【課題】 大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用な従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、真空容器の外側に高周波アンテナを設けているため、放電室の径が大きくなるにつれ真空容器の絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならなかった。
【解決手段】 プラズマ発生装置の真空容器１７の内部にアンテナ全体を入れ、アンテナは複数個の線状導体１８ａ〜１８ｆで構成して、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにするとともに、アンテナのインダクタンスを小さくして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。また各線状導体の端部を独立の導入端子で真空容器の内壁に支持して外側で並列接続し、アンテナ配置の自由度を高めている。 （もっと読む）

【課題】 真空容器側面からの計測方法では、簡便な方法ではプラズマ発光強度の分布に関する情報を得ることが出来ず、また得るためには複数の検出器と複雑な演算が必要となるため、装置が高価になるという欠点があった。
【解決手段】 本発明者は、透明誘電体窓と圧力調整手段を有する真空容器とスロットアンテナとを有し、スロットアンテナより透明誘電体窓を介して真空容器内に放出した高周波により真空容器内にプラズマを生成して処理を行う装置においては、誘電体窓とスロットアンテナの間に光導出手段を挿入してプラズマ発光を取り出し、プラズマ発光強度の面内分布を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を容易に均一に出来るプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、プラズマ処理室と前記プラズマ処理室ヘマイク口波を導入するスロットを備えたプラズマ処理装置であって、前記スロットの形と位置のうち少なくとも一つを変更することにより、基板近傍のプラズマの密度と分布を容易に変更するプラズマ処理装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。
【解決手段】
フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールドは、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 支持した被処理ウエハーの温度分布を均一にする半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。 （もっと読む）

【課題】
反応生成物の付着による加工形状の変動を抑制することのできるエッチング処理技術を提供する。
【解決手段】
シリコン基板上にＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯ_２膜、反射防止膜およびフォトレジスト膜を順次積層した試料を、順次処理室内に配置した試料載置台に載置し、処理室内に生成した処理ガスのプラズマを利用して、フォトレジスト層をマスクとしてＳｉＯＣ膜、ＳｉＯ_２膜および反射防止膜からなる積層膜をエッチングするエッチング方法であって、処理ガスとして反応生成物の堆積性の弱い第１の処理ガスを用いて積層膜をエッチングする工程、処理ガスとして反応生成物の堆積性の強い第２の処理ガスを用いて積層膜をエッチングする工程、および処理ガスとして反応生成物の堆積性の弱い第１の処理ガスを用い、且つ基板バイアス電力を印加することなくエッチングして、前記第２の処理ガスを用いて積層膜をエッチングする工程において発生した反応生成物を除去する工程を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】内側電極38および外側電極36に分割された上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、内側電極38へ高周波電流が流れ込むように形成された共振回路101と、内側電極38への給電ラインに設けられた可変コンデンサ78と、下部電極16のバイアスＶ_ＰＰを検出する検出器89と、プラズマを形成した状態で、可変コンデンサ78のキャパシタンスを変更させながら、検出器89からの信号を検出して共振回路101の共振点を探し出し、共振点における可変コンデンサ78のキャパシタンスを基準となる値に調整する制御部102とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】 基板の上の有機材料を除去する方法が提供される。基板は、プラズマ処理室の中に配置される。プラズマ処理室の中の内側域に、第１のガスが供給される。プラズマ処理室の中の外側域に、第２のガスが供給される。外側域は、内側域を取り囲む領域であり、第２のガスは、第１のガス中の炭素含有成分の濃度を上回る濃度の炭素含有成分を有する。第１のガスおよび第２のガスから同時に、プラズマが発生する。発生したプラズマを使用して、有機材料の一部または全部が除去される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を均一にするプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、減圧可能な容器と該容器へガスを供給する手段と該容器にマイクロ波を供給する手段と基体を保持する手段とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置であって、該マイクロ波供給手段が、基体被処理面と略直交する面に複数スロットを備えた互いに異径の複数の無終端環状導波管であることにより、基体近傍全面のプラズマ密度分布を簡易に変更するプラズマ処理装置を提供できる。 （もっと読む）

本発明に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、チェンバーボディー、プラズマソースコイル及び縁部ブッシングを含む。チェンバーボディーでは、側壁、下部の外壁及び上部のドームによって、プラズマが形成される反応空間が提供される。プラズマソースコイルは、反応空間内にプラズマを形成するためのもので、ドーム上に配置されている。プラズマソースコイルは、複数の単位コイルからなり、各単位コイルは、所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、中央部ブッシングの周りに所定の数だけ巻回されて螺旋状に配置されている。そして、縁部ブッシングは、チェンバーボディーのドームとプラズマソースコイルとの間に配置され、特に、反応空間内に配置されるウェハの縁部と重なるよう環状に形成されている。
（もっと読む）

【課題】セルの周辺領域における線状パターンのＣＤを減少させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】セル領域及び周辺領域が画定された基板２００上にシリコン窒化膜２０１Ａを形成する工程、シリコン窒化膜上に反射防止膜としてシリコン酸窒化膜２０２Ａを形成する工程、セル領域では最終パターンの線幅Ｗ１Ａより広い幅Ｗ１を有し、周辺領域ではパターンの崩れの発生を抑える最小の線幅Ｗ２を有するようにシリコン酸窒化膜上にフォトレジストパターン２０３を形成する工程、フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてシリコン酸窒化膜とシリコン窒化膜とをエッチングする処理を、残留するシリコン酸窒化膜２０２Ｂとシリコン窒化膜２０１Ｂとの線幅Ｗ１Ａ，Ｗ２Ｂがフォトレジストパターンの線幅Ｗ１，Ｗ２に比べて狭くなるまで行う工程、及び残留するシリコン窒化膜を過度エッチングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 トリミング実施中の疎パターンと密パターンのそれぞれのトリミング量をモニターする方法を確立し、それぞれのパターンのトリミング量が規格値に収まるトリミング終点を検出する方法を実現するトリミング量制御技術を提供する。
【解決手段】 真空処理室内に収容したウエハにレジストトリミング処理を施すプラズマエッチング処理装置１３において、プラズマ処理中の装置状態をモニタリングするＯＥＳ１９を有し、ＯＥＳ１９からのモニタリング出力に基づく特徴量１６およびトリミング時間１５とから予め設定した疎密パターン別トリミング量予測回帰モデル１７を用いて疎密パターン別トリミング量予測値１８を予測し、トリミング量予測値１８と目標トリミング量１１０との距離が等しくなる時点をトリミングプロセスの終了点として、プラズマエッチング処理装置１３を制御する。 （もっと読む）

【課題】不均一性を客観的かつ正確に定量化し、その不均一性をシステム内の何らかの関連する変化（例えば、処理変数、ハードウェアの変化）に相関させる改良されたシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ製造処理の多数の均一性測定基準を決定するシステムおよび方法は、半導体ウエハ群のそれぞれでの量を収集する工程を含む。収集された量データはスケーリングされ、収集およびスケーリングされた量データに対して主成分解析（ＰＣＡ）が実行され、第１の半導体ウエハ群に関する第１の測定基準セットが生成される。第１の測定基準セットは、第１の負荷マトリクスと第１のスコアマトリクスとを含む。
（もっと読む）

【課題】反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガス流入部を有するチェンバーと、前記チェンバーの内部に位置して、複数のノズルを有する上部電極と、前記チェンバーの内部に前記上部電極と離隔して位置し、基板が載置される下部電極と、前記上部電極上に位置して、前記ガス流入部を通じて供給されるガスを前記上部基板の一部に選択的に集中させるための選択噴射バルブを有する選択噴射板とを含む。 （もっと読む）

【課題】均一なΔＣＤ分布を示すプラズマソースコイルと、それを用いたプラズマチェンバーを提供すること。
【解決手段】プラズマソースコイル３２０は、中央部に配置されるブッシング３３０と、このブッシング３３０を中心に、ブッシング３３０の周りで同心円状に配置される複数個の単位コイル３２１〜３２４とを含む。これら各単位コイル及びブッシングの一側は、電源端子３１６に共通に接続され、これら各単位コイル及びブッシングの他側は、接地端子に共通に接続されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、ガス分散板に形成された複数のガス穴の拡大を均一化させることによって、プロセス特性の均一性を向上させる。また、各ガス穴の拡大を平均化することによって、プロセス特性の均一性を所定の誤差範囲内に維持できる期間を長期化させ、ガス分散板の寿命を延長させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置の構成を、減圧自在な処理室１と、複数の開孔９を有するガス分散板３と、ガス分散板３の複数の開孔９を通して処理室１にプロセスガスを供給するガス供給路２と、処理室１で発生するガスを処理室１から排出するガス排出路７と、ガス分散板３と対向して設けられ、処理室１の内部にプロセスガスのプラズマ放電を発生させるコイル４とを含み、ガス分散板３の複数の開孔９とコイル４との相対位置が移動自在である構成とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】最適化されたプロセシングパフォーマンスを達成するように現在のプラズマプロセスを変更するために、パフォーマンス測定値がモデルの測定値に比較されるような、プラズマプロセスの最適化されたプロセス設定を改善しもしくは見つけるために応答曲面とニューラルネットワークとが用いられるプラズマプロセスの多変数データの解析のための方法とシステム。 （もっと読む）

【課題】 設置スペースの増大や製造コストの増大を招くことなく、従来に較べて正確にガス流量を検定及び較正することができ、正確なガス流量で精度の良い処理を行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理ガスを供給するガス供給系の処理室１１の入口近傍に設けられた開閉弁１３ｄ，１４ｄの上流側から分岐し、排気配管１７に接続された分岐配管１８が設けられている。この分岐配管１８には、ガス流量検出機構１９が介挿され、流路を処理室１１側と分岐配管１８に切換えるための開閉弁１３ｈ，１４ｈが設けられている。ガス流量検出機構１９は、抵抗体にガスを通流させその両端の圧力を測定して圧力差からガス流量を検出する。この検出値によって、マスフローコントローラ１３ａ，１４ａを検定又は較正する。 （もっと読む）

第１の電極、第２の電極、閉じ込めリング、合焦リング、及びシールドを囲むチャンバを有するエッチング装置。第１の電極は、一定電位の源に結合される。第２の電極は、二重周波数ＲＦ電源に結合される。閉じ込めリングは、第１の電極と第２の電極との間に配設される。チャンバは、源に結合された導電性材料で形成される。合焦リングは、実質的に、第２の電極を取り囲み、該第２の電極を電気的に絶縁する。シールドは、実質的に、合焦リングを取り囲む。第２の電極の縁とシールドの縁との間の距離は、少なくとも、該第２の電極の縁と第１の電極の縁との間の距離より少ないものである。シールドは、一定電位の源に結合された導電性材料で形成される。
（もっと読む）

【課題】基板表面温度の均熱化が可能な基板加熱装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、セラミックス基体に埋設された抵抗発熱体とを有し、加熱面が中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状である、基板加熱装置である。抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス基体を形成する工程と、加熱面となる、セラミックス基体の一方の面を、中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状に研削加工する工程と、セラミックス基体の他方の面の中央領域に筒状部材を接合する工程とを有する基板加熱装置の製造方法である。 （もっと読む）