくとも１種の金属を主成分とし、前記最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄは前記ビア導体１４の周囲の第１の領域１１Ａと該第１の領域１１Ａ以外の第２の領域１１Ｂとを有するとともに、前記第１の領域１１Ａはムライトに対するアルミナの量が前記第２の領域１１１Ｂよりも多い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、応力が生じた場合であっても破損することがなく、電気特性の変動を抑えることができる多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミックからなる基材層１と、該基材層１の一方の面に積層され、複数の電子部品４０、５０を実装するための表面電極２０が形成してある表面電極層２と、基材層１の他方の面に積層され、他の基板と接続するための外部電極３０が形成してある外部電極層３とを備える多層セラミック基板１０である。外部電極層３の外部電極３０が形成してある面に、溝部４が形成され、溝部４は、多層セラミック基板１０の外周辺の対向する二辺間を渡るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】キャビティＲ１０が形成された基板１００（絶縁基板）と、キャビティＲ１０内に配置される電子部品２００（電子デバイス）と、基板１００上及び電子部品２００上に配置される絶縁層１０１（層間絶縁層）と、絶縁層１０１上に配置される導体層１１０と、を有する配線板１０において、キャビティＲ１０における基板１００と電子部品２００との隙間には、絶縁層１０１を構成する絶縁材料（絶縁体１０１ａ）が充填され、導体層１０１は、隙間の直上（直上領域Ｒ１）において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】高比誘電率の誘電体を有しかつ特性のよいキャパシタを、簡易なプロセスで内蔵可能なキャパシタ内蔵配線板、その製造方法、およびそのキャパシタを提供すること。
【解決手段】セラミックの誘電体単一層と、誘電体単一層の面形状と同一の面形状を有して、該誘電体単一層の各面上に密着して設けられた第１、第２の金属導電体層と、第１、第２の金属導電体層上にそれぞれ設けられた第１、第２の導電部材層と、第１、第２の面とこれらの間に貫通する開口とを有し、該開口内に、該第１、第２の面の側それぞれに第１、第２の導電部材層が位置するように、誘電体単一層、第１、第２の金属導電体層、および第１、第２の導電部材層を有する積層体を、開口の縁との間に隙間が生じないように配置させた、板状の有機材料部材と、有機材料部材の第１、第２の面上にそれぞれ設けられた第１、第２の配線パターンとを具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れる多層配線基板の製造方法およびこの製造方法によって製造れた信頼性の高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】導体パターン前駆体層１１０が形成された複数の成形体２００を積層してなる積層体４００を得る第１工程と、該第１工程で得られた積層体４００を焼成する第２工程とを有する多層配線基板の製造方法であって、第１工程は、各成形体２００を、第１の基板１００上に導体パターン前駆体層１１０を形成した後、第２の基板１２０を積層することにより得、得られた複数の成形体２００を積層することにより積層体４００を得る。また、第１の基板１００および第２の基板１２０のうちの一方は、導体パターン前駆体層１１０よりも剛性が高く、他方は、導体パターン前駆体層１１０よりも剛性が低い。 （もっと読む）

【課題】本発明は片面積層よりなる多層配線回路基板において、高温に放置しても反りが少なく、多層回路基板内に剥離、ボイドがない多層回路基板を製造することであり、半導体素子を実装する工程、半導体素子を実装した後に信頼性試験を行う工程において多層回路基板間に剥離がなく、反りが少ない多層回路基板及び半導体装置を提供することである。
【解決手段】複数組の導体回路層と絶縁層、及びソルダーレジスト層から形成され、ビア接続により導通接続したスルーホールを有するコア基板を含まない片面積層の多層回路基板であって、前記絶縁層のガラス転移温度が１７０℃以上であり、ガラス転移温度以下の線膨張係数が３５ｐｐｍ以下であり、弾性率が５ＧＰａ以上であり、前記ソルダーレジスト層のガラス転移温度が１６０℃以上、ガラス転移温度以下の線膨張係数が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする多層回路基板である。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Ｐｂフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】第一銅配線と第二銅配線とを接続するビアホール導体を備え、ビアホール導体は金属部分と樹脂部分とを含み、金属部分は、第一銅配線と第二銅配線とを電気的に接続する経路を形成する銅粒子の結合体を含む第一金属領域と、錫，錫‐銅合金，及び錫‐銅金属間化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする第二金属領域と、ビスマスを主成分とする第三金属領域と、を有し、結合体を形成する銅粒子同士が互いに面接触しており、第一銅配線,第二銅配線と銅粒子とが互いに面接触しており、第一銅配線及び第二銅配線のうちの少なくとも一方の配線と銅粒子とが互いに面接触した部分が、第二金属領域の少なくとも一部分で覆われている多層配線基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明はプローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数の第１共用ビアが形成された第１共用基板と、複数の第２共用ビアが形成された第２共用基板と、第１共用基板と第２共用基板の間に配置され、１つ以上のグループビアを含み、複数の第１共用ビア及び複数の第２共用ビアを電気的性質に応じてグループ化し、グループ毎に同じグループビアに連結するグループ化基板と、個別の電子部品に形成された１つ以上の端子に対応するように形成され、上記複数の第１共用ビアと第２共用ビアの全部または一部に連結される１つ以上の配線ビアを含むビルドアップ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】
高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板を提供すること。
【解決手段】
高速信号伝送用基板は、第１接地パターンと、前記第１接地パターンの両面に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に形成される第１導電パターンとを有する第１基板部と、第２接地パターンと、前記第２接地パターンの両面に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の表面に形成される第２導電パターンとを有する第２基板部と、前記第１基板部と前記第２基板部とを対向させた状態で、前記第１基板部の前記第１導電パターンと、前記第２基板部の前記第２導電パターンとを接続する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】伝送コネクタ用の中継基板において、伝送特性や接地特性が高く、低コストな中継基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の中継基板は、複数のワイヤとコネクタとを中継する伝送コネクタ用の中継基板であって、表面に配置された、第一及び第二の表グランドパッド１２ａ、１２ｂと、裏面に配置された第一及び第二の裏グランドパッド１３ａ、１３ｂと、グランドパッド間に配置されたシグナルパッド１４ａ〜１５ｂと、第一の表グランドパッド１２ａと第一の裏グランドパッド１３ａとを接続する第一のＶＩＡホール１７ａと、第二の表グランドパッド１２ｂと第二の裏グランドパッド１３ｂとを接続する第二のＶＩＡホール１７ｂとを備え、第一のＶＩＡホール１７ａと第二のＶＩＡホール１７ｂとが、シグナルパッドの両側に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号線を伝送する高周波信号を低損失で伝送することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】帯状の信号線１と、信号線１の上下に絶縁層２を挟んで配置された接地または電源導体層３と、信号線１の両側に信号線１に沿って並んでおり、上下の接地または電源導体層３同士を接続する貫通導体４の列とを具備して成る配線基板であって、上下の接地または電源導体層３の信号線１と対向する領域と貫通導体４の列との間に信号線１に沿って延びるスリット６が形成されている。信号線１を伝送される信号に対応して形成されるリターンパスの電磁的な結合が接地または電源導体層３におけるスリット６に挟まれた領域に大きく集中し、それにより信号線１を伝送する高周波信号を低損失で伝送することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板及び半導体装置に関し、配線基板に加わる応力によるフィルドスタックビアのビア破断を防止する。
【解決手段】 導体層と、前記導体層の表面に形成される第１の凸部と、前記導体層上に形成される第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の凸部を露出させる第１の開口部と、前記第１の開口部内に配置され、前記第１の凸部が底部に埋め込まれる第１のフィルドビアと、前記第１の絶縁膜及び前記第１のフィルドビア上に形成される第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に形成される第２の開口部と、前記第２の開口部内に配置され、前記第１のフィルドビアに接続される第２のフィルドビアとを備える。 （もっと読む）