【課題】主にＭＥＭＳデバイス、半導体集積回路を製造する際に使用されるプラズマドライエッチング方法に関し、その固有のプラズマ指向性によりウエハの面内で加工断面形状のバラツキが発生し、デバイスの性能がばらつくという課題を解決し、加工断面形状の対称性を被処理物の面内において均一に調整し、信頼性の高いデバイスを製造することができるプラズマドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２種類、または複数のプラズマ指向性の異なるプラズマ源を用い、２段階以上で交互に処理することにより、夫々固有の指向性をキャンセルして加工断面形状の対称性を面内均一に調整するようにしたことにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】所望のフォーカスリングを使用して、基板に処理を施すことにより、基板における処理の均一性を向上させることができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１は、ウェハＷが載置される下部電極９を内部に備えたエッチング処理室４と、下部電極９に載置されたウェハＷの周囲を取り囲むように配置されるフォーカスリング１１を複数収容するフォーカスリング待機室５と、エッチング処理室４内を大気開放させずに、エッチング処理室４とフォーカスリング待機室５との間でフォーカスリング１１を搬送する搬送機構６とを備えている。 （もっと読む）

エッチング・チャンバ３内に配置された微細構造物２（及び特にＭＥＭＳ）の製作に使用するエッチング・モニタ装置と関連する方法を説明する。装置１と関連方法は、微細構造物２が配置されたチャンバ３の温度を開始温度に設定し、かつチャンバ内のエッチング・ガスの部分圧力を一定値に維持することにより作業する。結果として、チャンバ３内での微細構造物２の表面温度は、主としてエッチング速度によって決定される。したがって、エッチング中に表面温度の変化をモニタする温度計８を使用することによって、エッチング工程をモニタするための直接診断が可能になる。
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【課題】酸化膜等のドライエッチングに関し、試料内におけるエッチングレートの面内バラツキが大きいために試料外周部に加工量の不足部分が発生して加工精度や品質面において問題発生の恐れがあるという課題を解決し、エッチングレートの面内バラツキを低減して加工精度や品質面において優れた加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プロセスガスとしてＣＦ₄とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ₂ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 （もっと読む）

簡単な構造で作用ガスの分圧比を正確に調整することができるとともに、緊急時に作用ガス供給管路から作用ガスを確実に抜くことができる相対的圧力制御システムを提供する。作用ガスが供給される作用ガス供給管路に接続される複数のノーマルオープンタイプのエアオペレイトバルブ８と、エアオペレイトバルブ８の各々に直列に接続されてエアオペレイトバルブ８が出力する圧力を検出する圧力センサ３と、圧力センサ３が検知した圧力に基づいてエアオペレイトバルブ８の操作圧力を制御するコントローラ２５と、複数のエアオペレイトバルブ８を、常時少なくとも１つが開弁するように関連づけるハードインタロック用電磁弁５９と、を有し、複数のエアオペレイトバルブ８のうちから特定したエアオペレイトバルブ８の開度を調整して、作用ガスを所定の分圧比で出力するようにする。
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【課題】イオンビーム抽出装置において、スリットの形成されたグリッドに印加される電圧を調節しイオンビームの方向と強度を調節することによって、ウエハに対するエッチング率の均一性を改善し半導体素子の生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、該イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節するグリッドと、を備える。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、内部を真空に維持する真空容器（１１）と、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段（７６）と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）と、を備える。そして、真空容器（１１）内の壁面には、熱分解窒化硼素（Ｐ）が被覆されている。
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基板の温度制御を行う装置が、温度制御された台座、ヒータ、金属プレート、及び、誘電材料の層を有する。ヒータは金属プレートの下面と熱的に結合されるが、金属プレートから電気的に絶縁される。接着材料の第１の層が金属プレートとヒータを温度制御された台座の上面に接着する。この接着層は、機械的に柔軟性があり、装置表面に望ましい温度パターンを得るためにヒータの熱エネルギーと外部プロセスのバランスを取るように設計された物理的な特性に加工される。接着材料の第２の層が誘電材料の層を金属プレートの上面に接着する。この第２の接着層は、装置表面に望ましい温度パターンを伝導するように設計された物理的な特性に加工される。誘電材料の層は、静電クランプのメカニズムを形成し、基板を保持する。 （もっと読む）

【課題】効率的に均一なプラズマを形成することができ、プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】容量結合型のプラズマ処理装置１００は、真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに対向して配置され、一方が被処理基板Ｗを支持する第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０と、チャンバー１内のプラズマ生成領域Ｒにおける被処理基板Ｗの外側位置に設けられ、直流的に接地された部材２５とを具備する。 （もっと読む）

プラズマ発生部と被処理基板を内部に収容するチャンバーとを有するプラズマ処理装置においてプラズマ発生部とチャンバーとの間に設けられ、プラズマ発生部とチャンバーとで画成される処理空間に処理ガスを導入する処理ガス導入機構は、プラズマ発生部を支持するとともにチャンバーに載せられ、処理ガスを処理空間に導入するガス導入路が形成され、その中央に前記処理空間の一部をなす穴部を有するガス導入ベースと、ガス導入ベースの穴部に取り外し可能に装着され、ガス導入路から処理空間に連通して処理ガスを処理空間に吐出する複数のガス吐出孔を有する略リング状をなすガス導入プレートとを有する。
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洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波により一様なプラズマを発生させることで均一な処理ができるようにする。
【解決手段】マイクロ波供給装置に接続された矩形導波管２０１と円筒導波管２０７との間に円形矩形変換器２０５が設けられる。円形矩形変換器２０５と円偏波変換器２０９との間の円筒導波管２０７にダミーロード２１５が接続される。ダミーロード２１５は、端部にマイクロ波吸収体を有した筒状をなす。円筒導波管２０７と円形矩形変換器２０５との間の導波管内に、マイクロ波の反射体２２５が設けられる。ダミーロード２１５の軸線は、反射体２２５で反射される定在波の管内波長の１／４波長Ｌだけ、反射体２２５から円偏波変換器２０９の方向へ向かって離れている。これにより、ラジアル導波箱２１１から反射してきたマイクロ波を、ダミーロード２１５により効果的に吸収できる。 （もっと読む）

【課題】 被処理材である基板が大型化及び薄型化したとしても、処理時における基板の撓み及び搬送時における基板のバタツキを防止することで基板表面をムラ無く均一に表面処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電圧印加電極４１と該電圧印加電極４１と対向する接地電極４２との間にプラズマを発生させて被処理材１０の表面処理を行うプラズマ処理装置１であって、接地電極４２は、電圧印加電極４１との対向面４２ａが平坦であり、該対向面４２ａに沿って接触し被処理材１０を電極間に搬送するベルト６２を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 真空圧発生装置及びこれを有する薄膜加工装置を提供する。
【解決手段】 真空圧発生装置は、真空圧発生ユニット及び安定化モジュールを含む。真空圧発生ユニットは、工程領域の流体を排気して、工程領域に真空を形成する。安定化モジュールは、工程領域及び真空圧発生ユニットの間に配置され、工程領域の真空均一性を向上させるために、流体の通過経路が屈曲するように構成される少なくとも２つの流体通路を有する。工程領域内の流体を屈曲した流体通路を通じて排気することで、工程領域内の真空圧の均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 面内の加工形状差をより低減することを可能にする。
【解決手段】 内部に被処理基板１２が載置されプラズマ処理を行う反応室１１と、反応室に処理用ガスを導入する導入ライン１３、１４と、反応室内の処理用ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電力システム３２、３４と、反応室内のガスを排気する複数の排気ライン１６、１７とを備え、複数の排気ラインのうちの少なくとも１つは、被処理基板の直上の反応室の上壁に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダのようなものを併用することなく、基板をそのまま搬送させる装置でありながら、基板搬送時の基板のたわみに起因する問題を解消し、プラズマ生成部を基板搬送方向に長く構成することも可能な装置を提供する。
【解決手段】 インライン型プラズマ処理装置は、略長方形の基板７を下側から支持し、基板７を基板通路に沿って搬送するための基板搬送手段と、基板通路に対して上下のうち少なくとも一方から近接して配置されたプラズマ生成部とを備える。上記基板搬送手段は、基板７の搬送に寄与しない間隙領域１２を有する。間隙領域１２は、上方から見たときに上記基板通路の進行方向に対して斜めに線状に延在し、上記プラズマ生成部は、間隙領域１２において基板７にプラズマ処理を行なうように間隙領域１２に沿って配置されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，処理容器の複数個所に任意の混合ガスを供給する。
【解決手段】 ガス供給装置１００に，複数のガス供給源を備えた第１のガスボックス１１１と，複数の付加ガス供給源を備えた第２のガスボックス１１３が設けられる。各ガス供給源には混合配管１２０が接続され，混合配管１２０には異なるバッファ室６３ａ，６３ｂに通じる分岐配管１２２，１２３が接続される。分岐配管にはそれぞれ圧力調整部が設けられ，圧力比制御装置１２６により圧力比が調整される。分岐配管１２３の圧力調整部よりも下流側には第２のガスボックス１１３に通じる付加ガス供給配管１３０が接続される。第１のガスボックス１１１の各ガスが混合配管１２０で混合され，分岐配管で分流して各バッファ室に供給される。分岐配管１２３には第２のガスボックス１１３の付加ガスが付加され，バッファ室６３ｂにはバッファ室６３ａと異なる混合ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに平行に配置された第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０とを有する容量結合型のプラズマ処理装置１００において、第１の電極２は、ウエハＷを支持するとともに、高周波電力が印加されるカソード電極として機能し、第２の電極１８は、接地されたアノード電極として機能し、第２の電極１８の第１の電極２と対向する表面は導電体１８ｃからなる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマヘッドから噴射供給される処理ガスを被処理物に均質に供給することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】 所定のガスを送気するガス流路と、大気圧又はその近傍の圧力下、前記ガス流路内で気体放電を発生させて前記ガスの励起活性種を生成する少なくとも１対の電極とを備え、前記ガス流路から前記励起活性種を含む処理ガスを前記被処理物１の表面に向けて噴出するプラズマヘッドを備えて構成される表面処理装置であって、前記ガス流路からの処理ガスの流れを整流して前記被処理物１の表面に供給する整流機構５を設ける。 （もっと読む）

半導体基板を勝利するために使用されるプラズマ室に関し、特に、プラズマ源においてい使用されるバフル板をポンピングすることの改良に関する装置。変更されたバフル板ブランクから形成されるバフル板組立体を製造するための装置及び方法であり、様々なポンピング機能がバフル板ブランク内に形成され、平面材料除去動作中に開放される。
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