プラズマ処理システムは、少なくとも１つのマルチピース式バッフルプレートを有する。このマルチピース式バッフルプレートアセンブリは、開口を有する少なくとも１つの環状リング部分と、前記開口内に着座するように寸法付けられたインサート部分とを含む。個々の部品は、セラミック材料から作ることができる。プラズマ処理中に、バッフルプレートにおける温度勾配によって生じる影響が最小化される。
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半導体基板の処理中にシャワーヘッド電極を所望の温度に維持するために、プラズマ処理装置は、シャワーヘッド電極と熱的に接触したヒータ、及び、そのヒータと熱的に接触し温度制御された天板を備える。ガス分配部材は、シャワーヘッド電極にプロセスガス及び高周波（ＲＦ）電力を供給する。 （もっと読む）

プロセス条件測定デバイスの寸法は製造基板の寸法に近く、操作システムは、生産基板用に用いられる基板キャリアに類似の製造環境を用いて、プロセス条件測定デバイスおよび操作システムを高度に集積化することができる。製造環境をほとんど撹乱せずにプロセス加工条件を測定することができる。人手をほとんど、またはまったく借りずに、プロセス条件測定デバイスからユーザにデータを転送することができる。
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ウエハ間の均一性が改善され、粒子汚染が減少した可変エッチング耐性ＡＲＣ（ＴＥＲＡ）層のための改善された蒸着プロセスを提供する方法および装置が含まれる。より詳しくは、処理チャンバを調整してＴＥＲＡ層の蒸着時にチャンバの中で発生する汚染物質粒子の数を減らしてウエハ間の均一性を改善する。装置は、上部電極、少なくとも一つのＲＦ源、基材ホルダと、複数の前駆体およびプロセスガスを供給するためのシャワーヘッドとを有するチャンバを備える。
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半導体基板処理チャンバにおいて、プロセス領域と排気ポートとの間のガスの流れを制御するための装置が提供される。本装置は半導体基板処理チャンバ内に支持され、半導体支持ペデスタルを少なくとも部分的に取り囲む、少なくとも一つの抑止プレートを含む。この抑止プレートはプロセス領域と排気ポートとの間を流れる少なくとも一つのガスの流れを制御する。

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プラズマ処理チャンバを効果的にモニターするための、無線周波（ＲＦ）電源（例：約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚあるいは約６０ＭＨｚ）に対応する電気パラメータを提供できるＶＩ−プローブと、電気パラメータのそれぞれにハーモニクスを提供できる市販のプローブ製品にカップリングされる、及び／または含まれるプロセッサと、電気パラメータの１つ並びにプラズマ処理ステップのためのエンドポイント検出用関連ハーモニクスの１つを選択できるプロセッサにカップリングされたコントローラと、を含んだプラズマ処理制御システム。電気パラメータは、電圧、位相及び電流を含むことができ、プラズマ処理適用形態は誘電エッチングであってもよい。本発明の実施例によるシステムは特に製造環境での誘電エッチングに適している。 （もっと読む）

単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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基板を支持するための基盤ホルダ。加熱要素が、支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置している。流体用ギャップが、この冷却要素と加熱要素との間に位置している。この流体用ギャップは、冷却要素と加熱要素との間の熱伝導を増加させるように、流体を受容するように構成されている。ろう付け用素材が、冷却要素と加熱要素との間に配置されており、このろう付け用素材は、流体用ギャップに隣接して配置されている。
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ＲＦセンサをＲＦ電流キャリアと電気的接触させるためのクランプアセンブリが、本明細書で提供される。クランプアセンブリ（１０１）は、第一のウェッジ状エレメント（１０３）と、第一のウェッジ状エレメントとスライドして係合する第二のウェッジ状エレメント（１０５）を備える。さらに、クランプアセンブリは、第一と第二のウェッジ状エレメントが配置される首部（１１３）を備えることが好ましい。クランプアセンブリは、さらに、第一と第二のエレメントを隣接させるネジのような締め付け具（１１１）を備えることが好ましい。この場合、ネジが第一の方向に回転するにつれ、第一と第二のエレメントの少なくとも一方が、首部および／またはＲＦ電流キャリアに対して膨張するのに、クランプアセンブリは、適応するようになっている。
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誘導素子２０は、シート状の材料から生成される。誘導素子２０は、プロセスチャンバ１２の誘電体の壁または窓１６の外側に位置し、一般的には誘電体の壁または窓に一致し、一つ以上の層またはループ４０が形成される。導電体は、ヘビ状または振動する形状を有する各々のループの周りに導電経路を与え、各々のループの周りの導電経路は、誘導素子２０の円周よりも大きくなるようになっている。導電経路は、誘導素子の側面のエッジに沿ったカットアウト３０によって形作られている。導電体は、導電経路を横切る幅とシートの厚さで決められる大小のアスペクト比を有する交互のセグメント３１−３５によって形作られている。セグメントはシートのカットアウトからも決められている。電流を集束されるセグメントが細ければ細い程、インダクタンスは高くなり、チャンバ内部に多量のエネルギーを結合し、それによって、離散的にプラズマが集束したリングを生成する。
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処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室内に流れるガスを分配するためのバッフル板アセンブリは、複数の開口を有する平坦なガス分配部分と；このガス分配部分を取り囲むフランジと；キャップ、及び前記ガス分配部分と熱接触しているステムを有して、前記ガス分配部分の中央に取り付けられる衝突装置とを含む。また、バッフル板アセンブリを用いるプラズマリアクターと、プラズマ内で種の再結合を減少させるための方法が開示されている。
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プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。
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マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

【課題】適応型プラズマ源を有するプラズマ室の設置方法、プラズマエッチング法及び適応型プラズマ源を製造する方法を提供する。
【解決手段】先ず、第１のプラズマ源コイル２００aと、第１のプラズマ源コイルよりも中心部でのエッチング速度が速い第２のプラズマ源コイル２００bと、第１のプラズマ源コイルよりも周縁部でのエッチング速度が速い第３のプラズマ源コイル２００cとを備える複数個のプラズマソースコイルを用意する。その後、第１のプラズマ源コイルをプラズマ室３００aに取り付け、テストウエハ３０８に対するエッチング工程を行う。次に、テストウエハに対する位置別のエッチング速度を分析し、その結果に応じて、第１のプラズマ源コイルを第２プラズマ源コイルまたは第３のプラズマ源コイルに交換する。 （もっと読む）

プラズマ装備のシーズニング方法及びそのための装備を提供する。本発明によるシーズニング方法は、プラズマ装備を稼動し、プラズマ工程を行う前に、プラズマ装備の工程室の内部に存在するシリコン酸化物系（ＳｉＯ_Ｘ）化学種とフッ化炭素系化合物（ＣＦ_Ｙ）化学種の光学放射の強さ比を測定し、測定された強さ比の値が、予め実験的に設定された正常状態の範囲内であるか、或いは正常状態の範囲を外れるかを判断した後、判断の結果によって測定された強さ比の値が、正常状態の範囲内に切り換えられるように、工程室の内部にプラズマ工程に用いられる反応ガスを供給し、反応ガスの成分比を変化させ、強さ比が変化するようにし、工程室の内部を適宜シーズニングする。
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温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
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プラズマ処理で使用するための分割高周波（ＲＦ）電極。この電極は、第１電極と、第１電極を取り囲む第２電極と、第１電極と第２電極の間に挿入された誘電材料とを含む。この誘電材料は、第１電極を第２電極から電気的に分離する。少なくとも１つの二重周波高周波電源が、第１周波数および第２周波数でＲＦ電力を出力する。第１周波数と第２周波数は異なるので、少なくとも１つの高周波スイッチが、少なくとも１つの二重周波源から、第１電極、第２電極、または第１電極および第２電極に、少なくとも第１周波数または第２周波数を送る。
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チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。 （もっと読む）

【課題】チャンバのハードウェア部品が正しく組み立てられているかを検査すると共に、チャンバ型のプラズマ処理システムを故障点検するための簡単、迅速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】接地されたチャンバおよび下部電極に接続されたＲＦ給電系統を有するプラズマ処理システムの試験が行われる。下部電極と接地されたチャンバとの間の大気中における第１のキャパシタンスが測定される。チャンバ内に、消耗ハードウェア部品が取り付けられる。下部電極と接地されたチャンバとの間の真空下での第２のキャパシタンスが、接地されたチャンバに消耗ハードウェア部品を全て取り付けた状態で測定される。第１のキャパシタンス値が第１の基準値と、第２のキャパシタンス値が第２の基準値とそれぞれ比較され、プラズマ処理システムに不良があればそれが特定および決定される。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）