プラズマ処理システムで利用される基板温度測定方法が開示されている。この方法では基板をチャックを有した基板支持構造体上に配置させる。この方法ではさらに、基板の温度キャリブレーション曲線が創出される。温度キャリブレーション曲線は、電磁式測定装置で少なくとも第１基板温度を測定し、第１等温状態にて物理式測定装置で第１チャック温度を測定することで創出される。この方法では、電磁式測定装置での測定と温度キャリブレーション曲線を利用してプラズマ処理中に基板温度が決定される。
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本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ（３２）内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源（３９）を具備している。ＩＣＰ源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ（４０）から、誘電性ウィンドウ（２５）またはウィンドウアレイ（２５ａ）を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル（５０）を介して、結合される。アンテナ（４０）は、稠密化して配置された複数の導体セグメント（４５）と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント（４６）と、を備えている。
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【解決手段】概して、プラズマ光学発光を監視するための発明が提供される。より具体的には、本発明は、偽の終了コールに繋がる可能性がある干渉を伴うことなくプラズマエッチングプロセスの終了を検出するために、可変アパチャを通してプラズマ光学発光を監視するための方法を提供する。この方法は、可動部材によって定められたアパチャを通してプラズマから光学発光データを収集する工程を備える。可動部材は、アパチャの構成を変動させることができる。この方法は、また、アパチャを一定の構成に維持するために、特定の時間に可動部材を保持する工程を備える。この方法は、更に、可動部材を保持しつつプラズマ光学発光内の特定の摂動を検出する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを容易にする第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理の物理的モデルを入力することとを含む。そして、第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするのに用いられる。 （もっと読む）

プラズマインピーダンスを測定するためのプラズマプロセスシステム、方法及びコンピュータにより読み込み可能な媒体。このシステムは、プラズマを中に有するように構成され、内部の領域の中にチャックを有しているチャンバと、支持面及び底面を有するチャックと、チャンバの外部でチャンバと電源との間のＲＦ伝送線に位置している第１の位置の第１の電圧―電流プローブとを有している。このシステムは、また、第１の電圧―電流プローブに接続され、この第１の電圧―電流プローブから伝送された測定値に基づいて、第１の位置とチャンバの中に位置している第２の位置との間のＲＦ伝送線のＲＦモデルを解くように構成されている、シミュレーションモジュールを有している。
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【課題】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを分析する第１の原理シミュレーションを使用するシステム及び方法を提供するものである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を決定する方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を決定するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおいて第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。第一原理シミュレーションは、入力データを使用して実行され、プロセスに関する仮想センサ測定を提供する物理モデルは、半導体処理ツールによって実行され、および仮想センサ測定は、半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするように使用される。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
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プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

プラズマ処理リアクタ（２００）は、チャンバー（２０２）および基板支持（２１６）を含む。チャンバーは、チャンバーの側壁へ延びる開口を含む。基板支持は、チャンバー内に着脱自在に取り付けられる。チャンバーの開口は、基板支持をチャンバーから開口を通過させて取り除くことができる大きさである。チャンバー内の内壁および基板支持の表面部に被膜（２２８）が施される。被膜は、電気抵抗材料から作られ、内壁の表面部に沿ってインピーダンスを生じさせる一方、チャンバーの反対側より多くのＲＦ還流電流を流す。また、被膜は、チャンバーの内壁の表面に沿ってＲＦ還流電流の密度が実質的になるように、基板支持に沿ってインピーダンスを生じさせる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置に用いられる基板支持体であって、金属熱伝達部材と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャックと、を備える。前記熱伝達部材は、当該熱伝達部材に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を含む。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却されうる。
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【課題】 エッチングプロセスのためにフィードフォワード、フィードバックウェーハｔｏウェーハ制御法の提供。
【解決手段】 半導体処理システムのウェーハｔｏウェーハ（Ｗ２Ｗ）制御を提供するように、ランｔｏラン（Ｒ２Ｒ）コントローラを使用する方法は、提供される。Ｒ２Ｒコントローラは、フィードフォワード（ＦＦ）コントローラと、プロセスモデルコントローラと、フィードバック（ＦＢ）コントローラと、プロセスコントローラとを含む。Ｒ２Ｒコントローラは、ウェーハｔｏウェーハ時間フレームにおけるプロセスレシピをアップデートするように、フィードフォワードデータと、モデリングデータと、フィードバックデータと、プロセスデータとを使用する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料で使用するための、酸素および窒素を含有しないプラズマを生成する装置および処理方法の改善すること。
【解決手段】軸流ダウンストリーム型プラズマ装置１０は、配ガス部１２、プラズマ生成部１４、処理チャンバー１６、および排気アンセブリー１８からなる。処理チャンバー１６は、その入口付近にバッフル板アセンブリーを含み、バッフル板アセンブリーは、略平板状の下側バッフル板１０４および下側バッフル板１０４の上方に固定された略平板状の上側バッフル板１０２を含んでおり、下側バッフル板１０２は、中心軸回りに半径方向に配置された複数の開口部を含むと共に、複数の開口部それぞれの寸法は、下側バッフル板の中心軸から外縁部へと増大し、かつ、バッフル板アセンブリーは、基板１１０に対して略平行に配置されている。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 定盤表面を均熱に加熱できるとともに、冷却機能を有する均熱装置を得ることにより、被成形物の加工時間の短縮を図る。
【解決手段】 定盤１の被成形物が載置される面と反対側の面に例えば一体となって配置され、冷却媒体が流通する冷却構造体８を設ける。冷却構造体８に形成された水などの冷却媒体１０を流通させる流路９を形成する。冷却構造体８は供給口１１から冷却媒体１０が導入され、流路９を流通し排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】セラミックスからなる板状体の一方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してなるセラミックヒーターにおいて、板状体の厚みを薄くすると、発熱抵抗体で発生した温度分布が十分緩和されず、載置したウエハの温度がなかなか均一にならないという課題があった。
【解決手段】上記発熱抵抗体の少なくとも一部を、周囲のパターンの抵抗値に対し３倍以内の抵抗値にトリミングした抵抗調整部を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）