【課題】均質素材の電極及び被駆動体を用いてプラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】減圧可能な処理容器１００内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによってウエハＷに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置は、複数の細孔Ａが形成された誘電体の基材１０５ａと、複数の細孔Ａに出し入れ可能な複数の棒状部材Ｂを含む被駆動体としての可変機構２００と、可変機構２００を駆動することにより、複数の細孔Ａに複数の棒状部材Ｂを出し入れさせる駆動機構２１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理の結果得られる形状の変動の少ないプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマによりエッチング処理するプラズマ処理装置であって、前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、前記ウエハを前記試料台上に載せて前記マスク膜の下方に配置されたポリシリコン膜をエッチングする前に前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】磁場形成機構が、上下に分離して設けられた上側磁場形成機構２２ａと下側磁場形成機構２２ｂとから構成され、これらの上側磁場形成機構と下側磁場形成機構を、互いに近接、離間するよう上下方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】均質素材の電極を用いてプラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間にプラズマ空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有するプラズマ処理装置であって、上部電極１０５には、所望の誘電体から形成された上部基材１０５ａに、シースの厚さの２倍以下の直径を有する中空の細孔Ａが複数形成されているプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに荷電粒子と中性粒子とを含むプラズマを照射することによって、基板Ｗにプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、支持部１０５に支持されている基板Ｗの面内における温度分布を調整することによって、基板Ｗの面内における、基板Ｗが中性粒子と反応する反応量の分布を制御し、支持部１０５に支持されている基板Ｗと、支持部１０５と対向するように設けられている電極１２０との間隔を調整することによって、基板Ｗの面内における荷電粒子の照射量の分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】形状制御性良く、タングステンを含む導電層のエッチングを行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層上にタングステンを含む導電層を形成する工程と、導電層を選択的にエッチングし、導電層の表面から下地層に達する深さよりも浅い溝を形成する工程と、溝を形成した後、臭素を含むガスを用いて、溝内の導電層の側面及び底面にタングステンと臭素との化合物を含む保護膜を形成する工程と、導電層の底面の保護膜を除去する工程と、導電層の底面の保護膜を除去した後、導電層の側面に保護膜が形成された状態で、導電層における溝より下の部分をエッチングする工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの導入量を制御するコンダクタンス制御部の数を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、一端が前記ガス供給部に接続された第１の配管と、前記第１の配管の他端に接続された分岐部と、それぞれの一端が前記分岐部に接続され他端が前記処理容器に接続された複数の配管であって、配管の流路のコンダクタンスが互いに異なる、複数の配管と、前記第１の配管に設けられ、前記第１の配管の流路のコンダクタンスを制御するコンダクタンス制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体１０の耐反応ガス材料製の部材１２内に導入流路２０を形成し、その両端に反応ガスの供給管３をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路２１を導入通路２０から吹出方向の先端側に延ばし拡散室２２に連ねる。拡散室２２内に整流板３０を設け、拡散室２２を整流板３０より基端側の室部２３と先端側の室部２５とに仕切る。整流板３０の両側の連通路２４にて室部２３，２５を連通する。好ましくは、支持部材４０にて整流板３０を支持し、室部２３内にスペーサ５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、該載置台２０２との対向面１４に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１００を備えた処理チャンバー２０１からなるプラズマ処理装置２００であって、前記対向面１４と、これと反対側の面１５とを貫通する複数の排気孔と、前記対向面１４と前記反対側の面１５とを貫通し、前記対向面１４側から前記反対側の面１５側にプラズマの漏洩を許容する開閉可能な複数のトリガー孔と、前記反対側の面１５側の排気空間内に設けられ、該排気空間を、少なくとも１つのトリガー孔が連通する複数の領域１７ａ，１７ｂ，１７ｃに仕切る仕切り壁１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極間の電界をより強くする。
【解決手段】基板１０２を保持することが可能な上部電極１２と、上部電極１２と対向するように配置され、上部電極１２と対向する部分に上部電極１２に向かって複数の柱状凸部１４ａが形成された下部電極１４とを設ける。そして、柱状凸部１４ａの配置のピッチＰと先端部の幅Ｗとの比Ｐ／Ｗを１．３以上とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング２５は、冷媒室を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、サセプタ１２と接触するサセプタ接触面４０と、該サセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８とを備え、伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチングレートの均一性を悪化させず、フォーカスリングがエッチングされることによるパーティクルの発生を減らすことができるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、エッチングガスが供給されるチャンバ１と、チャンバ１内に配置され、互いに対向する上部電極２及び下部電極１１と、被処理体であるウエハ４の外周を囲むフォーカスリング１３と、フォーカスリング１３の外周を囲むインシュレータリング１４とを備え、フォーカスリング１３は、ウエハ４側を構成する第１のフォーカスリング部分１３ａと、インシュレータリング１４側を構成する第２のフォーカスリング部分１３ｂとを有し、第２のフォーカスリング部分１３ｂは、第１のフォーカスリング部分１３ａよりも導電性が低く、インシュレータリング１４よりも導電性が高い。 （もっと読む）

【課題】基板の外周側縁部上面を覆う保護部材を高精度に位置決めすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、基板Ｋが載置される基台２１と、処理ガスを供給するガス供給装置４５と、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置５０と、基台２１に高周波電力を供給する高周波電源５５と、環状且つ板状に形成され、基台２１の外周部に載置可能に構成されるとともに、基台２１の外周部に載置されたときに、内周側縁部によって基板Ｋの外周側縁部上面を覆う環状且つ板状の保護部材３１と、保護部材３１を支持する支持部材３５と、基台２１を昇降させる昇降シリンダ３０とを備える。保護部材３１の下面には、基台２１上に載置される際に基台２１の外周部と係合する少なくとも３つの第１突起３３がピッチ円上に形成され、このピッチ円の中心は、保護部材３１の中心軸と同軸になっている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。
【解決手段】反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 （もっと読む）

【課題】アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁材料から形成される第１の層５０４と、第１の層５０４に接続された第２の層５０６であって、プロセス中においてプロセスチャンバ内に存在するプラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層５０６と、を備え、第１の層５０４および第２の層５０６は、アンテナから前記プロセスチャンバ内部へのＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備え、第２の層５０６は、導電材料から形成され、電気的に浮動するように構成されている結合窓構成５００である。結合窓構成５００のイオン衝突は低減され微粒子汚染が低減される、また高密度のプラズマとなる。 （もっと読む）

【課題】平行平板型ドライエッチング装置において被処理基板上におけるプラズマ密度の分布特性を向上させること。
【解決手段】 このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。この電界の補強ひいてはプラズマ密度の増強の度合いは、環状突出部材５０の突出量ｄを変えることで可変調整できる。 （もっと読む）

【課題】製造されるデバイスにおける閾値のバラツキを抑制する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室内に処理ガスを供給し、さらに該処理室内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成し前記処理室内の試料載置電極上に配置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該試料載置電極は、温度調節された冷媒を通流させるための冷媒溝を備えた基材部２０２と、該基材部の試料を載置する面に同心状に複数配置されたヒータ用抵抗体２０３、および静電吸着用電極２２２，２２３を備え、前記前記同心状に配置された複数のヒータ用抵抗体のうち中央部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスを周縁部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスよりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の凸分布傾向を改善したマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の伝送系が円形導波管を用いて構成され、電磁波供給機構が該円形導波管に接続された略円柱状の空洞部からなり、該空洞部にリッジ３０１を設けること、あるいは、リッジ３０１とテーパ導波管４０１を併用することでマイクロ波の中心集中傾向を改善する。 （もっと読む）