半導体の製造工程で行われるＮＦ₃プラズマ処理、Ｏ₂プラズマ処理およびＣＦ₄プラズマ処理すべてのプラズマ処理に対して重量変化が小さく、顕著なプラズマ耐性を有する含フッ素エラストマー組成物および該含フッ素エラストマー組成物からなる成形品を提供する。 （もっと読む）

タングステン系膜を含む基板にプラズマ処理を施す基板処理装置における処理室をクリーニングするにあたり、プラズマ処理後、大気開放することなく処理室内にＯ_２を含むガスを導入し、このガスのプラズマを形成して処理室をクリーニングする。 （もっと読む）

処理室に被処理基板を収容し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置の処理室を清浄化するにあたり、処理室内に酸素を含むガスのプラズマを形成する工程と、処理室内に窒素を含むガスのプラズマを形成する工程とを交互に実施する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品は、基板と、その基板の上に少なくとも１つのイットリア含有コーティングとを含む。その部品は、セラミック材料の素地となり得るセラミック基板に第１イットリア含有コーティングを適用して製造される。そのコーティングされた素地は、焼結される。第１イットリア含有コーティングは、焼結により付着したイットリアのパーティクルを除去するように処理される。別の実施形態では、第２イットリア含有コーティングは、第１イットリア含有コーティングの上にサーマルスプレーされ、そのパーティクルを覆う。
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プラズマ装備のシーズニング方法及びそのための装備を提供する。本発明によるシーズニング方法は、プラズマ装備を稼動し、プラズマ工程を行う前に、プラズマ装備の工程室の内部に存在するシリコン酸化物系（ＳｉＯ_Ｘ）化学種とフッ化炭素系化合物（ＣＦ_Ｙ）化学種の光学放射の強さ比を測定し、測定された強さ比の値が、予め実験的に設定された正常状態の範囲内であるか、或いは正常状態の範囲を外れるかを判断した後、判断の結果によって測定された強さ比の値が、正常状態の範囲内に切り換えられるように、工程室の内部にプラズマ工程に用いられる反応ガスを供給し、反応ガスの成分比を変化させ、強さ比が変化するようにし、工程室の内部を適宜シーズニングする。
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化学的酸化物処理（COR）のための処理システムが提供される。COR処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる化学処理チャンバを備えている。第2処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる熱処理チャンバを備えている。
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【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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処理中にコンポーネント(200,300)の状態をモニタリングする方法およびシステム。本方法は、処理中にコンポーネントを反応ガス(エロージョン生成物発生のためコンポーネント材をエッチングできる)に曝露することと、コンポーネントの状態を判定するため処理中にエロージョン生成物の放出をモニタリングすることを含む。モニターできる処理はチャンバークリーニング、同コンディショニング、基板エッチングおよび薄膜形成処理を含む。コンポーネントは、チューブ(25)、シールド、リング、バッフル、インジェクター、基板ホルダー(35,12)、ライナー、ペデスタル、キャップカバー、電極およびヒーター(15,20,65,70,122)等消耗部品でもよく、それらは保護コーティングを有していてもよい。処理システム(1,100)は、処理チャンバー(10,102)内のコンポーネント、ガス噴射システム(94,102)、チャンバー保護システム(92,108)およびコントローラ(90,124)を含む。
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酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法が開示される。この方法は、第１の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第１の溶液から一組の構造体を取り出して、第２の期間、この一組の構造体を主反応物を含む第２の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第２の溶液から一組の構造体を取り出して、第３の期間、この一組の構造体を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で研磨することを含む。
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基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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真空プラズマ処理された加工物を製造するために、処理される加工物は真空チャンバ（１）へと導入される。真空チャンバ（１）において、少なくともＨｆ周波数帯域における第１の周波数（ｆ₁）でプラズマ放電が確立される。今では処理された加工物を真空チャンバ（１）から取出した後に、後者は洗浄され、これにより、述べられた第１の周波数（ｆ₁）よりも高い第２の周波数（ｆ₂）においてプラズマ放電を確立する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置に有用な部品を表面仕上げする方法が提供される。本部品は、少なくとも１つのプラズマに曝される石英ガラス面を含む。本方法は、所望の表面形態を実現するために、前記プラズマに曝される面を機械研磨すること、化学エッチングすること及び洗浄することを含む。それらの方法により、前記部品の石英ガラス密封面も仕上げることができる。同一の部品のプラズマに曝される面及び密封面は、互いに異なる表面形態に仕上げられうる。
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本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
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