【課題】 従来技術による金属ゲート電極形成ではシリコン基板が大口径化した場合、ウェハ面内、及び疎密間での寸法及び形状のばらつきが大きくなるという課題があった。
【解決手段】 本発明は、タングステンゲートエッチングにおいて、寸法のウェハ面内均一性に優れた電極形成可能とした半導体装置の製法であって、具体的には、シリコン基板１０１にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１０２、高誘電体膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）１０３、ゲート電極材料としてタングステン膜１０４、マスク膜としてシリコン窒化膜１０５を順に成膜する。反射防止膜１０６を塗布し公知のリソグラフィ技術によりパターンを形成し、この基板を反射防止膜１０６、シリコン窒化膜１０５を一般的な条件でエッチングした後、タングステン膜をシリコン基板の中央と外周のプラズマ密度の比を３〜４：１の条件で残膜が３〜５ｎｍになるまでエッチングを行い、最後に残りのタングステン膜をプラズマ密度の比が中央：外周＝１：１の条件でエッチングを行うこと方法である。 （もっと読む）

【課題】 処理の均一性を非常に良く制御することができるような方法および装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つの基板がプロセスチャンバ内に配置され、プロセスチャンバ内の圧力が比較的低くなっており、少なくとも１つのプラズマ源によりプラズマが生成され、処理を行う間、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または任意で設けられた少なくとも１つの処理流体供給源が、基板の表面に対して移動するようになっているような、少なくとも１つの基板の表面を処理する方法である。本発明は更に、プロセスチャンバと少なくとも１つのプラズマ源とを備え、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または少なくとも１つの任意で設けられた処理流体発生源が移動自在に設けられた、少なくとも１つの基板の表面を処理する装置を提供する。
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【課題】溝の側壁がエッチングされるのをより確実に防止することができるエッチング装置などを提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１２と、処理チャンバ１１内にエッチングガス，酸素ガス及び保護膜形成ガスをその流量を調整しつつ供給するガス供給機構２０と、処理チャンバ１１の外部近傍に配設されたコイル３１と、コイル３１に高周波電力を印加して、処理チャンバ１１内のガスをプラズマ化する高周波電源３２と、ガス供給機構２０を制御することにより、エッチングガスを供給してシリコン基板Ｋをエッチングするエッチング処理と、酸素ガスを供給してシリコン基板Ｋに第１保護膜（酸化膜）を形成する第１保護膜形成処理と、保護膜形成ガスを供給して第１保護膜上に第２保護膜（ポリマー膜）を形成する第２保護膜形成処理とを順次繰り返して実行する制御装置４０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブに関する。当該プローブは、内側導体（２１）および外側導体（２２）を含む導電性ライン（２０）上に取り付けられており、電流センサ（４１）および電圧センサ（４２）を含み、該電流センサが、該導体（２２）中を流れる電流のための迂回路を形成するために、該導体の１つの主要部内に形成されたグルーブ（４１０）と、該導体に接続されたアースと該グルーブのポイントとの間の電圧を測定するためのポイントとを含み、それによって、該電流センサは、該励起電流の強度（Ｉ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ１）を測定することができる。該電圧センサ（４２）は、該励起電流の電圧（Ｖ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ２）を測定することができる分路センサである。本発明はまた、上記タイプのプローブを有するプラズマ反応器に関する。 （もっと読む）

プラズマによりパターン形成された窒化層を形成するために窒化層をエッチングすることからなる半導体構造体を製造する方法。窒化層は半導体の基板上にあり、フォトレジスト層は窒化層上にあり、プラズマは、少なくとも圧力１０ミリトルでＣＦ₄及びＣＨＦ₃のガス混合物から形成される。 （もっと読む）

【課題】 大面積にわたって均一な密度のプラズマを低電力で発生可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、その内部に基板４２が配置された真空容器１１、真空容器１１の上部を形成し、かつ誘電体からなる複数の窓部２３を備える支持枠体１５、及び複数のプラズマユニット３１を備える。各プラズマユニット３１は、単一又は複数の窓部２３に対応して配置されたコイル３２、コイル３２に高周波電力を供給する高周波電源３８と、コイル３２と高周波電源３８の間に介設されたマッチング回路３７とをそれぞれ有する。 （もっと読む）

サセプタの裏側からの輻射をモニタするためにサセプタ内の１以上の光ファイバを用いる装置および対応する方法が開示される。光ファイバはフィルタされ、電気信号に変換される。堆積サイクルの間電気信号を一定に保つことによってウェハの温度を一定に保持するために制御システムが用いられる。これにより、低温および減圧下でパターンが形成されたウェハ上に非選択エピタキシャルポリシリコン成長を行う間にウェハの温度が変化することによる問題を克服することができる。
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【課題】外乱による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置２３と、前記処理中のプロセス量をモニタするセンサ２４と、前記センサからのモニタ出力および予め設定した加工結果の予測式をもとに加工結果を推定する加工結果推定モデル２５と、前記加工結果の推定モデルの推定結果をもとに加工結果が目標値となるように処理条件の補正量を計算する最適レシピ計算モデル２６を備え、該最適レシピ計算モデルが生成したレシピをもとに前記プラズマ処理装置２３を制御する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に導入する処理ガスの流れや濃度分布を精細かつ自在に制御し、エッチング特性の制御性を改善すること。
【解決手段】 このプラズマエッチング装置は、チャンバ１０内のプラズマ生成空間ＰＳにエッチング用のガスを導入するためのガス導入部として、上部電極３８側からガスを導入する上部ガス導入部（上部中心シャワーヘッド６８ａおよび上部周辺シャワーヘッド６８ａ）を備える構成に加えて、チャンバ１０の側壁側からガスを導入する側部ガス導入部１０４を備えている。側部ガス導入部１０４は、チャンバ１０の側壁に取り付けられる側部シャワーヘッド１０８を有している。 （もっと読む）

装置と接地延長部の間のアーキングを最小限に抑えると共に、平均クリーニング間隔（ＭＴＢＣ）を増加させるために、プラズマ処理装置で使用されるイットリア絶縁体リングが提供される。イットリア絶縁体リングは、エッジリングと接地延長部の間とともに、接地延長部とプラズマ発生区域との間、又は、装置のチャンバの間隙に配置され得る。石英リングと比べて、イットリア絶縁体リングは、反応性が減少され誘電率が増加される結果としてＲＦ結合が改善されるので、半導体基板の均一性も改善することができる。 （もっと読む）

【課題】上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定できるようにする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置のメンテナンス方法は、上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、下部電極２０に出没可能に設けられた突出部２２ｂを上部電極１２に向けて突出させて、該突出部２２ｂを上部電極１２に当接させ、該突出部２２ｂの突出量を測定することにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程と、を具備する。上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程との間に、突出部２２ｂが下部電極２０に没している状態で、下部電極２０上に半導体基板１を載置する工程と、半導体基板１に突出部２２ｂを当接させることにより、間隔を測定するときの基準点を設定する工程とを具備してもよい。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】 プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部２０を設ける。電気特性調整部２０は，下部電極３に供給される高周波電力の周波数に対する，プラズマＰ側から見た上部電極４側の回路におけるインピーダンスを当該回路が共振しないように調整できる。エッチング処理時に，前記インピーダンスを共振点から外れるように調整することによって，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチング装置において、基台にメカニカルクランプとウェーハ冷却用ヘリウムガスを使用するに際し、ウェーハの厚みが薄いなどの理由で真空雰囲気の反応室側へのウェーハの撓みが増大し、ウェーハの面内温度の不均一が発生する問題を解消できる構成からなる当該装置と基台ならびにこれらの駆動方法の提供。
【解決手段】 基台外周付近に微小な凸段差を設け、プラテンと基板との間に良好な熱伝達ができる範囲の隙間を確保して、熱媒体のヘリウムガスの導入するに際し、基台外周付近に小径のガス抜き孔を多数設け、ガス抜き孔を通してヘリウムガスを一定流量で均一に流すことにより、ウェーハ背面のガス圧力に中心部と外周側との間に所要の傾斜を持たせてウェーハの撓みに合わせることで、ウェーハ面内の温度分布を均一に維持でき、ウェーハ背面のガス圧力の傾斜を制御することにより、ウェーハの過大な撓みと面内の温度不均一を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 処理レートが高く且つ均一な気相反応処理装置を提供する。
【解決手段】 気相反応処理装置のチャンバー２内には触媒体９が配置されている。触媒体９はタングステンなどの高融点金属線からなり、３本の独立した高融点金属線１０，１１，１２にて触媒体９を構成している。各高融点金属線１０，１１，１２は何れも、その直径は０．５〜５．０ｍｍ、長さは５００〜５０００ｍｍとされ、その形状は両端部を上方に折曲した横コ字状をなし、且つ３本の高融点金属線内のうち２本の高融点金属線１０，１１は平行に配置され、残りの高融点金属線１２は前記２本とは高さを異ならせるとともに平面視で前記２本と直交するように配置されている。このように配置した結果、隣接する高融点金属線１０，１１，１２の間隔は１０ｍｍ以上で且つ５０ｍｍ以下となっている。 （もっと読む）

半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタが、チャンバを画成する側壁およびオーバーヘッド天井と、半導体ワークピースを支持するための天井と対面する作業面を有するチャンバ内のワークピース支持カソードと、プロセスガスをチャンバに導入するためのプロセスガス入口と、バイアスパワー周波数を有するＲＦバイアスパワー発生器とを含む。作業面には、バイアスパワー供給点があり、ＲＦバイアスパワー発生器と作業面にあるバイアスパワー供給点との間には、ＲＦ導体が接続される。誘電スリーブが、ＲＦ導体の部分を取り囲み、このスリーブは、ＲＦ導体に沿った軸方向の長さと、ＲＦ導体に沿った誘電率および軸方向の位置と、作業面にわたってプラズマイオン密度の均一性を高めるリアクタンスをスリーブが与えるようなスリーブの長さ、誘電率、および位置とを有する。更なる態様によれば、リアクタは、ワークピースの周囲に対応する内径を有する環状のＲＦ結合リングを含むことができ、ＲＦ結合リングは、作業面とオーバーヘッド電極との間の距離の十分な部分を延長して、ワークピースの周囲付近のプラズマイオン密度を高める。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。この複数の部分プラズマ１０が集合して全体プラズマ１１が形成される。部分プラズマ１０の密度を制御することにより、全体プラズマ１１の密度を制御する。この全体プラズマ１１を用いてその基板の面内を均一に処理する。 （もっと読む）

本発明は、効果的にシステムＬＳＩの少量多品種生産を実現するための、プロセス開発期間の短縮を目的とする。本発明は、半導体ウエハ主面の複数ブロックにゲート電極パターンをドライエッチングにより形成するための半導体製造装置システムであって、ゲート電極パターン形成時におけるブロック内の被エッチング面積比に対するレシピが格納されたデータベースと、半導体ウエハに表示された被エッチング面積比の認識情報を読み取る手段と、ドライエッチング装置とを有し、前記認識情報に対するデータベースに格納されたレシピを検索し、該レシピにより前記ドライエッチング装置を制御することを特徴とする。
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ウェハ上の多数のポイントで測定されたホトレジストマスクＣＤ及びプロフィールと基底層厚みとに関する情報をフィードフォワードして、被検査ウェハが受ける次のプロセス（例えば、エッチングプロセス）を調整することにより、寸法変動を減少するための半導体ウェハ処理方法及び装置が提供される。処理ステップの後に、プロセスにより形成された構造体の寸法、例えば、プロセスにより形成されたトレンチのＣＤ及び深さが、ウェハ上の多数のポイントで測定され、この情報が処理ツールへフィードバックされて、寸法変動を更に減少するように次のウェハに対するプロセスを調整する。ある実施形態では、ＣＤ、プロフィール、厚み及び深さの測定、エッチング処理、及びエッチング後の清掃が、制御された環境において、単一のモジュールで実行される。モジュールにより実行される移送及び処理ステップは、全て、清潔な環境において実行され、これにより、大気中へのウェハの露出、及びステップとステップとの間に考えられる汚染を回避することで、収率が高められる。
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