【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

【課題】処理対象膜において形状の乱れが少ない開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理膜３７と、被処理膜３７の上に形成された複数の小幅のライン３８ａからなるフォトレジスト膜と、各ライン３８ａの間において露出する被処理膜３７及びライン３８ａを覆うＳｉ酸化膜４０とを有するウエハにおいて、Ｓｉ酸化膜４０にエッチングを施してフォトレジスト膜の各ライン３８ａと被処理膜３７を露出させ、露出したフォトレジスト膜を選択的に除去し、さらに、残存するＳｉ酸化膜４０（一対のライン４２ａ，４２ｂ）にエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦフォトレジストのダメージ（荒れ）を抑制しつつ、シリコンを含有する反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ）を高いエッチングレート及び十分な選択比でプラズマエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板に形成されたＡｒＦフォトレジスト１０３をマスクとして、ＡｒＦフォトレジスト１０３の下層に位置するＳｉを含有する反射防止膜１０２を、処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスとして、ＣＦ系ガス及び／又はＣＨＦ系ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、酸素ガスとを含む混合ガスを使用し、かつ、上部電極に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】第１電極への直流電圧を印加する方式を採用しながら、対向電極を実質的に必要としないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、半導体ウエハＷが収容され、内部が真空排気可能なチャンバ１０と、チャンバ１０内に互いに対向して配置される、上部電極３４および半導体ウエハＷを載置する下部電極１６と、チャンバ１０内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニット６６と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８およびバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０と、上部電極３４に正負交互に変化する直流電圧を印加する直流電圧印加ユニット５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】酸素ガスと窒素ガスとを含み、窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量）が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、載置台と上部電極との間に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを発生させ、処理チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１をその内部に収納しつつプラズマ発生可能に構成された容器１２と、半導体基板１１を支持する絶縁部１３および半導体基板１１にバイアス電圧を印加するための電極部１４を有し、且つ絶縁部１３の内部に熱輸送流体を輸送するための独立した複数の流路１５が形成された載置台１６と、複数の流路１５に熱輸送流体を供給する熱輸送流体供給手段１８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により消耗するフォーカスリングの消耗量に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記インピーダンス調整回路を制御することで変化させる一方、前記試料台に印加する前記高周波バイアス電力を、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで、前記所定の高周波バイアス電力に制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】排気系の調圧バルブとターボ分子ポンプの間の空間に、中心部にガスが通るための通路を設けた部材と、該部材の外周にターボ分子ポンプの回転ブレードと逆向きに傾斜した固定ブレードを複数枚設置して構成された異物粒子飛散防止ユニットを設置した。 （もっと読む）

【課題】形状性良くかつ高いエッチングレートで被エッチング膜をエッチングして高アスペクト比のホールを形成することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成し、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させ、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第２条件とを交互に繰り返し、第１条件によりプラズマ中の正イオンによりエッチングを進行させ、第２条件により負イオンを生成し、直流電圧により負イオンを前記ホール内に供給することによりホール内の正電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。
【解決手段】被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、従来に比べて真空チャンバ内の部材の消耗を抑制することのできるフォーカスリングの加熱方法、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】 真空処理チャンバと、真空処理チャンバ内に設けられ、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、真空処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に、基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバ内にプラズマが発生しない条件で、高周波電力供給機構から下部電極に高周波電力を供給してフォーカスリングを加熱する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。高周波誘導アンテナとプラズマ間の容量結合を遮断し誘導結合させるファラデーシールド９には、位相検出器４７−２による監視の基に、位相制御器４４から制御を受けたファラデーシールド用高周波電源４５からの出力が整合器４６を介して電源供給される。複数のフィルター４９が、ファラデーシールド９を異なる箇所で高周波電圧をグラウンドに短絡させており、発生するプラズマ生成用高周波と同一周波数を持つ不均一な電圧分布の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気回路を電気的に安定して取付可能とする。
【解決手段】インピーダンス整合器の出力部分に設けられたソケット４０は、円筒形状に成形された金属体４０ａの中心部に、給電棒３２を嵌め込んで保持するための嵌込孔４１を備えている。嵌込孔４１の内壁には、絶縁物からなる被膜層４２が設けられており、給電棒３２との間が電気的に絶縁されている。第２の高周波電源５１にて生成された高周波電力は、誘導結合により給電棒３２に伝達される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、被処理基板を載置する第１電極１１と、一定間隔で第１電極と対向するように配置された第２電極１２と、前記第１電極１１，第２電極１２を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバ１３と、第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第１周波数の負の直流パルス電圧を第１電極１１に印加する第１電源装置１８Ａと、第１電極１１，第２電極１２間にプラズマを発生させるための所定の第２周波数のＲＦ電圧を直流パルス電圧と同期させて前記第１電極に印加する第２電源装置と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマによって少なくとも一つの基板を処理するためのプラズマ処理システム。プラズマ処理チャンバは、イオンエネルギ分布を制御することができる。プラズマ処理システムは、第１の電極を含んでよい。プラズマ処理システムは、また、基板を受けるように構成された、第１の電極と異なる第２の電極も含む。プラズマ処理システムは、また、第１の電極に結合された信号源も含んでよい。信号源は、プラズマ処理システムにおいて基板が処理されるときに基板におけるイオンエネルギ分布を制御するために、第１の電極を通して周期的な非正弦波信号を提供してよい。 （もっと読む）