【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】発生させるプラズマを周方向および／または径方向において均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波伝播体１９に対向するラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部を凹ませて、ラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部とラジアル導波箱４３に対向するマイクロ波伝播体１９の上面５２との板厚方向の長さを変更する変更手段として、ラジアル導波箱凹部６１に収容可能であって、下方側端部を構成する下方側端面６０がラジアル導波箱４３の下面５１の一部を構成するスタブ部材５６を含む。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、下部電極１６に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源８９および相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極34に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向におけるプラズマ密度分布の均一性を改善すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。ＲＦアンテナ５４は、コイル径の異なる複数の単巻きコイル５４(1)，５４(2)，５４(3)を有している。各コイル５４(1)，５４(2)，５４(3)の高周波給電ポイントは非常に小さな切れ目を挟んで設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成し、バイアス電力５００〜１０００Ｗの条件で、プラズマエッチングによりホール又はトレンチを形成する際に、ホール又はトレンチの底部周囲にマイクロトレンチを形成し、基板に貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向さらには径方向のプラズマ密度分布の均一性または制御性を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０の天井の誘電体壁５２上の設けられるＲＦアンテナ５４は、アンテナ室５６内で誘電体窓５２から離間してその上方に配置され、高周波給電部５８からのＲＦ給電ライン６０，６８に接続される一次コイル６２と、この一次コイル６２と電磁誘導により結合可能な位置で、かつこの一次コイル６２よりも誘電体窓５２の下面（処理空間と対向する面）の近くに配置される二次コイル６４とを有している。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーンを独立に制御すると共に、これらに電力を供給する電子回路とを備える。この加熱プレートが組み込まれる基板支持アセンブリは、静電クランプ電極と、温度制御されるベースプレートとを備える。この加熱プレートを製造する方法は、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合することを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部５０を設ける。電気特性調整部５０は，処理空間Ｋから上部電極４に流れ込む電流の電流値が最大にならないように，プラズマＰから見た上部電極４側の回路の電気特性を調整できる。エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。
【解決手段】真空処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段を備え、前記マイクロ波供給手段の前記処理室へのマイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換する円偏波発生器を備え、該円偏波発生器は、最低次のモードで動作する方形の入力側導波管３０１と、最低次のモードで動作する正多角形または円形の出力側導波管３０６と、偏波面の異なる複数の直線偏波が同時に伝播可能な正多角形または円形の位相調整用導波管３０３を備え、該位相調整用導波管は、偏波面の異なる直線偏波の一方の位相または振幅を調整する調整手段３０４，３０５を備えた。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理圧力が高い場合であっても大面積、かつ均一なプラズマ密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の壁面の一部を占める透過窓と、前記透過窓にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、厚み方向を貫通する複数の第１の孔部を有し、前記透過窓と離隔させて前記処理容器の内部に設けられた第１の高密度プラズマ生成部と、を備え、前記第１の高密度プラズマ生成部は、前記第１の孔部においてホロー放電によりプラズマを生成すること、を特徴とするプラズマ生成装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）