温度制御された基板支持表面を有する基板支持体は、少なくとも１つの液体源と複数の液体流路とを有する液体供給システムとを含む。前記液体供給システムは、前記液体流路に対し液体の分布を制御するためにバルブを含むことができる。前記液体供給システムはまた、その動作を制御するコントローラを含んでもよい。液体は、様々なパターンの液体流路を通して供給されうる。基板支持体はまた、熱伝達ガス供給システムを含むことができる。このシステムは、熱伝達ガスを前記基板支持表面と前記基板支持表面上で支持される基板との間に供給する。
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【課題】半導体ウェハを対象として、安定した均一なプラズマ処理をコンパクト・安価な構成で実現することを目的とする。
【解決手段】処置室１０内に半導体ウェハ８を搬入してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、半導体ウェハ８を載置してプラズマ放電を発生させる電極部６を、半導体ウェハ８を保持する２列のガイド部７の間で昇降自在に配設された板状の昇降体１４に、電極部６を上下に貫通して昇降自在に配設された昇降ロッド１５を連結し、昇降ロッド１５を圧縮ばね２３によって下方に付勢した構成を採用する。これにより処理室１０内の減圧時に昇降ロッド１５と昇降体１４とをともに圧力差により上昇させて、昇降体１４が半導体ウェハ８の下面に近接した状態でプラズマ処理を行うことができ、均一なプラズマ処理を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
試料と溶射膜間の伝熱ガスの圧力を正確に測定することにより試料を正確に所定の温度に制御する。
【解決手段】
内部に冷媒を流す冷媒通路を形成した基材１と、前記基材表面に形成した溶射膜２上に形成した伝熱ガス供給溝と、前記基材内に形成されて前記伝熱ガス供給溝と連通する伝熱ガス通路５を備え、前記溶射膜の伝熱ガス供給溝形成面に載置された試料を静電吸着して保持するプラズマ処理装置の試料載置電極において、 前記基材内に形成した伝熱ガス通路５に連接して伝熱ガスの圧力を測定する圧力計１０を前記基材１内に備えた。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置の複数の部材の温度制御システムについて，設置スペースを低減し，冷媒の使用量を低減する。
【解決手段】 温度制御システム８０は，上部電極２０とサセプタ１２の内部を通過するようにブラインを循環させる循環系９１と，循環系９１のブラインと代替フロンとの間で熱交換を行う熱交換器１００と，熱交換器１００に代替フロンを供給する冷凍機９２を備える。循環系９１は，上部電極２０の内部を通過する第１の分岐管１１１と，サセプタ１２の内部を通過する第２の分岐管１１２を備える。上部電極２０とサセプタ１２の各分岐管１１１，１１２には，ブラインを加熱するヒータ１２１が設けられる。熱交換器１００は，クリーンルームＲ内に設置され，冷凍機９２は，用力室Ｂに設置される。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型プラズマ処理装置において、高速且つ高アスペクト比のエッチングを行うことを可能とする。更にまた、均一なエッチングを可能とするために、プラズマ発生空間内でのプラズマの形状を制御することを可能とする。
【解決手段】 プラズマ生成容器を被処理物に向かって拡径する円錐台形状に形成し、その外周側面の一部に励起コイルを巻き付ける構成とする。巻き付ける回数は2〜5回程度でよい。コイルの巻き数をこの程度に抑えることにより、プラズマにおいてイオンが優勢となる。可動機構によってコイルの配置箇所などを適宜調節することにより、プラズマ生成容器内部で発生するプラズマの形状をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチングにおいて、高速、高選択比、高アスペクト加工、長期間安定なエッチング特性を達成する。
【解決手段】
ＵＨＦ帯電源１０４による電磁波で電子サイクロトロン共鳴現象を用いてプラズマを形成し、さらに電磁波を被加工試料１１０に対面する位置に配置した円形導体板１０７から放射させ、かつ前記円形導体板１０７の材質をシリコンまたはグラファイトとする。
ＵＨＦ帯電源１０４を用いてプラズマを形成することで、低ガス圧高密度でも低解離なプラズマが形成でき、反応の制御性が向上する。さらに電磁波放射機能を兼ねる円形導体板１０７上でのプラズマとの反応により、有効活性種を増加できる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ノズルからウエハー上の反応領域に供給される工程ガスの分布を均一にすることで、所望の加工工程を均一に行える高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体１１及びチャンバーカバー１２を備えた工程チャンバー１０と、該工程チャンバー１０の内部に工程ガスを供給するために前記工程チャンバー１０の上部に設けられる上部ガス供給ノズル４０と、を含み、前記上部ガス供給ノズル４０は、水平方向に形成された板状の水平部４２を有するノズル本体４１と、該ノズル本体４１に沿って垂直方向に形成されるガス供給流路４４と、前記水平部４２の下面に付着されて流路を形成するノズルカバー５０と、前記流路に連通するとともに、前記工程チャンバー１０内の半導体基板Ｗ側に均一に工程ガスを供給するために前記ノズルカバー５０に形成される複数のガス流入口６０と、を含んで高密度プラズマ化学気相蒸着装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行う際に、電極周辺部材の消耗による製造コスト増を抑える。
【解決手段】反応室中に設置され基板１２を載置可能な構成を有する電極と、電極を囲んで取り付けられた電極周辺部材１７とを備え、電極によりプラズマを発生させて基板１２を処理するプラズマ処理装置であって、電極周辺部材１７は基板１２に沿って回転可能とした。これにより、電極周辺部材１７の消耗度合いを均一化することができ、プラズマの異常の回避による安定した半導体装置の製造と半導体製造装置の管理維持のためのコスト低減を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理においてフィルム厚さと溝深さとを監視するためのシステム、方法、及び計算されたプログラムの提供。
【解決手段】この方法は、反射率に関する知識又は表面の透過率または構成を必要としないが、反射率又は透過率線形変換と関連した量だけは、知られている必要がある。最初に、プロセスの簡素化した光学モデルは、ウェーハの個別的な領域の表面反射率を計算するために必要とされるのと同じくらい多くのパラメータを用いて構成される。反射率データは、例えばin-situ測定によってウェーハ表面から収集され、公称反射率は電流スペクトルの定量から参照スペクトルまで決定される。参照スペクトルは、反射特性がよく特徴付けられている素材だけで構成される参照ウェーハから取得される。観察されたデータの風袋及び計算されたデータの風袋の両方は、それらの垂直方向の範囲とスペクトル的に平均された値とが一致するように変換される。観察されたデータと計算されたモデルとを、それらの垂直方向の範囲とスペクトル的に平均された値とが一致するように変換することによって、前記データと前記モデルとの大きな差は許容される。メリット関数は、パラメータの正しい値でのメリット関数にて深い極小を見出すための標準の数値技術を用いて極小化される。パラメータの特定の選択によって観察されたデータと前記モデルとの間の取り決めを測定するメリット関数が使用される。
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【課題】半導体製造工程、特に、プラズマ処理工程において、部材自体の抵抗率が変動することを抑制することができ、これにより、ウエハ処理の均一化を図ることができ、かつ、被処理ウエハ等に対する不純物汚染源とならないシリコン部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真性抵抗率が１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下の１３族原子がドープされたＰ型シリコン単結晶を、３００℃以上５００℃以下でアニール処理することによりＰ／Ｎ反転させて、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下であるシリコン部材を製造する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室の内側に配置された台上に載置された試料を前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記台がその上部に設けられその上に前記試料と接する第１の部材とこの第１の部材の下方に配置される第２の部材とを有し、前記台の内側に配置されこの台の外周側及び中央側を各々第１及び第２の温度に調節する温度手段と、前記台の表面とこの表面に接する前記試料との間であって前記試料の外周側及び内周側を各々第１及び第２の圧力に調節する圧力調節手段とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、基板のエッチング方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板へのエッチング副生成物の均一な堆積速度に対応する基板温度ターゲットプロファイルを求める工程と、基板支持体の第２部位に対して基板支持体の第１部位の温度を優先的に調節することにより基板上でこの基板温度ターゲットプロファイルを実現する工程と、優先的に調節された基板支持体上で基板をエッチングする工程とを含む。別の実施形態において、本方法はその内部での種の分布が選択可能であり、横方向の温度制御が可能な基板支持体を有する処理チャンバ内に基板を設置し、ここで基板支持体によりもたらされた温度プロファイルと種の分布の選択が制御パラメータセットを構成している工程と、それぞれ異なる制御パラメータセットを用いて第１材料層と第２材料層をエッチングする工程を含む。

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【課題】 ゲート電極のエッチングの制御を容易にし、オーバーエッチングを回避した設計どおりのトランジスタ素子を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子領域１１のゲート絶縁膜１２上にポリシリコン層１３が形成されている。このポリシリコン層１３は、不純物のドープされた領域１３１とノンドープ領域１３２が混在したものとなっている。このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 （もっと読む）

【課題】オーバーヘッドコイルを用いたプラズマ分布の制御によりウエハーまたは加工物表面の均一性改善できるプラズマ反応器とプラズマ分布の制御方法を提供する。
【解決手段】加工物１１０を処理するプラズマ反応器は、側壁およびシーリングによって画定される真空チャンバと、チャンバ内に加工物支持表面を有し、シーリングに面し、カソード電極を含む加工物支持用ペデスタルを含む。ＲＦパワー発生器がカソード電極に結合されている。プラズマ分布は、加工物支持表面の上にある第１の平面内の外部環状内側電磁石６０と、加工物支持表面の上にある第２の平面内の、内側電磁石よりも大きな直径を有する外部環状外側電磁石６５と、加工物支持表面の下にある第３の平面内の外部環状底部磁石４０１とによって制御される。ＤＣ電流供給源が、内側、外側および底部電磁石のそれぞれに接続されている。 （もっと読む）

半導体ウエハやサンプル（１０１）をエッチングするための装置において、半導体ウエハ又はサンプルは、第１チャンバ（１０３）内に配設されたサンプルホルダ（１０４）上に配置される。前記半導体ウエハ又はサンプルと前記サンプルホルダとの組み合わせは、前記第１チャンバの内部の第２チャンバ（１３０）内に収納される。前記第２チャンバを減圧脱気し、エッチングガスを第２チャンバに導入するが、第１チャンバには導入せずに、前記半導体ウエハ又はサンプルをエッチングする。
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【課題】従来の技術では、処理ガスに添加されたＣとＦを含むガスによってハードマスク開口部への付着物を抑制しているが、本来のエッチングガスとは別に、付着物を抑制ためのＣとＦを含むガスを添加しなくてはならず、また、ＣとＦを含むガスはハードハードマスク自体を減膜させるため、ＣとＦを含むガスの添加量や添加のタイミングを適正に制御しなくてはならない。つまり、開口寸法が０．２μｍ以下で高アスペクト比のホールまたはトレンチを形成する場合には、エッチング中にマスク開口部の堆積物を除去し、あるいはその成長を抑制しなくてはならない。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、プラズマを利用するエッチング方法において、側壁がボーイング形状の開口部２０１Ａを有するＳｉＯ_２膜２０１をハードマスクとして用いてＳｉ層２０２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】
ＶＨＦプラズマの表面処理への応用において、一対の電極間に発生の定在波を均一化することにより、プラズマの強さの分布を一様化し、その結果、大面積・均一の超高周波プラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
一対の電極における電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの給電点に時間的に分離されたパルス電力を供給し、該一対の電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつそれらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。
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プラズマ処理装置用ガス分配部材を製造する方法が提供される。ガス分配部材は、電極、ガス分配プレート又は他の部材である。方法は、適切な技術、例えば機械的形成技術によりガス分配部材内にガス注入孔を形成することと、ガス分配部材を通るガス流量を測定することと、その後、同一の形成技術又はレーザドリル法等の異なる技術によってガス分配部材の透過率を調整することとを含む。ガス分配部材の透過率は、部材の１つ以上のゾーンにおいて調整される。
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【課題】 真空窓の外側の２以上の高周波アンテナに流れる高周波電流の比率を適切に制御し、プラズマ密度の不均一性を改善できる誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 この誘導結合型プラズマ発生装置は、プラズマ２６を生成して基板２１を処理するための真空容器１１、真空容器壁部に設けられる真空窓１２、真空窓の外側に配置される２以上のアンテナ部分から成る高周波アンテナ１３、高周波アンテナに高周波を供給する高周波電源１４、基板ホルダ２２を備える。さらに２以上のアンテナ部分は直列に接続された結線構造を有し、少なくとも１つのアンテナ部分に対して並列にコンデンサ３１Ａ，３１Ｂを接続する。コンデンサの容量値は、上記の２以上のアンテナ部分に流れる高周波電流の比率が最適に調整するように設定されている。 （もっと読む）