【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。この複数の部分プラズマ１０が集合して全体プラズマ１１が形成される。部分プラズマ１０の密度を制御することにより、全体プラズマ１１の密度を制御する。この全体プラズマ１１を用いてその基板の面内を均一に処理する。 （もっと読む）

本発明の目的は歩留りおよび生産性向上が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明に係わる半導体装置の製造方法は、本発明は、真空容器１と、前記真空容器１内に設けられたウエハ８を設置するためのサセプタ７と、前記真空容器に原料ガスを導入するためのガス導入手段２と、および高周波電力導入手段６とを有するプラズマエッチング装置が準備され、前記ガス導入手段２により前記真空容器１内に導入されたガスを前記高周波電力でプラズマ化し、前記プラズマ雰囲気中でウエハ主面の酸化膜２３に選択的に複数の穴を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記穴を形成する工程で前記半導体ウエハ主面の平坦部と穴部とに連続スペクトルを有する光１５を照射させ、前記平坦部と前記穴部との反射率変化を測定することを特徴とする。
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【課題】ＥＢマスクなどのメンブレンのドライエッチングの際に、メンブレンを破壊することなく、且つエッチング特性を低下することないドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。
【解決手段】ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうこと。１）仕切り２５によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、２）分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構２７、３）分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構２８を具備すること。 （もっと読む）

本発明は、エッチング終了後のウエハ基板に照射面積０．００００１ｃｍ^２〜１ｃｍ^２の強度またはエネルギーが時間的に変調された電子線を照射する手段と、該電子線照射によるウエハ基板に励起する基板電流強度または音波強度の該電子線とウエハ基板面の相対角度依存性を検出する手段、その検出手段によりエッチング結果、特にコンタクトホール形成の開口性および形状の良否を判定し、後続するウエハに対するエッチング処理の停止指示、エッチング処理条件の修正指示あるいは処理条件の自動修正を行う手段とを有することを特徴とするエッチング装置を提供するものである。
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【課題】被処理基板２０の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を可能とする。
【解決手段】プラズマプロセス装置は、被処理基板２０が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部１１，１５と、被処理基板２０の被処理面２０ａに処理ガスを供給するガス供給部１０とを備え、ガス供給部１０の処理ガスを被処理基板２０の被処理面２０ａへ供給した状態で、プラズマ放電発生部１１，１５によってプラズマを発生させることにより、被処理基板２０にプラズマ処理を施すようになっている。さらに、被処理基板２０の外形に沿って被処理基板２０を囲むように設けられ、被処理基板２０の被処理面２０ａよりも高い頂面を有するブロック１４と、ブロック１４により囲まれた領域の隅部に設けられ、ガス供給部１０により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内におけるプラズマ密度の均一性を高めてプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するための載置台２６と、天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板４０と、処理容器内に向けてプラズマ発生用のマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射孔６４を有する平面アンテナ部材４６と、平面アンテナ部材上に設けられてマイクロ波の波長を短縮するための遅波材４８と、を有するプラズマ処理装置において、天板の下面に、該下面を同心状に複数のゾーンに区画して前記ゾーン間のマイクロ波の干渉を抑制するためのマイクロ波干渉抑制部４４を設ける。 （もっと読む）

【課題】エンドポイント信号を使用してエッチ特性を決定するための方法及び装置
【解決手段】本発明は、処理チャンバと、該処理チャンバに結合され、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定するように構成される診断システムと、該診断システムに結合され、エッチ速度及び該エンドポイント信号からの該エッチングのエッチ速度均一性の少なくとも１つをインシチューで決定するように構成されるコントローラとを具備する基板上の層をエッチングするプラズマ処理システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 大気圧プラズマ処理装置において、比較的大型の基板に対してプラズマ処理を行なう際にも支障がなく、活性種の利用効率を高くすることを可能とし、高速のプラズマ処理を可能とする。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍でプラズマを発生させるためのプラズマ発生空間１３に対する露出面６ａを有する放電禁止部６と、放電禁止部６を介して電界を発生させることによってプラズマ発生空間１３のうち露出面６ａ近傍にプラズマを発生させるための電界発生手段とを備える。放電禁止部６は、プラズマ発生空間１３に所望のガスを供給するためのガス流経路７を有する。ガス流経路７の断面形状は、上記電界発生手段によって形成される電界の方向の寸法が、電界が形成されてもガス流経路７内でのプラズマ発生を抑制できる程度に小さい。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、大型の被処理物に対しても均一なプラズマ処理を行なうことができる高周波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波プラズマ処理装置は、プラズマを形成するガス雰囲気を形成するための反応容器５と、反応容器５の内部に配置された放電電極２と、反応容器５の内部の高周波電界分布を制御するための電磁界制御手段とを備える。電磁界制御手段は、反応容器５の外側に配置され、電磁的に反応容器５と連通して、外部への高周波の漏洩を実質的に防ぐように形成された閉空間室６を含み、閉空間室６の内部の可動電磁シールド材２６を移動することによって、高周波電界分布が変動するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。
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本発明によるプラズマ処理装置には、アノードとカソードとが含まれる。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。弱電離プラズマの近傍に磁場を生成するように、磁石が配置される。その磁場は、カソードの近傍の弱電離プラズマ内の電子を実質的に閉じ込める。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を作り出す。その電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。その二次電子は励起原子を電離し、それにより、強電離プラズマを生成する。電圧源は、カソードの近傍に配置される基板にバイアス電圧を印加し、それにより、基板の表面のエッチングを引き起こすように、イオンの一部が基板の表面に衝突する。
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【課題】 微細加工の精度及び均一性を向上させることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数に区分された半導体基板の露光領域に、露光領域毎の露光量を半導体基板の位置座標の関数で近似して設定し、半導体基板上に形成した下地膜上に、光透過特性が一方向に単調に変化する回折格子からなる露光モニタパターンを転写してモニタレジストパターンを形成し、モニタレジストパターンをマスクとして下地膜を設定されたエッチング条件で選択的にエッチングしてモニタ下地膜パターンを形成し、一方向のモニタ下地膜パターンの幅とモニタレジストパターンの幅との差のずれ幅分布を露光領域毎に測定し、ずれ幅分布のばらつきを、基準値と比較して、露光領域の露光量を設定することを含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】 処理室１と、処理室に処理ガスを供給する手段１３〜１４と、処理室１を減圧する真空排気手段２５，２６と、ウェハ等の被処理体２を載置する電極４と、電磁波放射電源５Ａとを有するプラズマ処理装置において、Ｏ_２あるいはＮ_２の組成比が異なる少なくとも２種類の処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入することによって、加工深さの面内均一性を保ったままＣＤ寸法の面内均一性を制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】複数の測定位置から得られる複数の光信号を検出することができ、また、より単純な構造を有するという利点を有している装置を使用して各測定位置の状態を分析することができるプラズマ処理装置および光検出方法を提供すること。
【解決手段】干渉光Ｌ１が、光ファイバ２２２を通過して分光コンポーネント２３０に伝送される。プラズマ光Ｌ２が、光ファイバ２２４を通過して分光コンポーネント２３０に伝送される。これらの光は、それぞれ個々に分光分離される。干渉光Ｌ１の分光分離によって得られる干渉光スペクトルＬ１ｇは、第１の光路２２６を通過して光電変換コンポーネント２４０の干渉光光受容領域に突き当たる。プラズマ光Ｌ２の分光分離によって得られるプラズマ光スペクトルＬ２ｇは、第２の光路２２８を通過して光電変換コンポーネント２４０のプラズマ光光受容領域に突き当たる。 （もっと読む）

【課題】 レジストの残膜量を半導体基板の面にわたって均一にすること、また、コンタクトホール径を半導体基板の面にわたって均一にすること。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜にパターンを形成し、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆ、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、Ｃ_２Ｆ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＦ_３Ｉ、ＮＦ_３、ＳＦ_６の中の少なくとも１種類以上のガスで５０ｍＴｏｒｒ以下のガス圧力で反射防止膜をエッチングする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に亘って均一な食刻を行うことができる半導体食刻装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバー内でウェハを安着させる静電チャック１１０の外周縁上端部に段差を有するように形成されたリング安置部１１１に静電チャック１１０のエッジ部食刻を防止するためのエッジリング１２０を備える半導体食刻装置において、リング安置部１１１の垂直面１１２高さよりも厚い外側部１２１、及び外側部１２１の内周面からリング安置部１１１の垂直面１１２に近接するように突出し、上端部と下端部は外側部１２１の内周面上端部と下端部から同一な高さで下向及び上向の段差を有する内側部１２２からなるエッジリング部材１２０と、リング安置部１１１の水平面１１３に安着してエッジリング部材１２０の内側部１２２の底面を支持し、外側部１２１と内側部１２２の各段差に対応する厚さを有するリング形状のスペーサー部材１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の表面の荒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４にパターンを形成し、レジスト膜１４のパターン上面に表面膜１６を形成し、層間絶縁膜１２をエッチングする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
エッチングの均一性を保持し、信頼性の高いエッチングを行うことが可能な表示装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】
一対の電極間に電界を生じさせて、少なくとも表面にアルミニウムを含む下部電極２上の絶縁性基板３の表面に形成された絶縁膜にコンタクトホールを形成する表示装置の製造方法であって、前記下部電極２上において、前記絶縁性基板３を載置した領域を囲む外周部が、絶縁材料により被覆された状態で、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工パターンの疎密に依存することなく面内均一に精度良好なパターン加工行うことが可能なエッチング工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＳｉＯＣＨ系絶縁膜からなる被エッチング膜１３を形成し、マスクパターン１５上からのプラズマ処理を行う。これにより、マスクパターン１５から露出している被エッチング膜１３部分をＳｉＯ₂化して改質部１３ｂを形成する前処理を行う。次に、マスクパターン１５およびＳｉＯＣＨ系材料からなる未改質部１３ａに対して選択的に改質部１３ｂをエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】 大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用な従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、真空容器の外側に高周波アンテナを設けているため、放電室の径が大きくなるにつれ真空容器の絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならなかった。
【解決手段】 プラズマ発生装置の真空容器１７の内部にアンテナ全体を入れ、アンテナは複数個の線状導体１８ａ〜１８ｆで構成して、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにするとともに、アンテナのインダクタンスを小さくして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。また各線状導体の端部を独立の導入端子で真空容器の内壁に支持して外側で並列接続し、アンテナ配置の自由度を高めている。 （もっと読む）