【課題】シミュレーションの精度を向上できる形状シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置のフラックス演算部は、有効立体角Ｓｅ、ウェハ開口率Ｒｗ及びセミローカル開口率Ｒｓに基づいて、計算点２２１毎の入射フラックスΓを演算する。有効立体角Ｓｅは、計算点２２１が当該計算点２２１を含むローカル領域２２３におけるパターンに遮蔽されずに開放される範囲を計算点２２１側から見込んだ立体角である。ウェハ開口率Ｒｗは、ウェハ２０１を覆うマスク２０７の面積に対するマスク２０７の開口面積の比である。セミローカル開口率Ｒｓは、ローカル領域２２３を含み、ウェハ２０１よりも狭いセミローカル領域２２７の面積に対する当該セミローカル領域２２７におけるマスク２０７の開口面積の比である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内で用いる装置が開示されている。ホットエッジリングは、第１の表面と第２の表面とを有する。第１の表面は、プラズマ形成領域と接触する。第２の表面は、プラズマ形成領域と接触しない。装置は、ホットエッジリングの第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備える。検出器は、ホットエッジリングのパラメータを検出し、検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】コンダクタンスを確保しつつ、プラズマの閉じ込め効果を高めることのできるバッフル板及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に配置され、前記処理チャンバー内を、前記基板を処理する処理空間と、前記処理チャンバー内から排気するための排気空間とに隔てるバッフル板９０である。バッフル板９０は、排気を行うための複数の開口部９１，９２，９３を有し、かつ、前記開口部の周縁部の高さに高低差が形成されるように、前記処理空間側の面に凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。この透過型電極体は、放電形成用電磁波にとっては誘電体（電気的絶縁体）のように振る舞い、RFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞う特性を有している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるシャワープレート電極の構成とガス孔の配置を、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔１８５が設けられた上側部材１８２と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔１８４が設けられた下側部材１８１と、中間部材１８３と、からなる構成とし、前記ガス通路孔１８５は前記ガス吐出孔１８４より大径で、１つの前記ガス通路孔１８５に対して複数の前記ガス吐出孔１８４が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔１８５の外周より外側に前記ガス吐出孔１８４が配置されるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマソース周波数に重畳されると共にカソードに印加される切替可能なバイアス周波数を有するプラズマ処理チェンバーを提供する。
【解決手段】マルチＲＦバイアス周波数が生成できるパワーサプライヤーはスイッチを介して一つのマッチングネットワークに結合される。前記マッチングネットワークは前記バイアス周波数の中の一つを前記カソードに結合させる。もう一つのマッチングネットワークはソースRFのパワーを前記カソードに印加させる。可変シャントコンデンサと固定コンデンサの一つの並列接続はグランドとスイッチの入力の間に設置され、可変シャントコンデンサと固定コンデンサのもう一つの接続は グランドと前記ソースRFのマッチングネットワークの入力の間に設定される。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極又は上部電極にプラズマ生成用の第１の周波数の高周波電力を印加するための第１の高周波電源と、下部電極に第１の周波数より周波数の低いイオン引き込み用の第２の周波数の高周波電力を印加するための第２の高周波電源と、下部電極と絶縁された状態で、当該下部電極上の少なくとも周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極と、バイアス分布制御用電極に、第２の周波数より周波数の低い第３の周波数の交流又は矩形波の電圧を印加するためのバイアス分布制御用電源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓをエッチングするドライエッチングを複数回行うことによって同基板Ｓの厚さ方向に段差を形成するデバイスを製造するに際し、凹部Ｓ２用マスクＥＭ２を用いて基板Ｓに第２の凹部Ｓ２を形成し、この凹部Ｓ２及び該凹部に隣接した段差形成部Ｓ３を露出させる段差用マスクＥＭ１を用いて第２の凹部Ｓ２及び段差形成部Ｓ３をエッチングして、第２の凹部Ｓ２と段差形成部Ｓ３とで段差Ｓ１を形成する。このとき、段差Ｓ１を形成する工程では、基板Ｓに印加される高周波電圧の電圧振幅を、第２の凹部Ｓ２を形成する工程の電圧振幅よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

【課題】無駄を排除することができるプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素がＣＶＤによって積層されて炭化硅素塊４１が生成され、炭化硅素塊４１が加工されてフォーカスリング２５が製造され、製造されたフォーカスリング２５がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返され、プラズマエッチング処理中に消耗したフォーカスリング２５’の表面が酸洗浄され、洗浄されたフォーカスリング２５の表面へＣＶＤによって炭化硅素が積層されて炭化硅素塊４２が生成され、炭化硅素塊４２が加工されてフォーカスリング２５”が再製造され、再製造されたフォーカスリング２５”がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返される。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートガス孔内で生じる異常放電を抑制し、異常放電に伴うプラズマの不安定性や異物の発生を防止する。
【解決手段】プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、シャワープレート背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、導体板の中心部に配置され第三のガス孔が施された絶縁板と、導体板の背面に配置され温度制御機能及びガス分散部を有するアンテナ基材部からなり、シャワープレートと絶縁板との界面には径方向に第一の微小隙間を有し、絶縁板と導体板との界面には径方向に第二の微小隙間を有し、第一のガス孔と第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッジ部でのエッチング特性を長期間に渡り良好に維持し、エッジ部での歩留りを長期間良好に維持し、ウエット周期を延ばし、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】基板ステージ５５の外周部に配置したフォーカスリング５１の下部に、静電吸着層５４、電極層５２、絶縁層６２を設け、電極層５２に高周波電力を印加することでフォーカスリング５１に高周波バイアスを印加するとともに、フォーカスリング５１を静電吸着層５４に静電吸着し、フォーカスリングと静電吸着層の間に伝熱ガスを介在させることでフォーカスリング５１を冷却可能とし、フォーカスリング５１の温度を所定値に制御する。 （もっと読む）

【課題】ＯＲ搬送処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して最適処理を施すことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、測定器とを備えた基板処理装置を用いてＯＲ搬送処理によって複数のウエハＷに対してシュリンク処理を連続して施す基板処理方法であって、処理前のウエハＷのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、得られたＣＤ値に基づいて作成された処理条件に従ってＦＦ制御によってウエハＷにシュリンク処理を施す処理ステップと、処理後のウエハＷのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値と目標値との差に基づいてＦＦ制御における処理条件作成用のオフセット値を更新するオフセット値更新ステップとを有し、チャンバにおける経過処理時間が予め決められた所定値に到達するまで処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを省略する。 （もっと読む）

この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

【課題】被加工試料とプラズマ発生部の相対位置を可変とする下部電極上下駆動機構を有するドライエッチング装置において、高周波のリターン電流が流入して下部電極カバー内側にプラズマが発生する事を防止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジ１５と、真空容器内に設けられ被加工試料１を載置する下部電極２と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構１０と、下部電極が有す接地電位部１３に固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー１４と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー１６とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、接地電位部とベースフランジとを接続する導体１７を有し、導体は下部電極の径方向の中心と第１のカバーとの中間よりも第１のカバー側に配置した。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】異常放電等を生じることなく各構成部材を効率よく加熱することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、減圧可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内に設けられたサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するようにチャンバ１１の天井部分に設けられたシャワーヘッド２７と、サセプタ１２の上面外周部に配置されたフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４の近傍に配置された赤外線輻射式のリング状のヒータ２６を備え、ヒータ２６は、赤外線輻射体２６ａ及び赤外線輻射体２６ａが封入された石英製リング２６ｂからなり、フォーカスリング２４及びヒータ２６の間に赤外線の輻射を阻害する部材を存在させないようにした。 （もっと読む）