【課題】ＨＢＴのオン耐圧を高めることで、ＨＢＴの出力特性及び大きなインピーダンス不整合（高ＶＳＷＲ）に耐えるＨＢＴの能力を向上させた、優れたオン耐圧Ｖ_ＣＥを備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を提供する。
【解決手段】ＨＢＴのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。


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【課題】 非格子整合半導体素子を有する半導体装置において、半導体素子におけるメタモルフィックバッファ層による大きな段差の発生による段切れ等の改善を図る。
【解決手段】 基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 （もっと読む）

【課題】 ベース電極がエアブリッジ構造を有するバイポーラトランジスタにおいて、構造の簡潔化、ベース電極に対する外部配線としてのベース配線のコンタクト位置の自由度を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。このようにして、コンタクト部を固定部に設ける場合におけるこの固定部を形成するための構造、製造の煩雑さを回避でき、かつベース電極に対するベース配線のコンタクト部の選定の自由度をたかめ、レイアウト等の設計の自由度を高めるものである。 （もっと読む）

【課題】 作製が容易で広い温度範囲で高速動作するホットエレクトロントランジスタを提供すること
【解決手段】 窒化物系半導体から構成されたコレクタ層１０７、コレクタ障壁層１０６、ベース層１０５、アンドープ第１エミッタ障壁層１１５およびエミッタ層１０２を順に備えた半導体素子であって、コレクタ層１０７、ベース層１０５およびエミッタ層１０２は、それぞれ、ｎ型半導体から構成されており、第１エミッタ障壁層１１５は、エミッタ層１０２とベース層１０５との間に配置されており、第１エミッタ障壁層１１５のバンドギャップは、エミッタ層１０２のバンドギャップよりも大きく、第１エミッタ障壁層１１５に接してベース電極１１１が形成されている半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ₂ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するに際し、ＧａＡｓからなるベース層４を成長した後、ＡｓＨ₃ガスをフローし、次にＨ₂ガスをフローし、その後にＩｎＧａＰからなるエミッタ層５をエピタキシャル成長することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ４Ｈ−ＳｉＣ基板上に高品質のＧａＮ系化合物半導体がエピタキシャル成長された半導体複合基板を提供する。
【解決手段】 半導体複合基板１は、ＳｉＣ単結晶基板１０１の主表面上にＡｌ_１−ｘＧａ_ｘＮ（０≦ｘ≦１）エピタキシャル成長層１００が直接形成されている。ＳｉＣ単結晶基板１０１は４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板であり、Ａｌ_１−ｘＧａ_ｘＮエピタキシャル成長層の厚さが少なくとも４μｍである。 （もっと読む）

【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型化を図ることができる半導体装置を提供する。また、放熱効率を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】 配線基板１０の裏面にＧＮＤ用外部配線１２を形成する。そして、このＧＮＤ用外部配線１２に接続する複数のビア１８を、配線基板１０を貫通するように形成し、配線基板１０の主面にＨＢＴを含む高消費電力の第１の半導体チップ１９を実装する。第１の半導体チップ１９のエミッタバンプ電極１９ｂは、第１の半導体チップ１９内に形成された複数のＨＢＴのエミッタ電極に共通接続しており、ＨＢＴが並んだ方向に延在している。第１の半導体チップ１９は、この延在したエミッタバンプ電極１９ｂに複数のビア１８が接続するように配線基板１０に実装されている。また、第１の半導体チップ１９上に第１の半導体チップ１９より発熱量の少ない第２の半導体チップ２１を搭載して配線基板１０の小型化を図る。 （もっと読む）

基板の支持表面上に形成された、横方向に隣接した導電性半導体領域により構成された横方向に延びているスタックを備える半導体デバイスおよびそのデバイスを作製する方法。
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【課題】
【解決手段】 バイポーラ接合トランジスタ（１００）に関連する方法、装置、デバイスの実施例が記載されている。 （もっと読む）

多数キャリアが正孔であるトランジスタにおいて、少なくとも１つの狭いバンドギャップの領域または層が、ｐ型にドーピングされるかまたは過剰の正孔を含み、かつ機械的圧縮ひずみを受け、これによって、正孔の移動度がかなり増大し得る。ｐチャネル量子井戸ＦＥＴでは、量子井戸のＩｎＳｂ井戸のｐ型層５（変調ドーピングまたは直接ドーピングされている）が、Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＳｂ層４と、Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＳｂ層６との間にあるが、ここで、ｘは、軽い正孔および重い正孔が、ｋＴをはるかに超える量だけ分離されるような範囲にまで、層５中にひずみを導入するに十分な値である。ｐｎｐバイポーラデバイスを含む、本発明の範囲内にあるトランジスタは、相補型論理回路における電子が多数キャリアである従来の等価物と一緒に用いられ得る。
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例示的一実施例によれば、基板上に位置するＢｉＦＥＴは、基板の上に位置するエミッタ層部分を含み、エミッタ層部分は第１のタイプの半導体を含む。ＨＢＴはエッチストップ層の第１の部分をさらに含み、エッチストップ層の第１の部分はＩｎＧａＰを含む。ＢｉＦＥＴは基板の上に位置するＦＥＴをさらに含み、ＦＥＴはソース領域およびドレイン領域を含み、エッチストップ層の第２の部分はソース領域およびドレイン領域の下に位置し、エッチストップ層の第２の部分はＩｎＧａＰを含む。ＦＥＴはエッチストップ層の第２の部分の下に位置する第２のタイプの半導体層をさらに含む。エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。
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半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）

【課題】 オーバエッチングがべ一ス層まで及ぶことがなく、高速化を図ったＨＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 コレクタ層とベース層が同じエッチング液でエッチングされる材質で形成されている場合において、■基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層を積層する工程。
■エミッタ電極及びベース電極を形成しコレクタ層を露出させる工程。
■ベース層の下部を除くコレクタ層の厚さの１／２程度の厚さまでエッチングにより除去し途中でエッチングをストップさせる工程。
■エミッタ電極及びベース電極を含むコレクタ上の所定領域を覆ってマスキングを施す工程。
■ベース電極とサブコレクタ層とに挟まれた部分を含むコレクタ層をサイドエッチングして所望の空隙を形成する工程。
を含んでいる。 （もっと読む）