【課題】 ウェハの周辺部を選択的にエッチングするエッチング装置において、周辺除去幅を安定的に均一にする。
【解決手段】 エッチング装置に含まれるウェハ処理装置１００は、ウェハ２００の周辺部を選択的にエッチングする。ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハ２００の中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給する複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、および１１８ｃと、を含む。複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ〜１１８ｄから供給されるエッチング阻止ガスは、複数の方向に供給されるとともに、供給量が独立に制御される。 （もっと読む）

【課題】 基板処理をウエハ面内で均一に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔１０、１１’、１１が形成されたガス拡散プレート９を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。ガス拡散プレート９の周辺領域に設けられた貫通孔１１’、１１は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。この装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場を設定することができ、良好な半導体処理を簡単且つ容易に行うことを可能にしたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理室と、該処理室内に設けられて前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させる機構と、前記処理室外に設けられて前記処理室内の前記被処理基板の周囲に所定のマルチポール磁場を形成する磁場形成機構とを有するプラズマ処理装置であって、前記磁場形成機構を内側と外側のリング状磁場形成手段で構成し、夫々のリング状磁場形成手段を互いに独立して回転可能としている。 （もっと読む）

【課題】 同一のプロセス条件下においては被処理体の温度が目標温度であるプロセス温度に到達するまでの昇温時間を一定に維持することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体５に対して熱処理を行う枚葉式の熱処理装置において、被処理体を収容できる処理容器４と、被処理体の裏面と接触して被処理体を支持する支持部１０と、処理容器内に所定のガスを導入するガス供給手段１４と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段１６と、処理容器の外側に設けられて被処理体を加熱する加熱手段３０と、加熱手段へ電力を供給する電力供給源３３と、支持部に設けられた温度検出手段４０と、温度検出手段からの検出値に基づいて支持部に被処理体を支持させた直後の前記支持部の降温レートを求め、該降温レートが所定の基準値を維持するように電力供給源の出力電力を制御する電力制御手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
簡易な構成で、試料搬送口の形状のプラズマへの影響を低減することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
被処理基板を搬入出するための搬送口１４を備えた真空処理室６と、真空処理室６内に処理ガスを供給するガス供給手段７と、真空処理室内に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段４、８と、真空処理室内に上下動可能に保持され、該真空処理室内で被処理基板を載置して保持する下部電極１０と、前記搬送口の開口部を含む真空処理室内周を摺動可能に被覆する筒状の搬送口遮断壁１６と、前記下部電極と搬送口遮断壁とを結合する結合部１７を備え、下部電極１０を処理装置の運転位置まで上昇させたとき前記搬送口遮断壁１６により前記搬送口１４の開口部が遮蔽される。 （もっと読む）

プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたプラズマ周波数を獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたプラズマ周波数はプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたプラズマ周波数値が設定プラズマ周波数値範囲を外れていれば、測定されたプラズマ周波数値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
（もっと読む）

【課題】半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、中心から縁に至るまで放射方向への磁界偏差が発生しないようにし、中心と縁でのＣＤの調節と均一なエッチング率の獲得を容易にする。
【解決手段】反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、を備える構成とした。 （もっと読む）

本発明は、誘導結合プラズマらせん状誘導器を使用するプラズマ・エッチング処理間に、基板に亘ってエッチングの均一性を改良するための方法および装置を提供する。プラズマ装置は、真空チャンバ、基板を保持するための真空チャンバ内の支持部材、真空チャンバにエッチング用試薬ガスを提供するためのエッチング用試薬ガス供給源、真空チャンバと流動的に連絡している排気部、ＲＦ電源、および真空チャンバの一部分の周りあるいは近くに置かれているらせん状誘導器、を含む。センサは、処理属性を測定し、コントローラに信号を生成するために提供され、コントローラは、プラズマ・エッチングの均一性が改良されるように、それかららせん状誘導器の位置を変える機構を制御する。
（もっと読む）

【課題】材料処理システムを監視する方法及び装置
【解決手段】本発明は、材料処理システムを監視する改良された装置及び方法を提供し、前記材料処理システムは、処理ツールと、プロセスデータを生成して伝送するために、前記処理ツールに結合された多数のＲＦ反応プロセスセンサと、前記複数のＲＦ反応プロセスセンサから前記プロセスデータを受取るように構成されたセンサインタフェースアセンブリ（ＳＩＡ）とを含む。
（もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置が提供される。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置の一実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える。高周波接地装置の別の実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する複数の低インピーダンス可撓性ストラップを備える。 （もっと読む）

基板処理用の高圧流体に化学物質を導入する方法及びシステム（１００）について説明する。特に、本方法は、２種類以上の流体の混合を促進するために、高圧流体の容積全体にわたって化学物質を供給する工程を有する。その一方で、高圧流体は、高圧処理システム（１１０）を循環する。
（もっと読む）

プラズマ処理システムにおいて、ガス供給システムをマルチゾーン噴射器に接続するための一体型ガス流量制御組み立て品を開示する。組み立て品は、第一流速を備えた第一バルブ組み立て品、第二流速を備えた第二バルブ組み立て品、第三流速を備えた第三流量組み立て品、および第四流速を備えた第四流量組み立て品にガス供給システムを接続する第一組のチャネルを有し、前記第一バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第三流速は第一流速より小さく、前記第二バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第四流速は第二流速より小さい。組み立て品はさらに、第三流量組み立て品と第一バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第一ゾーンに接続するための第二組のチャネルを有する。組み立て品はさらに、第四流量組み立て品と第二バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第二ゾーンに接続するための第三組のチャネルを有する。前記第一バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第一ゾーンの流速は第三流速と同様であり、第二バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第二ゾーンの流速は第四流速と同様である。
（もっと読む）

【課題】材料処理システムをモニタするための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】材料処理システムは、処理ツールと、状況データを生成すると共に送信するために処理ツールに結合された複数のＲＦ応答性状況センサ１９０と、複数のＲＦ応答性状況センサから状況データを受信するためのセンサインターフェースアセンブリ（ＳＩＡ）１８０とを含む。
（もっと読む）

【課題】 バッチ式であってもウエハの面に対して均一なプラズマ処理を施すことができる処理装置及び処理方法とする。
【解決手段】 ウエハ６の積層方向に延びる駆動桿１３と、ウエハ６をボート４から一斉に離反させると共にウエハ６の周方向の異なる部位をボート４に一斉に保持させる状態に駆動桿１３を駆動する駆動手段１４とを備え、プラズマ発生電極によるプラズマ処理中に、駆動手段１４の駆動桿１３により複数枚のウエハ６を回動させてウエハ６とプラズマ発生電極との回転方向の位置関係を変更することにより、複数枚のウエハ６の周方向に対して均一にプラズマ密度を分布させる。 （もっと読む）

【課題】 基板を処理するための方法を提供することである。
【解決手段】 基板を処理する方法は、プラズマ空間を規定するために構成される第１のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバに基板を配置することと、プラズマ空間に第１のガスを導入することと、処理空間に第２のガスを導入することとを含む。プラズマは、上部チャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して第１のガスからプラズマ空間に形成される。プラズマがプラズマ空間から処理空間へと拡散することができるように、基板を処理するためのプロセス化学は、第１のチャンバ部分と、第２のチャンバ部分との間に配置されたグリッドを提供することによって処理空間に形成される。 （もっと読む）

プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたインピーダンスを獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたインピーダンスはプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたインピーダンス値が設定インピーダンス値範囲を外れていれば、測定されたインピーダンス値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
（もっと読む）

プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法が開示されている。この方法はプラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リングを設置するステップとを含んでいる。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップを含んでいる。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。
（もっと読む）

【課題】膜厚分布の均一性を向上させる。
【解決手段】ウエハＷを処理室７１で保持するサセプタ９８と、サセプタ９８に保持されたウエハＷへ処理ガス１２９をシャワー状に吹き付ける吹出プレート１１２とを備えた枚葉式ＣＶＤ装置７０において、吹出プレート１１２を弾性変形可能に形成し、吹出プレート１１２の周辺部を上下のシールリング１１４、１１４で挟み込んで水平に支承する。吹出プレート１１２は周辺部を凸用調整ボルト１１９で押し下げると凸形状に撓む。吹出プレート１１２は周辺部を凹用調整ボルト１２１で引き上げられると凹形状に撓む。例えば、吹出プレートが凹形状に変形してウエハの中央部の膜厚が薄くなった場合には、凸用調整ボルト１１９を締めて吹出プレート１１２を凸形状に撓ませると、ウエハＷに形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布は全体にわたって均一に形成になる。
（もっと読む）

【課題】 エッチングの際に、ハードマスク層の膜厚を一定に制御することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチングガスとして、例えばＣＦ_４とＡｒを含むガスを用いたプラズマエッチングによりシリコン窒化膜１０２の膜厚を監視しながらエッチングを行ない、シリコン窒化膜１０２の膜厚が所定膜厚に達した時点を終点として自然酸化膜１０３のエッチングを終了する。次に、シリコン窒化膜１０２をマスクとして、シリコン基板１０１を、エッチングガスとして例えばＣｌ_２とＨＢｒとＡｒを含むガスを用いてトレンチ１１１の深さを監視しながらプラズマエッチングし、トレンチ１１１の深さが所定の値に達した時点をもって終点とする。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、該装置が該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物を提供する装置である。 （もっと読む）