【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを具備し、対向面に形成された排気のための複数の排気孔と、載置台の周縁部に沿って設けられ上下動可能とされた環状部材であって、上昇位置において載置台とシャワーヘッドと当該環状部材とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内にガスを供給するための複数の環状部材側ガス吐出孔と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内を排気するための複数の環状部材側排気孔とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理空間の水平面方向におけるプラズマ密度を均一化させることが可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる天板を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による天板は、平面アンテナ部材のスロットから放射されるマイクロ波を処理容器内へ透過させて導入するためのプラズマ処理装置用の天板であって、前記天板の前記処理容器内を臨む面側において、前記天板の中心部を中心とした二重以上の円周の上に複数の凹部が形成され、前記天板の凹部が形成された部分を伝搬するマイクロ波と、伝搬するマイクロ波の伝搬モードの種類の数が異なるように、前記天板の凹部が形成されていない部分の厚さとが夫々設定されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、改良されたプラズマ解離効率を備えたプロセスチャンバに処理ガスを供給するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、処理チャンバに接続される拡張容積を画定する外側本体を含むバッフルノズルアセンブリを提供する。処理ガスは、プラズマ生成用電源に曝露される拡張容積を通して処置チャンバへ流される。
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【課題】基板の種類に関係なく、基板の全面を均一にエッチングすることが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１は、上チャンバ１２の外径が下チャンバ１３よりも小さく形成されてこの下チャンバ１３の上面中央部に上チャンバ１２が設けられた処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１の内部空間を仕切るように下チャンバ１３の天井面に設けられ、表裏に貫通した複数の貫通孔１４ａを有する、接地された平板状部材１４と、下チャンバ１３内に配設され、基板Ｋが載置される基台１６と、上チャンバ１２内にエッチングガスを供給するガス供給装置２０と、上チャンバ１２内及び下チャンバ１３内のエッチングガスをそれぞれプラズマ化するプラズマ生成装置２６，２９と、処理チャンバ１１内を減圧する排気装置３５と、基台１６に高周波電力を供給する高周波電源３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【目的】半導体製造プロセスを提供する。
【解決手段】先ず、ウエハを提供し、ウエハ上に材料層及び露光されたフォトレジスト層が形成され、ウエハはセンターエリア及びエッジエリアを有する。その後、露光されたフォトレジスト層の特性を変化させ、センターエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法をエッジエリア内の露光されたフォトレジストの最小加工寸法と異ならせる。露光されたフォトレジスト層のエッジプロパティを変化させた後、露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することによりウエハにエッチングプロセスを行い、ウエハ上に形成された均一な最小加工寸法を有するパターン化材料層を形成する。 （もっと読む）

【課題】位置決め孔と位置決めピンの嵌め合い精度を高めることなく，基板処理装置の部品の位置決め精度を従来以上に高める。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリング１２４を載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，加熱によって径方向に膨張する材料によってピン状に構成され，サセプタのフォーカスリング載置面に形成された位置決め孔（第１基準孔）とフォーカスリングに形成された位置決め孔（第２基準孔）に挿入され，加熱によって径方向に膨張して各位置決め孔に嵌合することでフォーカスリングを位置決めする複数の位置決めピン２００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理室内の耐プラズマ壁材を変えず、同材質が並ぶ配置のままでも耐プラズマ壁材温度を測定し温度制御を行ってウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置及び制御方法とする。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられたウェハをプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、処理室上方で前記試料台上面と対向して配置されプラズマを形成するための電界が透過して処理室内に供給される誘電体製の板部材１０３，１０４と、板部材１０３，１０４の内部に配置され板部材１０３，１０４を透過する所定の範囲の電磁波を反射する部材２０２と、部材２０２から放出される電磁波を検知するセンサ１１０と、センサ１１０からの信号に基づいて部材の温度を検出する検出器と、を備え、検出器の検出結果を用いて処理に係る動作を調節する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハの処理方法とを提供する。
【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを処理容器へ導入するための導入部において、炭素系の付着物の発生を抑制する。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２の天井面に、処理ガスの導入部５５が設けられ、導入部５５には、処理容器２の外部から供給路５２を経て供給される処理ガスを溜めるガス溜め部６１と、ガス溜め部６１と処理容器２の内部を連通させる複数のガス噴出孔６６が形成され、ガス溜め部６１において、供給路５２の開口部５２ａと対向する位置には、ガス噴出孔６６が設けられておらず、ガス噴出孔６６の断面は、扁平な形状である。 （もっと読む）

【課題】安定及び／または均一表面波プラズマソースを提供すること。
【解決手段】表面波プラズマ（ｓｕｒｆａｃｅ ｗａｖｅ ｐｌａｓｍａ、ＳＷＰ）ソースが提示される。表面波プラズマソースはプラズマに隣接する電磁気（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ、ＥＭ）波放射部のプラズマ表面上に表面波を発生させて電磁気エネルギを所望する電磁波モードで前記プラズマに結合させるように構成される。電磁波放射部は複数のスロットを備えたスロットアンテナを含む。表面プラズマ（ＳＷＰ）ソースは前記プラズマ表面に形成される第１リセス配列をさらに含み、前記第１リセス配列は実質的に前記複数のスロットの第１スロット配列に合わせて整列され、前記プラズマ表面に形成される第２リセス配列は前記複数のスロットの第２スロット配列に部分的に合わせて整列されるか、前記複数のスロットの第２スロット配列に合わせて整列されない。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理装置等にセッティングするときに、封止部を破損させるおそれの少ない支持構造を有するフィラメントランプを提供することである。
【解決手段】 両端に、金属箔が埋設されて気密に封止された板状の封止部を有する発光管と、前記発光管内に、発光管の管軸方向に伸びるように配設されたフィラメントと、前記フィラメントの両端のそれぞれに連設されるとともに、前記封止部に埋設された金属箔に対し電気的に接続された内部リードと、前記封止部を収納する有底開口を有するベース部と、前記ベース部に装着される固定用金具とを備え、前記固定用金具は、前記発光管の管軸方向に延伸して前記ベース部の有底開口に挿入される舌片部と、前記舌片部に連接され鉛直方向に延伸するとともに、回動自在な鉛直方向部とを有する。 （もっと読む）

プラズマエッチング速度分布におけるスキューの補正を、処理データ内でスキューから決定される角度を持つ傾斜軸周りでオーバーヘッドＲＦソースパワーアプリケータを傾斜させることによって行う。動作の完全な自由は、オーバーヘッドＲＦソースパワーアプリケータを吊り下げる浮動板を支持する正確に３軸のモーションサーボを組み込むことによって提供される。
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