配線板及びその製造方法
【課題】キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】キャビティＲ１０が形成された基板１００（絶縁基板）と、キャビティＲ１０内に配置される電子部品２００（電子デバイス）と、基板１００上及び電子部品２００上に配置される絶縁層１０１（層間絶縁層）と、絶縁層１０１上に配置される導体層１１０と、を有する配線板１０において、キャビティＲ１０における基板１００と電子部品２００との隙間には、絶縁層１０１を構成する絶縁材料（絶縁体１０１ａ）が充填され、導体層１０１は、隙間の直上（直上領域Ｒ１）において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する。
【解決手段】キャビティＲ１０が形成された基板１００（絶縁基板）と、キャビティＲ１０内に配置される電子部品２００（電子デバイス）と、基板１００上及び電子部品２００上に配置される絶縁層１０１（層間絶縁層）と、絶縁層１０１上に配置される導体層１１０と、を有する配線板１０において、キャビティＲ１０における基板１００と電子部品２００との隙間には、絶縁層１０１を構成する絶縁材料（絶縁体１０１ａ）が充填され、導体層１０１は、隙間の直上（直上領域Ｒ１）において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、キャビティが形成された絶縁基板と、キャビティ内に配置され、絶縁基板の側方に位置するコンデンサと、絶縁基板上及びコンデンサ上に配置される層間絶縁層と、層間絶縁層上に配置される導体層と、を有し、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間に、層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填されてなる配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、絶縁基板とコンデンサとの隙間に、層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填されるため、層間絶縁層における隙間の直上領域には、その隙間に基づく窪みが形成され易くなる。そして、こうした窪みを有する面上に配線が形成されると、平坦な面上に配線が形成される場合よりも配線に応力が加わり易くなるため、その配線は窪み周辺で断線し易くなる。また、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間に充填される絶縁材料は、絶縁基板及びコンデンサのいずれよりも大きな熱膨張係数を有すると考えられるため、隙間周辺においては熱応力により歪みが生じ易くなる。こうした歪みが生じると、隙間の直上領域にある配線が断線し易くなる。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることを可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、キャビティが形成された絶縁基板と、前記キャビティ内に配置される電子デバイスと、前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に配置される層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配置される導体層と、を有する配線板において、前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間には、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填され、前記導体層は、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、キャビティが形成された絶縁基板を準備することと、前記キャビティ内に電子デバイスを配置することと、前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に、層間絶縁層を形成することと、前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間に、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料を充填することと、前記層間絶縁層上に、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する導体層を形成することと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板に内蔵されるコンデンサの断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティに収容されたコンデンサの配置及び形態を示す平面図である。
【図４】図１中の層間絶縁層に形成される窪みの拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分を有する導体パターンの形態を示す平面図である。
【図６】図５に示す導体パターンの拡大図である。
【図７】図６に示す導体パターンについて、拡幅角度を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図８に示す製造方法において、コア基板（絶縁基板）を準備する工程を説明するための図である。
【図１０Ａ】図８に示す製造方法において、キャビティを形成するための第１の方法を説明するための図である。
【図１０Ｂ】図８に示す製造方法において、キャビティを形成するための第２の方法を説明するための図である。
【図１１】図８に示す製造方法において、キャビティ形成後のコア基板を示す図である。
【図１２】図８に示す製造方法において、キャビティが形成されたコア基板をキャリアに取り付ける工程を説明するための図である。
【図１３】図８に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサを配置する工程を説明するための図である。
【図１４】図８に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサが配置された状態を示す図である。
【図１５】図８に示す製造方法において、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第１の層間絶縁層及び第１の銅箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１６Ａ】図８に示す製造方法において、プレス工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａのプレス後の状態を示す図である。
【図１７】図８に示す製造方法において、キャリア除去後、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第２の層間絶縁層及び第２の銅箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】図８に示す製造方法において、第１、第２の層間絶縁層上に導体層を形成し、各導体層とコンデンサの電極とを互いに電気的に接続するための第１の工程を説明するための図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１９】図１８Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る配線板の表面に電子部品が実装された状態を示す図である。
【図２１Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分の形状の第１の別例を示す図である。
【図２１Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分の形状の第２の別例を示す図である。
【図２２Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、拡幅角度の第１の別例を示す図である。
【図２２Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、拡幅角度の第２の別例を示す図である。
【図２３】本発明の他の実施形態において、異なる形状の幅が広い部分を有する複数の導体パターンを有する配線板を示す平面図である。
【図２４】本発明の実施形態に係る配線板において、窪み周辺に形成される導体パターンの他の形状を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの他の形状を示す図である。
【図２６】本発明の他の実施形態において、電子部品に代えて、他の配線板を内蔵する配線板を示す図である。
【図２７】本発明の他の実施形態において、より簡素な構造を有する配線板を示す図である。
【図２８】本発明の他の実施形態において、片面配線板を示す図である。
【図２９】本発明の他の実施形態において、より多層な構造を有する配線板を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施形態において、ＩＣチップを内蔵する配線板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１１】
相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面又は第３面（Ｚ１側の面）、第２面又は第４面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。また、Ｘ−Ｙ平面において、キャビティ（より詳しくはその重心）から離れる側を外側といい、キャビティに近づく側を内側という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。平面形状は、特に指定がなければ、Ｘ−Ｙ平面の形状を意味する。
【００１２】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００１３】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。
【００１４】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００１５】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００１６】
電子デバイスがキャビティ内に配置されることには、電子デバイスの全体がキャビティに完全に収容されることのほか、電子デバイスの一部のみがキャビティに配置されることも含まれる。
【００１７】
「接続」には、継ぎ目がある場合のほか、継ぎ目がない場合も含まれる。継ぎ目がある場合とは、例えば別々に形成された２つの物体が接着剤等で接合されている場合をいう。継ぎ目がない場合とは、例えば２つの部分が連続的（一体的）に形成され、それらの間に何も介在しない場合をいう。
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
本実施形態に係る配線板１０は、図１に示すように、基板１００（絶縁基板）と、絶縁層１０１及び１０２（層間絶縁層）と、導体層１１０及び１２０と、電子部品２００（電子デバイス）と、ソルダーレジスト１１、１２と、を有する。電子部品２００は、配線板１０に内蔵される。なお、本実施形態の配線板１０は、リジッド配線板である。ただし、配線板１０は、フレキシブル配線板であってもよい。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。また、電子部品２００の表裏面（２つの主面）のうち、第１面Ｆ１と同じ方向を向く面を第３面Ｆ３といい、他方を第４面Ｆ４という。
【００２０】
基板１００は、絶縁性を有し、配線板１０のコア基板となる。基板１００（コア基板）にはスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａ内に導体（例えば銅めっき）が充填されることにより、スルーホール導体３００ｂが形成される。スルーホール導体３００ｂの形状は、例えば鼓状である。すなわち、スルーホール導体３００ｂは括れ部３００ｃを有し、スルーホール導体３００ｂの幅は、第１面Ｆ１から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなり、また、第２面Ｆ２から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなる。しかしこれに限られず、スルーホール導体３００ｂの形状は任意であり、例えば略円柱であってもよい。
【００２１】
基板１００の第１面Ｆ１上には導体層３０１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上には導体層３０２が形成される。導体層３０１、３０２にはそれぞれ、スルーホール導体３００ｂのランドが含まれる。
【００２２】
基板１００にはキャビティＲ１０が形成され、キャビティＲ１０には電子部品２００が収容される。電子部品２００は、キャビティＲ１０に配置されることにより、基板１００の側方（Ｘ方向又はＹ方向）に位置する。本実施形態では、電子部品２００の略全体がキャビティＲ１０に完全に収容される。しかしこれに限られず、電子部品２００の一部のみがキャビティＲ１０に配置されてもよい。本実施形態では、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間に、絶縁体１０１ａが充填される。本実施形態では、絶縁体１０１ａが、上層の絶縁層１０１（詳しくは樹脂絶縁層）を構成する絶縁材料（詳しくは樹脂）からなる（図１６Ａ参照）。絶縁体１０１ａは、基板１００及び電子部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。絶縁体１０１ａは、電子部品２００の周りを完全に覆う。これにより、電子部品２００が、絶縁体１０１ａ（樹脂）で保護されるとともに、所定の位置に固定される。
【００２３】
絶縁層１０１は、基板１００の第１面Ｆ１上及び電子部品２００の第３面Ｆ３上に形成される。絶縁層１０２は、基板１００の第２面Ｆ２上及び電子部品２００の第４面Ｆ４上に形成される。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する孔からなり、絶縁層１０１がキャビティＲ１０（孔）の一方（第１面Ｆ１側）の開口を塞ぎ、絶縁層１０２がキャビティＲ１０（孔）の他方（第２面Ｆ２側）の開口を塞いでいる。導体層１１０は、絶縁層１０１上に形成され、導体層１２０は、絶縁層１０２上に形成される。本実施形態では、導体層１１０及び１２０が、最外層となる。ただしこれに限られず、より多くの層間絶縁層及び導体層を積層してもよい（後述の図２９参照）。
【００２４】
導体層１１０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１２０は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層１１０、１２０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａが形成されている。このため、導体層１１０の所定の部位（開口部１１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層１２０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となる（後述の図２０参照）。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。
【００２５】
本実施形態では、パッドＰ１、Ｐ２が、その表面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を有する。耐食層は、電解めっき又はスパッタリング等により形成することができる。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。なお、耐食層は必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。
【００２６】
絶縁層１０１には孔３１１ａ及び３１２ａ（ビアホール）が形成され、絶縁層１０２には孔３２１ａ及び３２２ａ（ビアホール）が形成されている。孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内にそれぞれ導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、各孔内の導体がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ（フィルド導体）となる。孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、電子部品２００の電極２１０及び２２０に達し、ビア導体３１１ｂ及び３２１ｂはそれぞれ、基板１００の第１面Ｆ１側又は第２面Ｆ２側から、電子部品２００の電極２１０、２２０に電気的に接続される。このように、本実施形態では、電子部品２００が両面からビア導体３１１ｂ及び３２１ｂに接続されている。以下、この構造を、両面ビア構造という。
【００２７】
上記両面ビア構造により、電子部品２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１１ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、電子部品２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２１ｂを介して、互いに電気的に接続される。
【００２８】
また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１２ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２２ｂを介して、互いに電気的に接続される。また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２とは、スルーホール導体３００ｂを介して、互いに電気的に接続されている。ビア導体３１２ｂ、３２２ｂ及びスルーホール導体３００ｂは、いずれもフィルド導体であり、これらはＺ方向にスタックされている。
【００２９】
電子部品２００は、例えば図２に示すように、チップ型のＭＬＣＣ（積層セラミック・コンデンサ）であり、コンデンサ本体２０１と、Ｕ字状の電極２１０及び２２０と、を有する。コンデンサ本体２０１は、複数の誘電層２３１〜２３９と複数の導体層２１１〜２１４及び２２１〜２２４とが交互に積層されて構成される。誘電層２３１〜２３９はそれぞれ、例えばセラミックからなる。電極２１０及び２２０は、コンデンサ本体２０１の両端部にそれぞれ形成されている。コンデンサ本体２０１は、下面（第４面Ｆ４側の面）から、側面、そして上面（第３面Ｆ３側の面）にかけて、電極２１０及び２２０で覆われる。以下、電極２１０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２１０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２１０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２１０ｃという。また、電極２２０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２２０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２２０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２２０ｃという。
【００３０】
電極２１０と電極２２０との間に位置するコンデンサ本体２０１の中央部は、図２に示されるように、電極２１０、２２０に覆われず、誘電層２３１、２３９（セラミック）が露出するため、比較的強度が弱くなる。しかし、電子部品２００が配線板１０に実装（内蔵）された状態においては、コンデンサ本体２０１の中央部は絶縁体１０１ａ（樹脂）で覆われるため、絶縁体１０１ａにより、コンデンサ本体２０１が保護されると考えられる。
【００３１】
図３に、電子部品２００が基板１００（コア基板）のキャビティＲ１０に収容された状態を示す。
【００３２】
基板１００、絶縁層１０１、１０２、ソルダーレジスト１１、１２、及び電子部品２００の形状は、それぞれ例えば矩形板状である。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する。キャビティＲ１０の両端（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）の開口形状はそれぞれ、略長方形になっている。電子部品２００の主面の形状は、例えば略長方形である。本実施形態では、電子部品２００がキャビティＲ１０に対応した平面形状（例えば略同じ大きさの相似形）を有し、電子部品２００の厚さとキャビティＲ１０（孔）の深さとは、略一致する。また、基板１００の厚さと電子部品２００の厚さも、略一致する。しかしこれに限定されず、キャビティＲ１０の形状及び寸法は任意である。
【００３３】
ここで、図３中に示す各寸法の好ましい値の一例を示す。
【００３４】
キャビティＲ１０の長手方向の幅Ｄ１は、例えば約１０８０μｍであり、キャビティＲ１０の短手方向の幅Ｄ２は、例えば約５８０μｍである。電子部品２００の長手方向の幅Ｄ１１は、例えば約１０００μｍであり、電子部品２００の短手方向の幅Ｄ１２は、例えば約５００μｍである。電子部品２００とキャビティＲ１０との隙間の長手方向の幅Ｄ３は、例えば約４０μｍ（クリアランスは２倍の約８０μｍ）であり、電子部品２００とキャビティＲ１０との隙間の短手方向の幅Ｄ４は、例えば約４０μｍ（クリアランスは２倍の約８０μｍ）である。電極２１０の上部２１０ａもしくは下部２１０ｃ、又は、電極２２０の上部２２０ａもしくは下部２２０ｃの幅Ｄ１３は、例えば約２３０μｍである。
【００３５】
ビア導体３１１ｂとビア導体３２１ｂとは、例えば電子部品２００を挟んで、互いに対向するように配置される。ビア導体３１１ｂ又は３２１ｂのピッチＤ５は、例えば約７７０μｍである。
【００３６】
基板１００の厚さは、例えば約１００μｍである。電子部品２００の厚さ（電極まで含めた厚さ）は、例えば約１５０μｍである。配線板１０の厚さ（ソルダーレジスト１１からソルダーレジスト１２までの厚さ）は、例えば約２９０μｍである。
【００３７】
基板１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、基板１００の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。基板１００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００３８】
本実施形態では、絶縁層１０１、１０２の各々が、心材を樹脂に含浸してなる。絶縁層１０１が心材を含む樹脂からなることで、絶縁層１０１における隙間Ｒ０（図４参照）の直上領域Ｒ１に窪みＲ１１が形成されにくくなり、窪みＲ１１上に形成される導体パターンの断線が抑制されるようになる。絶縁層１０１、１０２は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限定されず、例えば絶縁層１０１、１０２は心材を含まない樹脂からなってもよい。また、絶縁層１０１、１０２の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００３９】
ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂの各々は、例えば銅めっきからなる。これらビア導体３１１ｂ等の形状は、例えば基板１００（コア基板）又は電子部品２００から上層に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、ビア導体の形状は任意である。
【００４０】
導体層１１０は、銅箔１１１（下層）と、銅めっき１１２（上層）と、から構成され、導体層１２０は、銅箔１２１（下層）と、銅めっき１２２（上層）と、から構成される。導体層１１０、１２０は、例えば電気回路（例えば電子部品２００を含む電気回路）を構成する配線、ランド、及び配線板１０の強度を高めるためのベタパターンなどを有する。
【００４１】
各導体層及び各ビア導体の材料は、導体であれば任意であり、金属でも非金属でもよい。各導体層及び各ビア導体は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００４２】
本実施形態では、図４に示すように、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０には絶縁体１０１ａが充填される。絶縁体１０１ａは、例えば絶縁層１０１から流出した樹脂である（図１６Ａ参照）。このため、絶縁体１０１ａが隙間Ｒ０に充填される際、絶縁層１０１における隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１には、隙間Ｒ０に基づく窪みＲ１１が形成される。すなわち、絶縁層１０１は、隙間Ｒ０の直上に窪みＲ１１を有する。また、窪みＲ１１上に形成される導体パターン（導体層１１０）にも、窪みＲ１１の形状に基づく窪みＲ１２が形成される。
【００４３】
本実施形態では、図５に示すように、導体層１１０が、隙間Ｒ０の直上において部分的に拡幅される導体パターン１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄを有する。
【００４４】
詳しくは、これら導体パターン１１０ａ〜１１０ｄはいずれも、第１ストレート部Ｓ１と、幅が広い部分Ｅと、第２ストレート部Ｓ２とが、この順で続けて接続された部分を有する。これら第１ストレート部Ｓ１、幅が広い部分Ｅ、及び第２ストレート部Ｓ２は、相互に一体的に接続され、各々が配線として機能する。また、導体パターン１１０ａ及び１１０ｄはそれぞれ、第１ストレート部Ｓ１に電気的に接続され第１の端子となるランドＬ１と、第２ストレート部Ｓ２に電気的に接続され第２の端子となるランドＬ２と、をさらに有する。ランドＬ２は、例えばパッドＰ１（図１）として機能する。すなわち、導体パターン１１０ａ及び１１０ｄでは、幅が広い部分Ｅが、配線（第２ストレート部Ｓ２）を介して、パッドＰ１（ランドＬ２）と接続される。また、導体パターン１１０ｂと導体パターン１１０ｃとは、屈曲部Ｂを介して、互いに電気的に接続されている。導体パターン１１０ａ又は１１０ｄのランドＬ１は、ビア導体３１１ｂ（図１）を介して、電子部品２００の電極２１０又は２２０と電気的に接続される。
【００４５】
第１ストレート部Ｓ１及び第２ストレート部Ｓ２は、それぞれ略一定の幅を有する。本実施形態では、第１ストレート部Ｓ１が内側（電子部品２００に近い側）に位置し、第２ストレート部Ｓ２が外側（電子部品２００から遠い側）に位置する。
【００４６】
幅が広い部分Ｅは、第１ストレート部Ｓ１との接続部位から第２ストレート部Ｓ２との接続部位までの略全域において第１ストレート部Ｓ１及び第２ストレート部Ｓ２のいずれよりも大きな幅をもって、隙間Ｒ０の直上に配置される。導体パターン１１０ａ〜１１０ｄの各々は、幅が広い部分Ｅにおいて部分的に拡幅されている。本実施形態では、図４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも大きな幅を有することで、導体パターン１１０ａ〜１１０ｄ（図５）の幅が広い部分Ｅの各々が、窪みＲ１１内及びその周辺（少なくとも窪みＲ１１の縁を含む）に形成される。
【００４７】
本実施形態では、導体層１１０が、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上において部分的に拡幅される導体パターンを有する。そして、その拡幅された部分（幅が広い部分Ｅ）では、導体パターンの幅が大きくなることで、幅が広い部分Ｅの強度は高くなる。このため、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上に配置された導体パターン（導体層１１０）の断線は抑制され、配線板１０における電気的接続の信頼性が向上する。
【００４８】
導体パターンの強度を高めるためには、導体パターンの厚さを大きくすることも考えられる。しかしながら、導体パターンの厚さを大きくする場合には、めっき工程の回数を増やすなど、製造工程が複雑になり易い。この点、導体パターンの幅を大きくする場合は、パターニング工程におけるパターン（例えばレジストパターン）を変更するだけで実現可能なため、簡素な製造工程を維持し易い。
【００４９】
導体パターンの断線を抑制するためには、導体パターン全体の幅を大きくすることも考えられる。しかしながら、導体パターンの断線しにくい部分まで幅を大きくすると、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００５０】
この点、本実施形態では、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１において部分的に導体パターン１１０ａ〜１１０ｄを拡幅している（図５参照）。隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１は、窪みＲ１１に起因して、又は、絶縁体１０１ａと基板１００及び電子部品２００との熱膨張係数の差異に起因して、導体パターンが特に断線し易い。こうした断線し易い部分における導体パターンの幅を選択的に大きくすることで、配線スペースを確保しつつ、導体パターンの断線を抑制することが可能になる。
【００５１】
また、導体パターンの断線を抑制するためには、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１を避けて導体パターンを形成することも考えられる。しかしながら、直上領域Ｒ１に導体パターンを形成することができなくなると、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００５２】
この点、本実施形態の配線板１０では、電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１にも導体パターンを形成することができるため、配線スペースを確保し易くなる。
【００５３】
本実施形態では、基板１００（絶縁基板）が配線板１０のコア基板に相当し、導体層１１０とは反対側（第２面Ｆ２側）の最外層（導体層１２０）に、電子部品を実装するためのパッドＰ２が形成される（後述の図２０参照）。このため、幅が広い部分Ｅを有する導体層１１０を、電子部品実装面とは反対側（例えばマザーボードに接続される側）に設けることが可能になり、パッドＰ２に実装される電子部品のために高密度配線が必要になった場合でも、そのためのファインパターンを形成し易くなる。こうしたファインパターンは、例えば導体層１２０に形成することができる。
【００５４】
図５に示されるように、本実施形態では、幅が広い部分Ｅの形状が略楕円である。しかしこれに限られず、幅が広い部分Ｅの形状は任意である（後述の図２１Ａ〜図２３参照）。
【００５５】
図６Ａ中の各寸法について、幅が広い部分Ｅの幅Ｄ３２が、第１ストレート部Ｓ１の幅Ｄ３１の約１．３〜約５倍の範囲にあることが好ましく、加えて、幅が広い部分Ｅの幅Ｄ３２も、第２ストレート部Ｓ２の幅Ｄ３３の約１．３〜約５倍の範囲にあることが、特に好ましい。
【００５６】
なお、幅が広い部分Ｅの幅が一定でない場合は、図６に示すように、幅が広い部分Ｅの最大幅が上述の幅Ｄ３２に相当し、幅が広い部分Ｅの最大幅（幅Ｄ３２）が、第１ストレート部Ｓ１の幅Ｄ３１及び第２ストレート部Ｓ２の幅Ｄ３３の少なくとも一方の約１．３〜約５倍の範囲にあれば、上述の効果に準ずる効果が得られると考えられる。
【００５７】
第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２の少なくとも一方においては、導体パターンの幅が約９０°未満の角度で拡幅されることが好ましいと考えられる。これにより、応力集中が緩和され、また、形成が容易になると考えられる。
【００５８】
なお、幅が広い部分Ｅの形状が略楕円である場合は、図７に示すように、接続部位Ｃ１又はＣ２における接線に基づき、接続部位Ｃ１の拡幅角度θ１又は接続部位Ｃ２の拡幅角度θ２が決定される。拡幅角度θ１は約９０°未満であることが好ましく、加えて、拡幅角度θ２も、約９０°未満であることが特に好ましいと考えられる。
【００５９】
以下、図８等を参照して、配線板１０の製造方法について説明する。図８は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。
【００６０】
ステップＳ１１では、図９に示すように、配線板１０００（出発材料）を準備する。本実施形態では、配線板１０００が、基板１００（絶縁基板）と、基板１００の第１面Ｆ１上に形成された導体層３０１と、基板１００の第２面Ｆ２上に形成された導体層３０２と、スルーホール導体３００ｂと、から構成される。基板１００は、例えば完全に硬化したガラエポからなる。導体層３０１及び３０２はそれぞれ、例えば銅箔（下層）、無電解めっき（中間層）、及び電解めっき（上層）の３層構造からなる。
【００６１】
鼓状のスルーホール３００ａは、例えば両面に銅箔が形成された基板１００（両面銅張積層板）の両側からレーザを照射することにより、形成することができる。そして、基板１００上に銅箔が、また、基板１００内にスルーホール３００ａが、それぞれ形成された状態で、例えば銅の電解めっきを行うことにより、導体層３０１、３０２、及びスルーホール導体３００ｂを形成することができる。
【００６２】
上記レーザ照射の後、スルーホール３００ａにデスミアを行うことが好ましいと考えられる。デスミアにより、不要な導通（ショート）が抑制される。また、必要に応じて、エッチング等により、導体層３０１及び３０２の表面を粗化することが好ましいと考えられる。
【００６３】
本実施形態では、図１０Ａに示すように、基板１００上、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００には、導体層３０１が形成されない。導体層３０１がこうした導体パターンを有すると、キャビティＲ１０の位置及び形状が明確になるため、後の工程（図８のステップＳ１２）において、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。
【００６４】
ただし、導体層３０１の導体パターンは、図１０Ａに示すパターンに限られない。例えば図１０Ｂに示すように、基板１００上の、後の工程（図８のステップＳ１２）においてレーザを照射する部分（以下、レーザ照射路という）のみ、導体層３０１が形成されていなくてもよい。この場合、レーザ照射路の内側には、導体層３０１が存在する。こうした導体層３０１であっても、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。
【００６５】
また、本実施形態では、図１０Ａに示すように、導体層３０１がアライメントマーク３０１ａを有する。アライメントマーク３０１ａは、例えば後の工程（図８のステップＳ１３）において光学的に認識できるパターンであり、例えばエッチング等により、部分的に導体を除去することによって形成することができる。本実施形態では、アライメントマーク３０１ａが、領域Ｒ１００の周囲（例えば４隅）に配置される。ただしこれに限られず、アライメントマーク３０１ａの配置及び形状は任意である。
【００６６】
続けて、図８のステップＳ１２で、基板１００にキャビティＲ１０を形成する。具体的には、例えば図１０Ａに示すように、四角形を描くようにレーザを照射することにより、基板１００における、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００を、その周りの部分から切り取る。レーザの照射角度は、例えば基板１００の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。これにより、図１１に示すように、キャビティＲ１０が形成される。本実施形態では、キャビティＲ１０をレーザにより形成するため、キャビティＲ１０が容易に得られる。キャビティＲ１０は、電子部品２００の収容スペースとなる。
【００６７】
続けて、図８のステップＳ１３で、電子部品２００を、基板１００のキャビティＲ１０に配置する。
【００６８】
具体的には、図１２に示すように、例えばＰＥＴ（ポリ・エチレン・テレフタレート）からなるキャリア１００１を、基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより、キャビティＲ１０（孔）の一方の開口がキャリア１００１で塞がれる。本実施形態では、キャリア１００１が、粘着シート（例えばテープ）からなり、基板１００側に粘着性を有する。キャリア１００１は、例えばラミネートにより、基板１００と接着される。
【００６９】
続けて、図１３に示すように、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）から、キャビティＲ１０に電子部品２００を入れる。電子部品２００は、例えば部品実装機によりキャビティＲ１０に入れ込まれる。例えば電子部品２００は、真空チャック等により保持され、キャビティＲ１０の上方（Ｚ１側）に運ばれた後、そこから鉛直方向に沿って下降し、キャビティＲ１０に入れられる。これにより、図１４に示すように、キャリア１００１（粘着シート）上に、電子部品２００が配置される。なお、電子部品２００の位置決めをする際には、アライメントマーク３０１ａ（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）を用いることが好ましい。そうすることで、電子部品２００とキャビティＲ１０との位置合わせの精度を高めることが可能になると考えられる。
【００７０】
続けて、図８のステップＳ１４で、図１５に示すように、半硬化の状態で、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）の、基板１００の第１面Ｆ１上及び電子部品２００の第３面Ｆ３上に、絶縁層１０１（第１の層間絶縁層）を形成する。さらに、絶縁層１０１上に、銅箔１１１（第１の銅箔）を形成する。絶縁層１０１は、例えば熱硬化性を有するエポキシ樹脂のプリプレグからなる。続けて、図１６Ａに示すように、絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、絶縁層１０１から樹脂を流出させてキャビティＲ１０へ流し込む。これにより、図１６Ｂに示すように、キャビティＲ１０における基板１００と電子部品２００との間に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。そして、絶縁層１０１における隙間Ｒ０（図４参照）の直上領域Ｒ１に窪みＲ１１が形成される。この際、基板１００と電子部品２００との隙間が狭ければ、電子部品２００の固定が弱くても、樹脂がキャビティＲ１０へ流れ込む勢いで、電子部品２００の位置ずれや、好ましくない傾きは生じにくい。なお、絶縁体１０１ａは、基板１００及び電子部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。
【００７１】
キャビティＲ１０に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）と電子部品２００との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂に電子部品２００を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア１００１に支持されていた電子部品２００が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア１００１を除去する。
【００７２】
なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。
【００７３】
続けて、図８のステップＳ１５で、基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う。
【００７４】
具体的には、図１７に示すように、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２の層間絶縁層）及び銅箔１２１（第２の銅箔）を形成する。電子部品２００の電極２１０及び２２０はそれぞれ、絶縁層１０２で覆われる。例えばプレスにより、絶縁層１０２をプリプレグの状態で基板１００に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。本実施形態では、粘着シート（キャリア１００１）を除去した後に、キャビティＲ１０に充填した樹脂を硬化させるため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、基板１００の反りが抑制されるため、基板１００を薄くし易くなる。
【００７５】
続く図８のステップＳ１６では、ビア導体及び導体層を形成する。
【００７６】
詳しくは、図１８Ａに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１及び銅箔１１１に孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２及び銅箔１２１に孔３２１ａ及び３２２ａ（それぞれビアホール）を形成する。孔３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１及び銅箔１１１を貫通し、孔３２１ａ及び３２２ａの各々は絶縁層１０２及び銅箔１２１を貫通する。そして、孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、電子部品２００の電極２１０又は２２０に至り、孔３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂの直上に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００７７】
続けて、例えば化学めっき法により、銅箔１１１、１２１上及び孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００３、１００４を形成する（図１８Ｂ参照）。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させてもよい。
【００７８】
続けて、リソグラフィ技術又は印刷等により、第１面Ｆ１側の主面（無電解めっき膜１００３上）に、開口部１００５ａを有するめっきレジスト１００５を、また、第２面Ｆ２側の主面（無電解めっき膜１００４上）に、開口部１００６ａを有するめっきレジスト１００６を、それぞれ形成する（図１８Ｂ参照）。この際、所望のパターンを有するめっきレジストを用いることで、幅が広い部分Ｅ等（図５参照）を形成することができる。開口部１００５ａ、１００６ａはそれぞれ、導体層１１０、１２０（図１）に対応したパターンを有する。
【００７９】
続けて、図１８Ｂに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００５、１００６の開口部１００５ａ、１００６ａに、それぞれ例えば銅の電解めっき１００７、１００８を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００３、１００４を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜１００３、１００４の表面に銅を析出させる。これにより、孔３１１ａ及び３１２ａ、孔３２１ａ及び３２２ａに、それぞれ電解めっき１００７、１００８が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂが形成される。
【００８０】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００５及び１００６を除去し、続けて不要な無電解めっき膜１００３、１００４及び銅箔１１１、１２１を除去することにより、図１９に示すように、導体パターン１１０ａ〜１１０ｄ（図５参照）を含む導体層１１０及び導体層１２０が形成される。
【００８１】
なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜１００３、１００４に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【００８２】
その後、図８のステップＳ１７で、絶縁層１０１、１０２上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト１２を形成する（図１参照）。導体層１１０、１２０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト１１、１２で覆われる。ソルダーレジスト１１及び１２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。
【００８３】
続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１１０、１２０上、詳しくはソルダーレジスト１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。
【００８４】
こうして、基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１、導体層１１０、及びソルダーレジスト１１から構成されるビルドアップ部が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２、導体層１２０、及びソルダーレジスト１２から構成されるビルドアップ部が形成される。その結果、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。その後、必要があれば、電子部品２００の電気テスト（容量値及び絶縁性などのチェック）を行う。
【００８５】
本実施形態の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。
【００８６】
本実施形態の配線板１０は、例えば電子部品又は他の配線板と電気的に接続することができる。例えば図２０に示すように、半田等により、配線板１０のパッドＰ２に電子部品４００（例えばＩＣチップ）を実装することができる。また、パッドＰ１により、配線板１０を他の配線板５００（例えばマザーボード）に実装することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば携帯電話の回路基板として用いることができる。
【００８７】
（他の実施形態）
各導体パターンにおける幅が広い部分Ｅの平面形状は、図５に示される略楕円に限られず任意である。例えば図２１Ａに示すように略長方形であってもよく、図２１Ｂに示すように略菱形であってもよく、その他の形状、例えば略平行四辺形などであってもよい。
【００８８】
図２２Ａに示すように、第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１における拡幅角度θ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２における拡幅角度θ２を、約９０°にしてもよい。しかしながら、応力集中の緩和や加工容易性を考慮すると、図２２Ｂに示すように、第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２の少なくとも一方において、導体パターンの幅が約９０°未満の角度で拡幅されることが好ましいと考えられる。
【００８９】
図２３に示すように、異なる形状の幅が広い部分Ｅを有する複数の導体パターン１１０ａ〜１１０ｅを有する配線板であってもよい。図２３の例における各導体パターンの幅が広い部分Ｅの平面形状は、導体パターン１１０ａでは略長方形であり、導体パターン１１０ｂ、１１０ｃでは略楕円であり、導体パターン１１０ｄでは略菱形であり、導体パターン１１０ｅでは略平行四辺形である。
【００９０】
図２４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも小さな幅を有し、窪みＲ１１内に形成される導体パターン（導体層１１０）の一部のみが幅が広い部分Ｅになっていてもよい。ただし、断線を抑制する上では、図４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも大きな幅を有し、幅が広い部分Ｅが、窪みＲ１１内だけでなく窪みＲ１１の周辺（少なくとも窪みＲ１１の縁を含む）まで形成されていることが好ましい。
【００９１】
電子部品２００及びキャビティＲ１０の形状は任意である。例えば図２５に示すように、キャビティＲ１０の開口形状が略楕円であってもよい。電子部品２００の主面の形状、及びキャビティＲ１０の開口形状は、略円（略真円）であってもよく、また、略正方形、略正六角形、略正八角形など、略長方形以外の略多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。
【００９２】
配線板１０に内蔵されるものは電子部品２００に限られず、例えば図２６に示すように、他の配線板６００であってもよい。図２６の例では、配線板６００はキャビティＲ１０に収容され、配線板６００のパッドＰ３、Ｐ４（外部接続端子）がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３２１ｂを介して、導体層１１０、１２０（厳密にいえばその導体パターン）と電気的に接続される。配線板６００は、例えば各導体層がファインな導体パターンを有することにより、又は導体層間の層間絶縁層が薄くなっていることにより、配線板１０よりも高い密度で導体を有していることが好ましい。
【００９３】
上記実施形態では、電子部品２００について両面ビア構造を有していたが、これに限定されない。例えば図２７に示すように、電子部品２００の電極２１０、２２０に電気的に接続するビア導体３２１ｂを片側のみに有する配線板であってもよい。
【００９４】
上記実施形態では、キャビティＲ１０（電子部品２００の収容スペース）に電子部品２００を１つのみ有する配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えばキャビティＲ１０に複数の電子部品２００を有する配線板であってもよい。複数の電子部品２００は、積層方向（Ｚ方向）に並べて配置しても、Ｘ方向又はＹ方向に並べて配置してもよい。また、複数のキャビティＲ１０を形成してもよい。
【００９５】
上記実施形態では、コア基板の両側に導体層を有する両面配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えば図２８に示すように、コア基板（基板１００）の片側のみに導体層を有する片面配線板であってもよい。
【００９６】
また、例えば図２８に示されるように、キャビティＲ１０（電子部品２００の収容スペース）は、基板１００を貫通しない孔（凹部）であってもよい。この場合も、電子部品２００の厚さとキャビティＲ１０（孔）の深さとは、略一致することが好ましいと考えられる。
【００９７】
上記実施形態では、基板１００の厚さと電子部品２００の厚さとが略一致している例を示したが、これに限られない。例えば図２８に示されるように、電子部品２００の厚さよりも基板１００の厚さの方が大きくてもよい。
【００９８】
コア基板の片側に２層以上のビルドアップ層を有する配線板であってもよい。例えば図２９に示すように、基板１００の第１面Ｆ１側に、２層の絶縁層１０１、１０３と２層の導体層１１０、１３０とが交互に積層されてもよい。図２９の例では、絶縁層１０３に孔３３１ａ（ビアホール）が形成されており、孔３３１ａ内に導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、その孔３３１ａ内の導体がビア導体３３１ｂ（フィルド導体）となる。絶縁層１０１上の導体層１１０と絶縁層１０３上の導体層１３０とは、ビア導体３３１ｂを介して、互いに電気的に接続される。
【００９９】
図２９に示すように、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数が異なっていてもよい。ただし、応力を緩和するためには、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。
【０１００】
配線板１０の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１０１】
電子部品２００の電極２１０及び２２０の形状は、Ｕ字形状に限定されず、例えば平板状の電極対でコンデンサ本体２０１を挟むものであってもよい。
【０１０２】
電子部品２００の種類は、任意である。例えばコンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品のほか、ＩＣ回路等の能動部品など、任意の電子部品を採用することができる。例えば図３０に示すように、基板１００のキャビティＲ１０に、ＩＣチップからなる電子部品２００を配置し、絶縁材（接着剤２００ｂ及び絶縁体１０１ａ）で固定してもよい。図３０の例では、電子部品２００が第４面Ｆ４側にパッド２００ａを有し、電子部品２００の第４面Ｆ４は接着剤２００ｂで覆われている。また、導体層１１０は、基板１００上に配置される導体パターンＰＴ１と、キャビティＲ１０に充填された絶縁材（接着剤２００ｂ及び絶縁体１０１ａ）上に配置される導体パターンＰＴ２と、を有し、電子部品２００のパッド２００ａと導体パターンＰＴ２とが、接着剤２００ｂに形成されたビアホール内の導体（ビア導体２００ｃ）を介して、互いに電気的に接続されている。なお、接着剤２００ｂは、例えば製造過程でＩＣチップ（電子部品２００）を支持板に固定するために用いられる。
【０１０３】
また、図３０の例において、導体層１１０及び１２０はそれぞれ、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１に、幅が広い部分Ｅを有する。ここで、導体層１１０の幅が広い部分Ｅは、上記実施形態の幅が広い部分Ｅ（図４及び図５参照）と同様、窪みＲ１１内及びその周辺に形成され、導体層１１０での断線を抑制する。一方、導体層１２０の幅が広い部分Ｅは、例えば導体パターンＰＴ１、ＰＴ２間の境界部（基板１００とキャビティＲ１０内の絶縁材との境界部）、又は電子部品２００のエッジ部（電子部品２００とキャビティＲ１０内の絶縁材との境界部）など、異なる材料間の境界部の直上に配置されることが好ましい。異なる材料間の境界部の直上では、それら材料間の熱膨張率の差異に起因して断線が起こり易くなるため、幅が広い部分Ｅにより補強して導体層１２０での断線を抑制することが望ましい。
【０１０４】
例えばビア導体３１１ｂ等は、フィルド導体に限られず、例えばコンフォーマル導体であってもよい。
【０１０５】
電子部品２００をビア接続（ビア導体３１１ｂ、３２１ｂ）で実装せず、ワイヤボンディング接続など、他の手法で実装してもよい。
【０１０６】
配線板の製造工程は、上記図８に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１０７】
例えば各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。
【０１０８】
また、レーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましいと考えられる。
【０１０９】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。例えば図２１Ａ〜図２６のいずれかに示した構造を、図２７〜図３０のいずれかに示した構造に適用してもよい。
【０１１０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の配線板は、内蔵される電子部品の電気回路の形成に適している。また、本発明に係る配線板の製造方法は、配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１１２】
１０ 配線板
１１、１２ ソルダーレジスト
１１ａ、１２ａ 開口部
１００ 基板
１０１〜１０３ 絶縁層
１０１ａ 絶縁体
１１０、１２０、１３０ 導体層
１１０ａ〜１１０ｅ 導体パターン
１１１、１２１ 銅箔
１１２、１２２ 銅めっき
２００ 電子部品
２００ａ パッド
２００ｂ 接着剤
２００ｃ ビア導体
２０１ コンデンサ本体
２１０、２２０ 電極
２１０ａ、２２０ａ 上部
２１０ｂ、２２０ｂ 側部
２１０ｃ、２２０ｃ 下部
２１１〜２１４ 導体層
２２１〜２２４ 導体層
２３１〜２３９ 誘電層
３００ａ スルーホール
３００ｂ スルーホール導体
３００ｃ 括れ部
３０１、３０２ 導体層
３０１ａ アライメントマーク
３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ、３３１ａ 孔
３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ、３３１ｂ ビア導体
４００ 電子部品
５００ 配線板
６００ 配線板
１０００ 配線板
１００１ キャリア
Ｂ 屈曲部
Ｅ 幅が広い部分
Ｃ１、Ｃ２ 接続部位
Ｌ１、Ｌ２ ランド
Ｐ１〜Ｐ４ パッド
ＰＴ１、ＰＴ２ 導体パターン
Ｒ１ 直上領域
Ｒ１０ キャビティ
Ｒ１００ 領域
Ｓ１ 第１ストレート部
Ｓ２ 第２ストレート部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、キャビティが形成された絶縁基板と、キャビティ内に配置され、絶縁基板の側方に位置するコンデンサと、絶縁基板上及びコンデンサ上に配置される層間絶縁層と、層間絶縁層上に配置される導体層と、を有し、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間に、層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填されてなる配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、絶縁基板とコンデンサとの隙間に、層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填されるため、層間絶縁層における隙間の直上領域には、その隙間に基づく窪みが形成され易くなる。そして、こうした窪みを有する面上に配線が形成されると、平坦な面上に配線が形成される場合よりも配線に応力が加わり易くなるため、その配線は窪み周辺で断線し易くなる。また、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間に充填される絶縁材料は、絶縁基板及びコンデンサのいずれよりも大きな熱膨張係数を有すると考えられるため、隙間周辺においては熱応力により歪みが生じ易くなる。こうした歪みが生じると、隙間の直上領域にある配線が断線し易くなる。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることを可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、キャビティが形成された絶縁基板と、前記キャビティ内に配置される電子デバイスと、前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に配置される層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配置される導体層と、を有する配線板において、前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間には、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填され、前記導体層は、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、キャビティが形成された絶縁基板を準備することと、前記キャビティ内に電子デバイスを配置することと、前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に、層間絶縁層を形成することと、前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間に、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料を充填することと、前記層間絶縁層上に、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する導体層を形成することと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、キャビティにおける絶縁基板とコンデンサとの隙間の直上に配置された導体パターンの断線を抑制し、配線板における電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板に内蔵されるコンデンサの断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティに収容されたコンデンサの配置及び形態を示す平面図である。
【図４】図１中の層間絶縁層に形成される窪みの拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分を有する導体パターンの形態を示す平面図である。
【図６】図５に示す導体パターンの拡大図である。
【図７】図６に示す導体パターンについて、拡幅角度を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図８に示す製造方法において、コア基板（絶縁基板）を準備する工程を説明するための図である。
【図１０Ａ】図８に示す製造方法において、キャビティを形成するための第１の方法を説明するための図である。
【図１０Ｂ】図８に示す製造方法において、キャビティを形成するための第２の方法を説明するための図である。
【図１１】図８に示す製造方法において、キャビティ形成後のコア基板を示す図である。
【図１２】図８に示す製造方法において、キャビティが形成されたコア基板をキャリアに取り付ける工程を説明するための図である。
【図１３】図８に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサを配置する工程を説明するための図である。
【図１４】図８に示す製造方法において、キャビティ内にコンデンサが配置された状態を示す図である。
【図１５】図８に示す製造方法において、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第１の層間絶縁層及び第１の銅箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１６Ａ】図８に示す製造方法において、プレス工程を説明するための図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａのプレス後の状態を示す図である。
【図１７】図８に示す製造方法において、キャリア除去後、絶縁基板上及びコンデンサ上に、第２の層間絶縁層及び第２の銅箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】図８に示す製造方法において、第１、第２の層間絶縁層上に導体層を形成し、各導体層とコンデンサの電極とを互いに電気的に接続するための第１の工程を説明するための図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１９】図１８Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る配線板の表面に電子部品が実装された状態を示す図である。
【図２１Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分の形状の第１の別例を示す図である。
【図２１Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、幅が広い部分の形状の第２の別例を示す図である。
【図２２Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、拡幅角度の第１の別例を示す図である。
【図２２Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、拡幅角度の第２の別例を示す図である。
【図２３】本発明の他の実施形態において、異なる形状の幅が広い部分を有する複数の導体パターンを有する配線板を示す平面図である。
【図２４】本発明の実施形態に係る配線板において、窪み周辺に形成される導体パターンの他の形状を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの他の形状を示す図である。
【図２６】本発明の他の実施形態において、電子部品に代えて、他の配線板を内蔵する配線板を示す図である。
【図２７】本発明の他の実施形態において、より簡素な構造を有する配線板を示す図である。
【図２８】本発明の他の実施形態において、片面配線板を示す図である。
【図２９】本発明の他の実施形態において、より多層な構造を有する配線板を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施形態において、ＩＣチップを内蔵する配線板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１１】
相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面又は第３面（Ｚ１側の面）、第２面又は第４面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。また、Ｘ−Ｙ平面において、キャビティ（より詳しくはその重心）から離れる側を外側といい、キャビティに近づく側を内側という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。平面形状は、特に指定がなければ、Ｘ−Ｙ平面の形状を意味する。
【００１２】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００１３】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。
【００１４】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００１５】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００１６】
電子デバイスがキャビティ内に配置されることには、電子デバイスの全体がキャビティに完全に収容されることのほか、電子デバイスの一部のみがキャビティに配置されることも含まれる。
【００１７】
「接続」には、継ぎ目がある場合のほか、継ぎ目がない場合も含まれる。継ぎ目がある場合とは、例えば別々に形成された２つの物体が接着剤等で接合されている場合をいう。継ぎ目がない場合とは、例えば２つの部分が連続的（一体的）に形成され、それらの間に何も介在しない場合をいう。
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
本実施形態に係る配線板１０は、図１に示すように、基板１００（絶縁基板）と、絶縁層１０１及び１０２（層間絶縁層）と、導体層１１０及び１２０と、電子部品２００（電子デバイス）と、ソルダーレジスト１１、１２と、を有する。電子部品２００は、配線板１０に内蔵される。なお、本実施形態の配線板１０は、リジッド配線板である。ただし、配線板１０は、フレキシブル配線板であってもよい。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。また、電子部品２００の表裏面（２つの主面）のうち、第１面Ｆ１と同じ方向を向く面を第３面Ｆ３といい、他方を第４面Ｆ４という。
【００２０】
基板１００は、絶縁性を有し、配線板１０のコア基板となる。基板１００（コア基板）にはスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａ内に導体（例えば銅めっき）が充填されることにより、スルーホール導体３００ｂが形成される。スルーホール導体３００ｂの形状は、例えば鼓状である。すなわち、スルーホール導体３００ｂは括れ部３００ｃを有し、スルーホール導体３００ｂの幅は、第１面Ｆ１から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなり、また、第２面Ｆ２から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなる。しかしこれに限られず、スルーホール導体３００ｂの形状は任意であり、例えば略円柱であってもよい。
【００２１】
基板１００の第１面Ｆ１上には導体層３０１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上には導体層３０２が形成される。導体層３０１、３０２にはそれぞれ、スルーホール導体３００ｂのランドが含まれる。
【００２２】
基板１００にはキャビティＲ１０が形成され、キャビティＲ１０には電子部品２００が収容される。電子部品２００は、キャビティＲ１０に配置されることにより、基板１００の側方（Ｘ方向又はＹ方向）に位置する。本実施形態では、電子部品２００の略全体がキャビティＲ１０に完全に収容される。しかしこれに限られず、電子部品２００の一部のみがキャビティＲ１０に配置されてもよい。本実施形態では、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間に、絶縁体１０１ａが充填される。本実施形態では、絶縁体１０１ａが、上層の絶縁層１０１（詳しくは樹脂絶縁層）を構成する絶縁材料（詳しくは樹脂）からなる（図１６Ａ参照）。絶縁体１０１ａは、基板１００及び電子部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。絶縁体１０１ａは、電子部品２００の周りを完全に覆う。これにより、電子部品２００が、絶縁体１０１ａ（樹脂）で保護されるとともに、所定の位置に固定される。
【００２３】
絶縁層１０１は、基板１００の第１面Ｆ１上及び電子部品２００の第３面Ｆ３上に形成される。絶縁層１０２は、基板１００の第２面Ｆ２上及び電子部品２００の第４面Ｆ４上に形成される。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する孔からなり、絶縁層１０１がキャビティＲ１０（孔）の一方（第１面Ｆ１側）の開口を塞ぎ、絶縁層１０２がキャビティＲ１０（孔）の他方（第２面Ｆ２側）の開口を塞いでいる。導体層１１０は、絶縁層１０１上に形成され、導体層１２０は、絶縁層１０２上に形成される。本実施形態では、導体層１１０及び１２０が、最外層となる。ただしこれに限られず、より多くの層間絶縁層及び導体層を積層してもよい（後述の図２９参照）。
【００２４】
導体層１１０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１２０は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層１１０、１２０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａが形成されている。このため、導体層１１０の所定の部位（開口部１１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層１２０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となる（後述の図２０参照）。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。
【００２５】
本実施形態では、パッドＰ１、Ｐ２が、その表面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を有する。耐食層は、電解めっき又はスパッタリング等により形成することができる。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。なお、耐食層は必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。
【００２６】
絶縁層１０１には孔３１１ａ及び３１２ａ（ビアホール）が形成され、絶縁層１０２には孔３２１ａ及び３２２ａ（ビアホール）が形成されている。孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内にそれぞれ導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、各孔内の導体がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ（フィルド導体）となる。孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、電子部品２００の電極２１０及び２２０に達し、ビア導体３１１ｂ及び３２１ｂはそれぞれ、基板１００の第１面Ｆ１側又は第２面Ｆ２側から、電子部品２００の電極２１０、２２０に電気的に接続される。このように、本実施形態では、電子部品２００が両面からビア導体３１１ｂ及び３２１ｂに接続されている。以下、この構造を、両面ビア構造という。
【００２７】
上記両面ビア構造により、電子部品２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１１ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、電子部品２００の電極２１０、２２０と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２１ｂを介して、互いに電気的に接続される。
【００２８】
また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１２ｂを介して、互いに電気的に接続され、また、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２と絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２２ｂを介して、互いに電気的に接続される。また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２とは、スルーホール導体３００ｂを介して、互いに電気的に接続されている。ビア導体３１２ｂ、３２２ｂ及びスルーホール導体３００ｂは、いずれもフィルド導体であり、これらはＺ方向にスタックされている。
【００２９】
電子部品２００は、例えば図２に示すように、チップ型のＭＬＣＣ（積層セラミック・コンデンサ）であり、コンデンサ本体２０１と、Ｕ字状の電極２１０及び２２０と、を有する。コンデンサ本体２０１は、複数の誘電層２３１〜２３９と複数の導体層２１１〜２１４及び２２１〜２２４とが交互に積層されて構成される。誘電層２３１〜２３９はそれぞれ、例えばセラミックからなる。電極２１０及び２２０は、コンデンサ本体２０１の両端部にそれぞれ形成されている。コンデンサ本体２０１は、下面（第４面Ｆ４側の面）から、側面、そして上面（第３面Ｆ３側の面）にかけて、電極２１０及び２２０で覆われる。以下、電極２１０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２１０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２１０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２１０ｃという。また、電極２２０のうち、コンデンサ本体２０１の上面を覆う部分を上部２２０ａといい、コンデンサ本体２０１の側面を覆う部分を側部２２０ｂといい、コンデンサ本体２０１の下面を覆う部分を下部２２０ｃという。
【００３０】
電極２１０と電極２２０との間に位置するコンデンサ本体２０１の中央部は、図２に示されるように、電極２１０、２２０に覆われず、誘電層２３１、２３９（セラミック）が露出するため、比較的強度が弱くなる。しかし、電子部品２００が配線板１０に実装（内蔵）された状態においては、コンデンサ本体２０１の中央部は絶縁体１０１ａ（樹脂）で覆われるため、絶縁体１０１ａにより、コンデンサ本体２０１が保護されると考えられる。
【００３１】
図３に、電子部品２００が基板１００（コア基板）のキャビティＲ１０に収容された状態を示す。
【００３２】
基板１００、絶縁層１０１、１０２、ソルダーレジスト１１、１２、及び電子部品２００の形状は、それぞれ例えば矩形板状である。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する。キャビティＲ１０の両端（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）の開口形状はそれぞれ、略長方形になっている。電子部品２００の主面の形状は、例えば略長方形である。本実施形態では、電子部品２００がキャビティＲ１０に対応した平面形状（例えば略同じ大きさの相似形）を有し、電子部品２００の厚さとキャビティＲ１０（孔）の深さとは、略一致する。また、基板１００の厚さと電子部品２００の厚さも、略一致する。しかしこれに限定されず、キャビティＲ１０の形状及び寸法は任意である。
【００３３】
ここで、図３中に示す各寸法の好ましい値の一例を示す。
【００３４】
キャビティＲ１０の長手方向の幅Ｄ１は、例えば約１０８０μｍであり、キャビティＲ１０の短手方向の幅Ｄ２は、例えば約５８０μｍである。電子部品２００の長手方向の幅Ｄ１１は、例えば約１０００μｍであり、電子部品２００の短手方向の幅Ｄ１２は、例えば約５００μｍである。電子部品２００とキャビティＲ１０との隙間の長手方向の幅Ｄ３は、例えば約４０μｍ（クリアランスは２倍の約８０μｍ）であり、電子部品２００とキャビティＲ１０との隙間の短手方向の幅Ｄ４は、例えば約４０μｍ（クリアランスは２倍の約８０μｍ）である。電極２１０の上部２１０ａもしくは下部２１０ｃ、又は、電極２２０の上部２２０ａもしくは下部２２０ｃの幅Ｄ１３は、例えば約２３０μｍである。
【００３５】
ビア導体３１１ｂとビア導体３２１ｂとは、例えば電子部品２００を挟んで、互いに対向するように配置される。ビア導体３１１ｂ又は３２１ｂのピッチＤ５は、例えば約７７０μｍである。
【００３６】
基板１００の厚さは、例えば約１００μｍである。電子部品２００の厚さ（電極まで含めた厚さ）は、例えば約１５０μｍである。配線板１０の厚さ（ソルダーレジスト１１からソルダーレジスト１２までの厚さ）は、例えば約２９０μｍである。
【００３７】
基板１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、基板１００の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。基板１００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００３８】
本実施形態では、絶縁層１０１、１０２の各々が、心材を樹脂に含浸してなる。絶縁層１０１が心材を含む樹脂からなることで、絶縁層１０１における隙間Ｒ０（図４参照）の直上領域Ｒ１に窪みＲ１１が形成されにくくなり、窪みＲ１１上に形成される導体パターンの断線が抑制されるようになる。絶縁層１０１、１０２は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限定されず、例えば絶縁層１０１、１０２は心材を含まない樹脂からなってもよい。また、絶縁層１０１、１０２の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００３９】
ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂの各々は、例えば銅めっきからなる。これらビア導体３１１ｂ等の形状は、例えば基板１００（コア基板）又は電子部品２００から上層に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、ビア導体の形状は任意である。
【００４０】
導体層１１０は、銅箔１１１（下層）と、銅めっき１１２（上層）と、から構成され、導体層１２０は、銅箔１２１（下層）と、銅めっき１２２（上層）と、から構成される。導体層１１０、１２０は、例えば電気回路（例えば電子部品２００を含む電気回路）を構成する配線、ランド、及び配線板１０の強度を高めるためのベタパターンなどを有する。
【００４１】
各導体層及び各ビア導体の材料は、導体であれば任意であり、金属でも非金属でもよい。各導体層及び各ビア導体は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００４２】
本実施形態では、図４に示すように、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０には絶縁体１０１ａが充填される。絶縁体１０１ａは、例えば絶縁層１０１から流出した樹脂である（図１６Ａ参照）。このため、絶縁体１０１ａが隙間Ｒ０に充填される際、絶縁層１０１における隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１には、隙間Ｒ０に基づく窪みＲ１１が形成される。すなわち、絶縁層１０１は、隙間Ｒ０の直上に窪みＲ１１を有する。また、窪みＲ１１上に形成される導体パターン（導体層１１０）にも、窪みＲ１１の形状に基づく窪みＲ１２が形成される。
【００４３】
本実施形態では、図５に示すように、導体層１１０が、隙間Ｒ０の直上において部分的に拡幅される導体パターン１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄを有する。
【００４４】
詳しくは、これら導体パターン１１０ａ〜１１０ｄはいずれも、第１ストレート部Ｓ１と、幅が広い部分Ｅと、第２ストレート部Ｓ２とが、この順で続けて接続された部分を有する。これら第１ストレート部Ｓ１、幅が広い部分Ｅ、及び第２ストレート部Ｓ２は、相互に一体的に接続され、各々が配線として機能する。また、導体パターン１１０ａ及び１１０ｄはそれぞれ、第１ストレート部Ｓ１に電気的に接続され第１の端子となるランドＬ１と、第２ストレート部Ｓ２に電気的に接続され第２の端子となるランドＬ２と、をさらに有する。ランドＬ２は、例えばパッドＰ１（図１）として機能する。すなわち、導体パターン１１０ａ及び１１０ｄでは、幅が広い部分Ｅが、配線（第２ストレート部Ｓ２）を介して、パッドＰ１（ランドＬ２）と接続される。また、導体パターン１１０ｂと導体パターン１１０ｃとは、屈曲部Ｂを介して、互いに電気的に接続されている。導体パターン１１０ａ又は１１０ｄのランドＬ１は、ビア導体３１１ｂ（図１）を介して、電子部品２００の電極２１０又は２２０と電気的に接続される。
【００４５】
第１ストレート部Ｓ１及び第２ストレート部Ｓ２は、それぞれ略一定の幅を有する。本実施形態では、第１ストレート部Ｓ１が内側（電子部品２００に近い側）に位置し、第２ストレート部Ｓ２が外側（電子部品２００から遠い側）に位置する。
【００４６】
幅が広い部分Ｅは、第１ストレート部Ｓ１との接続部位から第２ストレート部Ｓ２との接続部位までの略全域において第１ストレート部Ｓ１及び第２ストレート部Ｓ２のいずれよりも大きな幅をもって、隙間Ｒ０の直上に配置される。導体パターン１１０ａ〜１１０ｄの各々は、幅が広い部分Ｅにおいて部分的に拡幅されている。本実施形態では、図４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも大きな幅を有することで、導体パターン１１０ａ〜１１０ｄ（図５）の幅が広い部分Ｅの各々が、窪みＲ１１内及びその周辺（少なくとも窪みＲ１１の縁を含む）に形成される。
【００４７】
本実施形態では、導体層１１０が、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上において部分的に拡幅される導体パターンを有する。そして、その拡幅された部分（幅が広い部分Ｅ）では、導体パターンの幅が大きくなることで、幅が広い部分Ｅの強度は高くなる。このため、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上に配置された導体パターン（導体層１１０）の断線は抑制され、配線板１０における電気的接続の信頼性が向上する。
【００４８】
導体パターンの強度を高めるためには、導体パターンの厚さを大きくすることも考えられる。しかしながら、導体パターンの厚さを大きくする場合には、めっき工程の回数を増やすなど、製造工程が複雑になり易い。この点、導体パターンの幅を大きくする場合は、パターニング工程におけるパターン（例えばレジストパターン）を変更するだけで実現可能なため、簡素な製造工程を維持し易い。
【００４９】
導体パターンの断線を抑制するためには、導体パターン全体の幅を大きくすることも考えられる。しかしながら、導体パターンの断線しにくい部分まで幅を大きくすると、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００５０】
この点、本実施形態では、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１において部分的に導体パターン１１０ａ〜１１０ｄを拡幅している（図５参照）。隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１は、窪みＲ１１に起因して、又は、絶縁体１０１ａと基板１００及び電子部品２００との熱膨張係数の差異に起因して、導体パターンが特に断線し易い。こうした断線し易い部分における導体パターンの幅を選択的に大きくすることで、配線スペースを確保しつつ、導体パターンの断線を抑制することが可能になる。
【００５１】
また、導体パターンの断線を抑制するためには、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１を避けて導体パターンを形成することも考えられる。しかしながら、直上領域Ｒ１に導体パターンを形成することができなくなると、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００５２】
この点、本実施形態の配線板１０では、電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１にも導体パターンを形成することができるため、配線スペースを確保し易くなる。
【００５３】
本実施形態では、基板１００（絶縁基板）が配線板１０のコア基板に相当し、導体層１１０とは反対側（第２面Ｆ２側）の最外層（導体層１２０）に、電子部品を実装するためのパッドＰ２が形成される（後述の図２０参照）。このため、幅が広い部分Ｅを有する導体層１１０を、電子部品実装面とは反対側（例えばマザーボードに接続される側）に設けることが可能になり、パッドＰ２に実装される電子部品のために高密度配線が必要になった場合でも、そのためのファインパターンを形成し易くなる。こうしたファインパターンは、例えば導体層１２０に形成することができる。
【００５４】
図５に示されるように、本実施形態では、幅が広い部分Ｅの形状が略楕円である。しかしこれに限られず、幅が広い部分Ｅの形状は任意である（後述の図２１Ａ〜図２３参照）。
【００５５】
図６Ａ中の各寸法について、幅が広い部分Ｅの幅Ｄ３２が、第１ストレート部Ｓ１の幅Ｄ３１の約１．３〜約５倍の範囲にあることが好ましく、加えて、幅が広い部分Ｅの幅Ｄ３２も、第２ストレート部Ｓ２の幅Ｄ３３の約１．３〜約５倍の範囲にあることが、特に好ましい。
【００５６】
なお、幅が広い部分Ｅの幅が一定でない場合は、図６に示すように、幅が広い部分Ｅの最大幅が上述の幅Ｄ３２に相当し、幅が広い部分Ｅの最大幅（幅Ｄ３２）が、第１ストレート部Ｓ１の幅Ｄ３１及び第２ストレート部Ｓ２の幅Ｄ３３の少なくとも一方の約１．３〜約５倍の範囲にあれば、上述の効果に準ずる効果が得られると考えられる。
【００５７】
第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２の少なくとも一方においては、導体パターンの幅が約９０°未満の角度で拡幅されることが好ましいと考えられる。これにより、応力集中が緩和され、また、形成が容易になると考えられる。
【００５８】
なお、幅が広い部分Ｅの形状が略楕円である場合は、図７に示すように、接続部位Ｃ１又はＣ２における接線に基づき、接続部位Ｃ１の拡幅角度θ１又は接続部位Ｃ２の拡幅角度θ２が決定される。拡幅角度θ１は約９０°未満であることが好ましく、加えて、拡幅角度θ２も、約９０°未満であることが特に好ましいと考えられる。
【００５９】
以下、図８等を参照して、配線板１０の製造方法について説明する。図８は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。
【００６０】
ステップＳ１１では、図９に示すように、配線板１０００（出発材料）を準備する。本実施形態では、配線板１０００が、基板１００（絶縁基板）と、基板１００の第１面Ｆ１上に形成された導体層３０１と、基板１００の第２面Ｆ２上に形成された導体層３０２と、スルーホール導体３００ｂと、から構成される。基板１００は、例えば完全に硬化したガラエポからなる。導体層３０１及び３０２はそれぞれ、例えば銅箔（下層）、無電解めっき（中間層）、及び電解めっき（上層）の３層構造からなる。
【００６１】
鼓状のスルーホール３００ａは、例えば両面に銅箔が形成された基板１００（両面銅張積層板）の両側からレーザを照射することにより、形成することができる。そして、基板１００上に銅箔が、また、基板１００内にスルーホール３００ａが、それぞれ形成された状態で、例えば銅の電解めっきを行うことにより、導体層３０１、３０２、及びスルーホール導体３００ｂを形成することができる。
【００６２】
上記レーザ照射の後、スルーホール３００ａにデスミアを行うことが好ましいと考えられる。デスミアにより、不要な導通（ショート）が抑制される。また、必要に応じて、エッチング等により、導体層３０１及び３０２の表面を粗化することが好ましいと考えられる。
【００６３】
本実施形態では、図１０Ａに示すように、基板１００上、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００には、導体層３０１が形成されない。導体層３０１がこうした導体パターンを有すると、キャビティＲ１０の位置及び形状が明確になるため、後の工程（図８のステップＳ１２）において、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。
【００６４】
ただし、導体層３０１の導体パターンは、図１０Ａに示すパターンに限られない。例えば図１０Ｂに示すように、基板１００上の、後の工程（図８のステップＳ１２）においてレーザを照射する部分（以下、レーザ照射路という）のみ、導体層３０１が形成されていなくてもよい。この場合、レーザ照射路の内側には、導体層３０１が存在する。こうした導体層３０１であっても、キャビティＲ１０を形成するためのレーザ照射のアライメントが容易になる。
【００６５】
また、本実施形態では、図１０Ａに示すように、導体層３０１がアライメントマーク３０１ａを有する。アライメントマーク３０１ａは、例えば後の工程（図８のステップＳ１３）において光学的に認識できるパターンであり、例えばエッチング等により、部分的に導体を除去することによって形成することができる。本実施形態では、アライメントマーク３０１ａが、領域Ｒ１００の周囲（例えば４隅）に配置される。ただしこれに限られず、アライメントマーク３０１ａの配置及び形状は任意である。
【００６６】
続けて、図８のステップＳ１２で、基板１００にキャビティＲ１０を形成する。具体的には、例えば図１０Ａに示すように、四角形を描くようにレーザを照射することにより、基板１００における、キャビティＲ１０に対応した領域Ｒ１００を、その周りの部分から切り取る。レーザの照射角度は、例えば基板１００の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。これにより、図１１に示すように、キャビティＲ１０が形成される。本実施形態では、キャビティＲ１０をレーザにより形成するため、キャビティＲ１０が容易に得られる。キャビティＲ１０は、電子部品２００の収容スペースとなる。
【００６７】
続けて、図８のステップＳ１３で、電子部品２００を、基板１００のキャビティＲ１０に配置する。
【００６８】
具体的には、図１２に示すように、例えばＰＥＴ（ポリ・エチレン・テレフタレート）からなるキャリア１００１を、基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより、キャビティＲ１０（孔）の一方の開口がキャリア１００１で塞がれる。本実施形態では、キャリア１００１が、粘着シート（例えばテープ）からなり、基板１００側に粘着性を有する。キャリア１００１は、例えばラミネートにより、基板１００と接着される。
【００６９】
続けて、図１３に示すように、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）から、キャビティＲ１０に電子部品２００を入れる。電子部品２００は、例えば部品実装機によりキャビティＲ１０に入れ込まれる。例えば電子部品２００は、真空チャック等により保持され、キャビティＲ１０の上方（Ｚ１側）に運ばれた後、そこから鉛直方向に沿って下降し、キャビティＲ１０に入れられる。これにより、図１４に示すように、キャリア１００１（粘着シート）上に、電子部品２００が配置される。なお、電子部品２００の位置決めをする際には、アライメントマーク３０１ａ（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）を用いることが好ましい。そうすることで、電子部品２００とキャビティＲ１０との位置合わせの精度を高めることが可能になると考えられる。
【００７０】
続けて、図８のステップＳ１４で、図１５に示すように、半硬化の状態で、キャビティＲ１０（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）の、基板１００の第１面Ｆ１上及び電子部品２００の第３面Ｆ３上に、絶縁層１０１（第１の層間絶縁層）を形成する。さらに、絶縁層１０１上に、銅箔１１１（第１の銅箔）を形成する。絶縁層１０１は、例えば熱硬化性を有するエポキシ樹脂のプリプレグからなる。続けて、図１６Ａに示すように、絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、絶縁層１０１から樹脂を流出させてキャビティＲ１０へ流し込む。これにより、図１６Ｂに示すように、キャビティＲ１０における基板１００と電子部品２００との間に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。そして、絶縁層１０１における隙間Ｒ０（図４参照）の直上領域Ｒ１に窪みＲ１１が形成される。この際、基板１００と電子部品２００との隙間が狭ければ、電子部品２００の固定が弱くても、樹脂がキャビティＲ１０へ流れ込む勢いで、電子部品２００の位置ずれや、好ましくない傾きは生じにくい。なお、絶縁体１０１ａは、基板１００及び電子部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。
【００７１】
キャビティＲ１０に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）と電子部品２００との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂に電子部品２００を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア１００１に支持されていた電子部品２００が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア１００１を除去する。
【００７２】
なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。
【００７３】
続けて、図８のステップＳ１５で、基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う。
【００７４】
具体的には、図１７に示すように、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２の層間絶縁層）及び銅箔１２１（第２の銅箔）を形成する。電子部品２００の電極２１０及び２２０はそれぞれ、絶縁層１０２で覆われる。例えばプレスにより、絶縁層１０２をプリプレグの状態で基板１００に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。本実施形態では、粘着シート（キャリア１００１）を除去した後に、キャビティＲ１０に充填した樹脂を硬化させるため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、基板１００の反りが抑制されるため、基板１００を薄くし易くなる。
【００７５】
続く図８のステップＳ１６では、ビア導体及び導体層を形成する。
【００７６】
詳しくは、図１８Ａに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１及び銅箔１１１に孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２及び銅箔１２１に孔３２１ａ及び３２２ａ（それぞれビアホール）を形成する。孔３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１及び銅箔１１１を貫通し、孔３２１ａ及び３２２ａの各々は絶縁層１０２及び銅箔１２１を貫通する。そして、孔３１１ａ及び３２１ａの各々は、電子部品２００の電極２１０又は２２０に至り、孔３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂの直上に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００７７】
続けて、例えば化学めっき法により、銅箔１１１、１２１上及び孔３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００３、１００４を形成する（図１８Ｂ参照）。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させてもよい。
【００７８】
続けて、リソグラフィ技術又は印刷等により、第１面Ｆ１側の主面（無電解めっき膜１００３上）に、開口部１００５ａを有するめっきレジスト１００５を、また、第２面Ｆ２側の主面（無電解めっき膜１００４上）に、開口部１００６ａを有するめっきレジスト１００６を、それぞれ形成する（図１８Ｂ参照）。この際、所望のパターンを有するめっきレジストを用いることで、幅が広い部分Ｅ等（図５参照）を形成することができる。開口部１００５ａ、１００６ａはそれぞれ、導体層１１０、１２０（図１）に対応したパターンを有する。
【００７９】
続けて、図１８Ｂに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００５、１００６の開口部１００５ａ、１００６ａに、それぞれ例えば銅の電解めっき１００７、１００８を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００３、１００４を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜１００３、１００４の表面に銅を析出させる。これにより、孔３１１ａ及び３１２ａ、孔３２１ａ及び３２２ａに、それぞれ電解めっき１００７、１００８が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂが形成される。
【００８０】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００５及び１００６を除去し、続けて不要な無電解めっき膜１００３、１００４及び銅箔１１１、１２１を除去することにより、図１９に示すように、導体パターン１１０ａ〜１１０ｄ（図５参照）を含む導体層１１０及び導体層１２０が形成される。
【００８１】
なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜１００３、１００４に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【００８２】
その後、図８のステップＳ１７で、絶縁層１０１、１０２上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト１２を形成する（図１参照）。導体層１１０、１２０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト１１、１２で覆われる。ソルダーレジスト１１及び１２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。
【００８３】
続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１１０、１２０上、詳しくはソルダーレジスト１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。
【００８４】
こうして、基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１、導体層１１０、及びソルダーレジスト１１から構成されるビルドアップ部が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２、導体層１２０、及びソルダーレジスト１２から構成されるビルドアップ部が形成される。その結果、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。その後、必要があれば、電子部品２００の電気テスト（容量値及び絶縁性などのチェック）を行う。
【００８５】
本実施形態の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。
【００８６】
本実施形態の配線板１０は、例えば電子部品又は他の配線板と電気的に接続することができる。例えば図２０に示すように、半田等により、配線板１０のパッドＰ２に電子部品４００（例えばＩＣチップ）を実装することができる。また、パッドＰ１により、配線板１０を他の配線板５００（例えばマザーボード）に実装することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば携帯電話の回路基板として用いることができる。
【００８７】
（他の実施形態）
各導体パターンにおける幅が広い部分Ｅの平面形状は、図５に示される略楕円に限られず任意である。例えば図２１Ａに示すように略長方形であってもよく、図２１Ｂに示すように略菱形であってもよく、その他の形状、例えば略平行四辺形などであってもよい。
【００８８】
図２２Ａに示すように、第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１における拡幅角度θ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２における拡幅角度θ２を、約９０°にしてもよい。しかしながら、応力集中の緩和や加工容易性を考慮すると、図２２Ｂに示すように、第１ストレート部Ｓ１と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ１、及び第２ストレート部Ｓ２と幅が広い部分Ｅとの接続部位Ｃ２の少なくとも一方において、導体パターンの幅が約９０°未満の角度で拡幅されることが好ましいと考えられる。
【００８９】
図２３に示すように、異なる形状の幅が広い部分Ｅを有する複数の導体パターン１１０ａ〜１１０ｅを有する配線板であってもよい。図２３の例における各導体パターンの幅が広い部分Ｅの平面形状は、導体パターン１１０ａでは略長方形であり、導体パターン１１０ｂ、１１０ｃでは略楕円であり、導体パターン１１０ｄでは略菱形であり、導体パターン１１０ｅでは略平行四辺形である。
【００９０】
図２４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも小さな幅を有し、窪みＲ１１内に形成される導体パターン（導体層１１０）の一部のみが幅が広い部分Ｅになっていてもよい。ただし、断線を抑制する上では、図４に示すように、幅が広い部分Ｅが窪みＲ１１及びＲ１２よりも大きな幅を有し、幅が広い部分Ｅが、窪みＲ１１内だけでなく窪みＲ１１の周辺（少なくとも窪みＲ１１の縁を含む）まで形成されていることが好ましい。
【００９１】
電子部品２００及びキャビティＲ１０の形状は任意である。例えば図２５に示すように、キャビティＲ１０の開口形状が略楕円であってもよい。電子部品２００の主面の形状、及びキャビティＲ１０の開口形状は、略円（略真円）であってもよく、また、略正方形、略正六角形、略正八角形など、略長方形以外の略多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。
【００９２】
配線板１０に内蔵されるものは電子部品２００に限られず、例えば図２６に示すように、他の配線板６００であってもよい。図２６の例では、配線板６００はキャビティＲ１０に収容され、配線板６００のパッドＰ３、Ｐ４（外部接続端子）がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３２１ｂを介して、導体層１１０、１２０（厳密にいえばその導体パターン）と電気的に接続される。配線板６００は、例えば各導体層がファインな導体パターンを有することにより、又は導体層間の層間絶縁層が薄くなっていることにより、配線板１０よりも高い密度で導体を有していることが好ましい。
【００９３】
上記実施形態では、電子部品２００について両面ビア構造を有していたが、これに限定されない。例えば図２７に示すように、電子部品２００の電極２１０、２２０に電気的に接続するビア導体３２１ｂを片側のみに有する配線板であってもよい。
【００９４】
上記実施形態では、キャビティＲ１０（電子部品２００の収容スペース）に電子部品２００を１つのみ有する配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えばキャビティＲ１０に複数の電子部品２００を有する配線板であってもよい。複数の電子部品２００は、積層方向（Ｚ方向）に並べて配置しても、Ｘ方向又はＹ方向に並べて配置してもよい。また、複数のキャビティＲ１０を形成してもよい。
【００９５】
上記実施形態では、コア基板の両側に導体層を有する両面配線板（配線板１０）を示したが、これに限られない。例えば図２８に示すように、コア基板（基板１００）の片側のみに導体層を有する片面配線板であってもよい。
【００９６】
また、例えば図２８に示されるように、キャビティＲ１０（電子部品２００の収容スペース）は、基板１００を貫通しない孔（凹部）であってもよい。この場合も、電子部品２００の厚さとキャビティＲ１０（孔）の深さとは、略一致することが好ましいと考えられる。
【００９７】
上記実施形態では、基板１００の厚さと電子部品２００の厚さとが略一致している例を示したが、これに限られない。例えば図２８に示されるように、電子部品２００の厚さよりも基板１００の厚さの方が大きくてもよい。
【００９８】
コア基板の片側に２層以上のビルドアップ層を有する配線板であってもよい。例えば図２９に示すように、基板１００の第１面Ｆ１側に、２層の絶縁層１０１、１０３と２層の導体層１１０、１３０とが交互に積層されてもよい。図２９の例では、絶縁層１０３に孔３３１ａ（ビアホール）が形成されており、孔３３１ａ内に導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、その孔３３１ａ内の導体がビア導体３３１ｂ（フィルド導体）となる。絶縁層１０１上の導体層１１０と絶縁層１０３上の導体層１３０とは、ビア導体３３１ｂを介して、互いに電気的に接続される。
【００９９】
図２９に示すように、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数が異なっていてもよい。ただし、応力を緩和するためには、基板１００の第１面Ｆ１側と基板１００の第２面Ｆ２側とで、ビルドアップ層の数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。
【０１００】
配線板１０の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１０１】
電子部品２００の電極２１０及び２２０の形状は、Ｕ字形状に限定されず、例えば平板状の電極対でコンデンサ本体２０１を挟むものであってもよい。
【０１０２】
電子部品２００の種類は、任意である。例えばコンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品のほか、ＩＣ回路等の能動部品など、任意の電子部品を採用することができる。例えば図３０に示すように、基板１００のキャビティＲ１０に、ＩＣチップからなる電子部品２００を配置し、絶縁材（接着剤２００ｂ及び絶縁体１０１ａ）で固定してもよい。図３０の例では、電子部品２００が第４面Ｆ４側にパッド２００ａを有し、電子部品２００の第４面Ｆ４は接着剤２００ｂで覆われている。また、導体層１１０は、基板１００上に配置される導体パターンＰＴ１と、キャビティＲ１０に充填された絶縁材（接着剤２００ｂ及び絶縁体１０１ａ）上に配置される導体パターンＰＴ２と、を有し、電子部品２００のパッド２００ａと導体パターンＰＴ２とが、接着剤２００ｂに形成されたビアホール内の導体（ビア導体２００ｃ）を介して、互いに電気的に接続されている。なお、接着剤２００ｂは、例えば製造過程でＩＣチップ（電子部品２００）を支持板に固定するために用いられる。
【０１０３】
また、図３０の例において、導体層１１０及び１２０はそれぞれ、キャビティＲ１０における電子部品２００と基板１００との隙間Ｒ０の直上領域Ｒ１に、幅が広い部分Ｅを有する。ここで、導体層１１０の幅が広い部分Ｅは、上記実施形態の幅が広い部分Ｅ（図４及び図５参照）と同様、窪みＲ１１内及びその周辺に形成され、導体層１１０での断線を抑制する。一方、導体層１２０の幅が広い部分Ｅは、例えば導体パターンＰＴ１、ＰＴ２間の境界部（基板１００とキャビティＲ１０内の絶縁材との境界部）、又は電子部品２００のエッジ部（電子部品２００とキャビティＲ１０内の絶縁材との境界部）など、異なる材料間の境界部の直上に配置されることが好ましい。異なる材料間の境界部の直上では、それら材料間の熱膨張率の差異に起因して断線が起こり易くなるため、幅が広い部分Ｅにより補強して導体層１２０での断線を抑制することが望ましい。
【０１０４】
例えばビア導体３１１ｂ等は、フィルド導体に限られず、例えばコンフォーマル導体であってもよい。
【０１０５】
電子部品２００をビア接続（ビア導体３１１ｂ、３２１ｂ）で実装せず、ワイヤボンディング接続など、他の手法で実装してもよい。
【０１０６】
配線板の製造工程は、上記図８に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１０７】
例えば各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。
【０１０８】
また、レーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましいと考えられる。
【０１０９】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。例えば図２１Ａ〜図２６のいずれかに示した構造を、図２７〜図３０のいずれかに示した構造に適用してもよい。
【０１１０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の配線板は、内蔵される電子部品の電気回路の形成に適している。また、本発明に係る配線板の製造方法は、配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１１２】
１０ 配線板
１１、１２ ソルダーレジスト
１１ａ、１２ａ 開口部
１００ 基板
１０１〜１０３ 絶縁層
１０１ａ 絶縁体
１１０、１２０、１３０ 導体層
１１０ａ〜１１０ｅ 導体パターン
１１１、１２１ 銅箔
１１２、１２２ 銅めっき
２００ 電子部品
２００ａ パッド
２００ｂ 接着剤
２００ｃ ビア導体
２０１ コンデンサ本体
２１０、２２０ 電極
２１０ａ、２２０ａ 上部
２１０ｂ、２２０ｂ 側部
２１０ｃ、２２０ｃ 下部
２１１〜２１４ 導体層
２２１〜２２４ 導体層
２３１〜２３９ 誘電層
３００ａ スルーホール
３００ｂ スルーホール導体
３００ｃ 括れ部
３０１、３０２ 導体層
３０１ａ アライメントマーク
３１１ａ、３１２ａ、３２１ａ、３２２ａ、３３１ａ 孔
３１１ｂ、３１２ｂ、３２１ｂ、３２２ｂ、３３１ｂ ビア導体
４００ 電子部品
５００ 配線板
６００ 配線板
１０００ 配線板
１００１ キャリア
Ｂ 屈曲部
Ｅ 幅が広い部分
Ｃ１、Ｃ２ 接続部位
Ｌ１、Ｌ２ ランド
Ｐ１〜Ｐ４ パッド
ＰＴ１、ＰＴ２ 導体パターン
Ｒ１ 直上領域
Ｒ１０ キャビティ
Ｒ１００ 領域
Ｓ１ 第１ストレート部
Ｓ２ 第２ストレート部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成された絶縁基板と、
前記キャビティ内に配置される電子デバイスと、
前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に配置される層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配置される導体層と、
を有する配線板において、
前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間には、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填され、
前記導体層は、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記層間絶縁層は、前記隙間の直上に窪みを有し、
前記導体パターンの幅が広い部分は、前記窪み内に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記導体パターンは、第１ストレート部と、幅が広い部分と、第２ストレート部とが、この順で接続された部分を有し、
前記第１ストレート部及び前記第２ストレート部は、それぞれ略一定の幅を有し、
前記幅が広い部分は、前記第１ストレート部及び前記第２ストレート部のいずれよりも大きな幅をもって、前記隙間の直上に配置される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１ストレート部と前記幅が広い部分との接続部位、及び前記第２ストレート部と前記幅が広い部分との接続部位の少なくとも一方においては、前記導体パターンの幅が約９０°未満の角度で幅が広くなる、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記幅が広い部分の最大幅は、前記第１ストレート部の幅及び前記第２ストレート部の幅の少なくとも一方の約１．３〜約５倍の範囲にある、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の配線板。
【請求項６】
前記導体パターンは、配線及びパッドを有し、
前記導体パターンの幅が広い部分は、前記配線を介して、前記パッドと接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記充填される絶縁材料は、前記絶縁基板及び前記電子デバイスのいずれよりも大きな熱膨張係数を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記電子デバイスは、電子部品又は他の配線板であり、
前記導体パターンは、前記電子部品の電極又は前記他の配線板のパッドと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記層間絶縁層は、心材を樹脂に含浸してなる、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記絶縁基板は前記配線板のコア基板に相当し、
前記導体層とは反対側の最外層には、電子部品を実装するためのパッドが形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
キャビティが形成された絶縁基板を準備することと、
前記キャビティ内に電子デバイスを配置することと、
前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に、層間絶縁層を形成することと、
前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間に、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料を充填することと、
前記層間絶縁層上に、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する導体層を形成することと、
を含む、
配線板の製造方法。
【請求項１】
キャビティが形成された絶縁基板と、
前記キャビティ内に配置される電子デバイスと、
前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に配置される層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配置される導体層と、
を有する配線板において、
前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間には、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料が充填され、
前記導体層は、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記層間絶縁層は、前記隙間の直上に窪みを有し、
前記導体パターンの幅が広い部分は、前記窪み内に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記導体パターンは、第１ストレート部と、幅が広い部分と、第２ストレート部とが、この順で接続された部分を有し、
前記第１ストレート部及び前記第２ストレート部は、それぞれ略一定の幅を有し、
前記幅が広い部分は、前記第１ストレート部及び前記第２ストレート部のいずれよりも大きな幅をもって、前記隙間の直上に配置される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１ストレート部と前記幅が広い部分との接続部位、及び前記第２ストレート部と前記幅が広い部分との接続部位の少なくとも一方においては、前記導体パターンの幅が約９０°未満の角度で幅が広くなる、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記幅が広い部分の最大幅は、前記第１ストレート部の幅及び前記第２ストレート部の幅の少なくとも一方の約１．３〜約５倍の範囲にある、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の配線板。
【請求項６】
前記導体パターンは、配線及びパッドを有し、
前記導体パターンの幅が広い部分は、前記配線を介して、前記パッドと接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記充填される絶縁材料は、前記絶縁基板及び前記電子デバイスのいずれよりも大きな熱膨張係数を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記電子デバイスは、電子部品又は他の配線板であり、
前記導体パターンは、前記電子部品の電極又は前記他の配線板のパッドと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記層間絶縁層は、心材を樹脂に含浸してなる、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記絶縁基板は前記配線板のコア基板に相当し、
前記導体層とは反対側の最外層には、電子部品を実装するためのパッドが形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
キャビティが形成された絶縁基板を準備することと、
前記キャビティ内に電子デバイスを配置することと、
前記絶縁基板上及び前記電子デバイス上に、層間絶縁層を形成することと、
前記キャビティにおける前記絶縁基板と前記電子デバイスとの隙間に、前記層間絶縁層を構成する絶縁材料を充填することと、
前記層間絶縁層上に、前記隙間の直上において部分的に幅が広くなる導体パターンを有する導体層を形成することと、
を含む、
配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９】
【図２０】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９】
【図２０】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１２−１５１３７２（Ｐ２０１２−１５１３７２Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０３１１（Ｐ２０１１−１０３１１）
【出願日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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