【課題】異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、プラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、処理室内の電極に半導体基板を載置する載置工程と、電源回路から前記電極に電力を供給するとともに、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させる発生工程と、前記発生工程で発生したプラズマの電位と電力が供給された前記電極の電位との差であるバイアス電圧を検出する検出工程と、前記検出工程で検出されたバイアス電圧が目標値に一致するように前記電源回路の容量値を補正する補正工程と、前記補正工程が行われた後に前記検出工程で検出されたバイアス電圧が前記目標値に一致した状態で、前記プラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を加工する加工工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも２枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が１つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】未使用の誘電体を取り付けた直後から、又は極めて短い時間のダミー放電をするだけで、望ましいエッチングレートで安定して基板をエッチングすることが可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板１４が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１６を形成し、処理空間１６と外部とを連通する開口２０が設けられた処理容器１８と、誘電体を有し、処理容器１８に着脱自在であって、処理容器１８に取り付けた場合に開口２０を塞ぐ隔壁２２と、隔壁２２が有する誘電体を介して処理空間１６に導入され、プロセスガスをプラズマ化する電磁波を生成するコイル２４とを備えるドライエッチング装置１０であって、誘電体の処理空間側の面が研磨面となっている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、板体同士の間、又は板体と誘電体窓との間に設けられ端部が透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板に均一なプラズマ処理を施しつつ、一チャンバ複数プロセスの要求に充分応えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置されウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２に対向配置された上部電極２４と、サセプタ１２に接続された第１，第２の高周波電源１４，１６とを備え、上部電極２４は接地３６と電気的に接続され、上部電極２４をサセプタ１２に対して移動可能な基板処理装置１０において、上部電極２４に誘電体２６を埋め込んで、処理空間ＰＳに生じるプラズマ及び接地３６の間の電位差を、プラズマ及び誘電体２６の間の電位差、並びに、誘電体２６及び接地３６の間の電位差に分割し、さらに上部電極２４とサセプタ１２との間のギャップＧを変動させることによって、上部電極２４及びサセプタ１２の間のプラズマ密度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源１８に接続され且つウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配された上部電極板２８と、サセプタ１２及び上部電極板２８の間の処理空間ＰＳとを備え、プラズマを用いてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置１０は、上部電極板２８における処理空間ＰＳに面する部分を覆う誘電体板２７を備え、上部電極板２８は、ウエハＷの中央部と対向する内側電極２８ａと、ウエハＷの周縁部と対向する外側電極２８ｂとに分割され、内側電極２８ａと外側電極２８ｂとは互いに電気的に絶縁され、内側電極２８ａには第２の可変直流電源３３から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極２８ｂは電気的に接地される。 （もっと読む）

【課題】要求される処理プロセス性能に応じて必要とされる処理ガスの供給状態の実現可能性を増大させることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理室内の載置台の上方に位置する空間に、処理室の側壁から処理室の中心に向くように処理室内に突出するとともに、突出方向先端部と側壁部にガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、ガスノズルを、夫々突出方向に沿った当該ガスノズルの中心軸の回りに回転させる回転機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、回折格子の形状のばらつきを抑制することが可能な半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体光デバイスの製造方法は、回折格子層７、絶縁層９及びシリコン非含有樹脂層１１を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１をパターニングする工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３等の温度をＳｉＦ_４の凝固点以下の温度に保ちながら、ＣＦ_４ガス及びＯ_２ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によってシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程と、絶縁層９をマスクとして回折格子層７をエッチングして回折格子層７に回折格子７ｇを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ４４０は、その部品に相当するサポートリング４３０と、熱源に相当するエッジリング４１０と、それらの間のポリマ複合材４２０により構成されており、ポリマ複合材４２０は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置または方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されて処理対象のウェハ１７１を処理するためのプラズマが形成される処理室１１０を有する真空容器と、この真空容器の上部でこれを構成し前記処理室の上方に配置されその下方の前記処理室内の空間に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の板部材１１１と、前記板部材の上方に配置され温度を検出する検出器１８１と、この検出器が検出した結果に応じて前記プラズマの形成を調節する制御部とを備え、前記検出器が、前記プラズマが形成される前の第一の時刻とこのプラズマが形成された後所定の時間後の第二の時刻とこの所定時間後の時刻の後の前記プラズマが形成中の任意の第三の時刻における放射エネルギーの量に基づいて前記第三の時刻の温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極面内のプラズマ強度の均一性を高める。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように配置され、第１電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴１４ａが複数開口された第２電極１４とを備え、第２電極１４の第１電極と対向する面には、ガス供給穴１４ａを取り囲むように溝１４ｃが設けられているプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のエッチング装置は、障害物が、前記陽極側電極側に複数の開口部を有し、前記処理基板の全面を覆っており、前記陽極側電極側に対向する面が面内の一点を頂点とし周辺部位に向けて傾斜していることにより、処理基板面内中心部のプラズマ密度を低減させることが出来る。このため、処理基板において、中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制することが出来ることから、ローディング効果を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）