【課題】被処理基板の温度均一性や温度制御応答性が高く、かつ十分な温度制御性を得ることができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において基板を載置する基板載置台４であって、載置台本体を構成する静電チャック４２と、静電チャック４２の基準面６０に、ウエハＷが載置された際にウエハの周縁部に接触するように形成され、その際にウエハＷの下方部分に熱伝達用ガスが充填される密閉空間６２を形成する周縁環状凸部６１と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、ウエハＷが載置された際にウエハＷと接触するように設けられた複数の第１突起部６３と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、第１突起部６３と独立して、ウエハＷが載置された際にウエハＷに接触せずに近接して設けられた複数の第２突起部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において電極間隔が狭くなる箇所でのガス流量を確保して処理抜けを防止する。
【解決手段】 電極３１，３２間の放電空間３０の上流側に、プロセスガス導入口２３を有する導入口形成部２２を設ける。この導入口形成部２２の所定部分には、開口幅可変部材４０を導入口２３の幅方向に前進・後退可能に設ける。この開口幅可変部材４０の前進側の端面を、導入口２３に臨ませ、前記所定部分の導入口２２の内面とする。この開口幅可変部材４０の前進側の端面に、放電空間３０に向かうにしたがって所定位置へ傾く傾斜条４１，４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの照射範囲を拡大させ、プラズマの生成／加速の両能力を同時に向上させ得る電磁誘導加速装置を提供する。
【解決手段】初期放電部(310)は第１駆動周波数の電流を、放電コイル(315)、第１外部及び内部コイル(311、313)に同方向に流す。そのとき生成される交流磁界がチャネル(390)内にプラズマを生成し、軸方向の初期速度を与える。加速部(330)は第２駆動周波数の電流を第２外部及び内部コイル(331、333)に同方向に流す。各電流の位相は軸方向に沿って遅れる。それにより生成される交流磁界が軸方向に傾きを持ち、かつ軸方向に伝搬するので、プラズマが軸方向に加速され続ける。ノズル部(350)は第３外部及び内部コイルに電流を逆方向に流す。それにより軸方向の磁界が生成されるので、プラズマが圧縮されてから外に放出される。第１及び第２駆動周波数は互いに独立に最適化される。
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【課題】
本発明の課題は、従来用いられてきた陰極結合型エッチング装置及び３電極型エッチング装置の構造を実質的に変えることなく０．３μｍ幅以下の微細加工に対応できる反応性イオンエッチング装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明による反応性ドライエッチング装置においては、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段が設けられる。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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【課題】 半導体ウエハに対してプラズマにより例えばシリコン層をエッチングしてトレンチを形成するあたり、ウエハ外縁部における反応生成物の堆積を抑えてエッチングレートの低下をを抑制すること。
【解決手段】 フォーカスリングの表面における内側領域を、エッチング処理時の反応生成物の付着を抑えることができる程度の平均表面粗さＲａとなるように例えば０．１以下に仕上げ加工し、外側領域を反応生成物を捕集するためにその平均表面粗さを例えばＲａ３．２以下に仕上げ加工する。内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置において基板を処理する間に基板の温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ペデスタルアッセンブリ１１６は、金属性のベース１１４に結合された静電チャックを備えている。静電チャック１２６は、少なくとも１つのチャック電極１８６を備え、又、金属性ベース１１４には、少なくとも２つの流体分離されたコンジットループが配置される。ペデスタルアッセンブリ１１６が、ベース１１４と支持部材との間の形成されたチャンネル１０８を有し、材料層の付近に冷却ガスを供給して、支持部材とベースとの間の熱伝達を更に制御し、これにより、支持部材に配置された基板の温度プロフィールを制御する。 （もっと読む）

複数枚の基板に対して等温処理条件及び一様流体フロー処理条件を達成する、基板処理のためのシステム及び方法。一態様において、発明は、基板スタック全体にわたって等温条件を達成するために基板の露出表面に対向するプロセスチャンバの表面の放射率値と露出表面の放射率値の整合を利用するシステム及び方法である。別の態様において、発明は、基板ローディング開口によるプロセスチャンバプロファイルの空洞または構造不整を排除することによって優れた流体フロー一様性を示すプロセスチャンバ内で基板を処理するシステム及び方法である。また別の態様において、発明は、プロセスチャンバがライナー及び外殻を有し、ライナーが炭素のような高熱伝導性材料で構成され、外殻がステンレス鋼のような非孔質材料で構成される、基板を処理するシステム及び方法である。
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【課題】被処理基板の上に均一な電界を形成することにより、被処理基板におけるエッチングレート分布の均一化を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置Ｓは、真空容器である処理室１２と、処理室１２内の上部に配置され、電気的に接地された上部電極１１と、処理室１２内の下部において上部電極１１に対向して配置され、上部電極１１側の表面に被処理基板Ｌが載置される下部電極１５と、下部電極１５に接続された電源部２５と、処理室１２の内部に処理ガスを導入するガス供給手段１０とを備えている。そして、電源部２５は、下部電極１５に対して並列に接続され、下部電極１５へ同時に電圧を印加するように構成された高周波電源２６と低周波電源２７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートが長時間変化することのない使用寿命の長いプラズマエッチング装置に使用する耐エッチング膜被覆シリコン電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板２において、前記シリコン電極板２の貫通細孔５内面およびシリコン電極板下面８の貫通細孔開口部周囲に円形状に耐エッチング性被膜１１を形成してなるプラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板。 （もっと読む）

【課題】ウェハ加熱装置の温度がばらつき、必要な均熱性や温度応答性が得られないという課題があった。
【解決手段】本発明によれば、板状体の一方の主面を被加熱物を加熱する加熱面とし、その内部または他方の主面に帯状の抵抗発熱体を配設し、該帯状の抵抗発熱体の帯は略同一の幅を有する弧状配線部と折り返し弧状配線部とを連続させて略同心円環状に配設され、同一円周上に位置する一対の折り返し弧状配線部の間の距離が半径方向に隣り合う円弧状パターン間の距離よりも小さく、上記抵抗発熱体の両端に給電部を備え、該給電部が上記円環の外に備える。 （もっと読む）

【課題】１２インチ以上の大口径ウェハに対して均一なエッチング処理を可能にする。
【解決手段】エッチング処理室１００内にステージ電極１０２とガス供給電極１０３が対向して設置されており，ガス供給電極１０３のガス供給面は第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２に分かれており，各々に対応して第１のガス流量制御系１０７，第２のガス流量制御系１０８，及び第３のガス流量制御系１０９を用いて個別に制御している。前記第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２より，エッチングガスの流量及び電離電圧の異なるガスの流量比を最適化してガス供給を行う。 （もっと読む）

【課題】ワークにドライエッチングを施して、ワーク上に多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、ワーク周縁部のパターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないドライエッチング装置を提供すること。
【解決手段】ドライエッチング装置のプラテン電極２２を、円盤状の金属板２３と、金属板２３に取り付けられワーク３を載置するリング状の弾性部材２４と、金属板２３と弾性部材２４とを囲むように配置されたリング状の絶縁部材２６とで構成し、更に絶縁部材２６の内側に、ワーク３の外径と略同一又はワーク３の外径以上の外径を有する金属製のリング部材２５を、金属板２３及び弾性部材２４の外周を囲むように金属板２３と導通状態で設けた。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題点を解決した大面積を均一に処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】複数の導波管４の複数のスロット５から放射された電磁波を、梁１１に支持された複数の誘電体窓６を通して処理容器７内に放射し、プラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の処理を行うプラズマ処理装置である。この梁１１の処理容器７側に誘電体板１２が取り付けられており、前記誘電体板１２の厚さが電磁波の誘電体内波長の１／２以上であること特徴とする。このプラズマ処理装置を用いることにより、大面積を均一に処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁材料上に接合された導電性材料にドライエッチングを施して、多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、パターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】エッチングマスク５が、多数並列配置されたパターンに対応するエッチングマスク４Ａの内、導電性材料１４の外周部から複数個内側までの各エッチングマスク４Ａを隣のエッチングマスク４Ａと連結部７Ａで連結するように形成する。プラズマ加工中に帯電する電子による導電性材料１４の面内電位差の発生を抑制し、照射イオンの歪曲を抑えて、パターン４Ａの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常を防止できる。 （もっと読む）

【課題】１２インチ以上の大口径ウェハに対して均一なエッチング処理を可能にする。
【解決手段】エッチング処理室１００内にステージ電極１０２とガス供給電極１０３が対向して設置されており，ガス供給電極１０３のガス供給面は第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２に分かれており，各々に対応して第１のガス流量制御系１０７，第２のガス流量制御系１０８，及び第３のガス流量制御系１０９を用いて個別に制御している。前記第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２より，エッチングガスの流量及び電離電圧の異なるガスの流量比を最適化してガス供給を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハのエッチングのエッチング深さ及び形状を高精度に制御し、不良率を低くするウエハの高精度エッチング方を提供する。
【解決手段】ウエハ片４０と加工ノズルを向き合わせて設置し、このノズルがエッチング物質または酸化物質を噴射することができ、このノズルに相対する側に被加工物であるウエハ片４０を設置し、被加工物であるウエハ片４０はノズルに相対して該ノズル中心の周りを公転して運行し、且つ、被加工物であるウエハ片４０が公転して運行する過程において、ウエハ片４０そのものが自転し、エッチング物質または酸化物質がウエハ片４０表面に均一にぶつかり分布されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板処理をウエハ面内で均一に行わせることができるガス拡散プレートを提供する。
【解決手段】 ガス拡散プレート９には、基板を処理する際に用いられる処理ガスを通すための複数の貫通孔が設けられている。ガス拡散プレート９の周辺領域に設けられた貫通孔１１’、１１は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。このガス拡散プレート９を備えた基板処理装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面にある有機物をプラズマによって、均一に分解、除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、印加電極１５に電圧を印加して処理ガスＧ１を活性化させることによりプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｐ内に、基板Ｗを進入させて、基板Ｗの表面にある有機物を分解、除去する処理方法である。このプラズマ処理方法では、基板Ｗの表面における有機物と同様の有機物が表面にあるダミー基板Ｄを、基板Ｗの進入方向に対して、基板Ｗの前方に置き、基板Ｗにおけるプラズマ発生領域Ｐ内への進入に先立って、ダミー基板Ｄをプラズマ発生領域Ｐ内に進入させる。 （もっと読む）