【課題】無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに荷電粒子と中性粒子とを含むプラズマを照射することによって、基板Ｗにプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、支持部１０５に支持されている基板Ｗの面内における温度分布を調整することによって、基板Ｗの面内における、基板Ｗが中性粒子と反応する反応量の分布を制御し、支持部１０５に支持されている基板Ｗと、支持部１０５と対向するように設けられている電極１２０との間隔を調整することによって、基板Ｗの面内における荷電粒子の照射量の分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。
【解決手段】コントローラ９０は、インピーダンス測定部８４より得られる負荷側インピーダンスの絶対値測定値ＺＭ_mおよび位相測定値Ｚθ_mをそれぞれ所定の絶対値基準値ＺＭ_S及び位相基準値Ｚθ_Sに可及的に近づける様に、第１及び第２ステッピングモータ８６，８８を介して第１及び第２可変コンデンサ８０，８２の静電容量をそれぞれ可変制御する第１及び第２整合調節部１００，１０２と、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０と、ゲイン制御部１１２とを有している。ゲイン制御部１１２は、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０よりそれぞれ得られる第１及び第２の可変コンデンサ８０，８２の静電容量現在値ＮＣ₁，ＮＣ₂に基づいて、第１及び第２の整合調節部１００，１０２における比例ゲインの少なくとも一方を可変制御する。 （もっと読む）

【課題】表面のポリシリコン層の膜厚を維持して基板の表面を平坦化することができる表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内においてポリシリコン層４０を表面に有するウエハＷの表面を平坦化する際、ウエハＷをチャンバ内のサセプタに載置し、チャンバ内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上乃至８００ｍＴｏｒｒ以下のいずれかに設定し、酸素ガス及びアルゴンガスの混合ガスにおけるアルゴンガスの流量比を５０％以上乃至９５％以下のいずれかに設定してチャンバ内部へ導入し、周波数が１３ＭＨｚ以上乃至１００ＭＨｚ以下のいずれかに設定されているプラズマ生成用の高周波電力をサセプタに印加して導入された混合ガスを励起し、プラズマを生じさせ、生じたプラズマ中の酸素の陽イオン４３やアルゴンの陽イオン４４によってウエハＷの表面をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング２５は、冷媒室を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、サセプタ１２と接触するサセプタ接触面４０と、該サセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８とを備え、伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】電極板の破損を防止できると共に、部品点数の増加を防止してメンテナンス性の悪化を防止できる電極アッセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極板３２と、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウムからなるクーリングプレート（Ｃ／Ｐ）３４と、電極板３２及びＣ／Ｐ３４の間に介在し、半導体材料からなるスペーサー３７とを有する上部電極アッセンブリを備える。Ｃ／Ｐ３４には、アルマイトが存在せずアルミニウムが露出するように固定具の座面３４ｂが形成され、電極板３２には、ボルト６３のねじ部と螺合するねじ孔３２ｂが形成されている。Ｃ／Ｐ３４、スペーサー３７及び電極板３２を導通材料からなるボルト６３で締結した際に、ボルト６３がＣ／Ｐ３４の座面３４ｂに接触すると共に電極板３２のねじ孔３２ｂに螺合することにより、Ｃ／Ｐ３４と電極板３２とが導通する。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く均一に、かつ、高選択比で形成することのできる半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に混合ガスからなる処理ガスを供給し、かつ複数種のガスのうち少なくとも１種のガスの流量を第１の時間中第１の流量とする第１工程と、第２の時間中前記第１の流量とは異なる流量の第２流量とする第２工程とからなる１サイクルの工程を、プラズマを途中で消すことなく連続的に少なくとも３回以上繰り返して行い、第１の時間及び第２の時間は、１秒以上１５秒以下、第１工程における処理ガスの総流量と、第２工程における前記処理ガスの総流量は、同一若しくは異なる場合は、総流量の差が多い方の総流量の１０％以下であり、第１工程と第２工程のいずれにおいても被エッチング膜のエッチングを進行させるガスを処理ガス中に含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内の温度を、短いコントローラ応答時間及び高い安定性で制御する方法及びシステムが提供される。温度制御は、処理チャンバへのプラズマ電力入力から導かれたフィードフォワード制御信号に少なくとも部分的に基づく。フィードフォワード制御信号は、プラズマ電力に起因する温度の擾乱を補償するものであり、計測温度と所望の温度との間の誤差を打ち消すフィードバック制御信号と組み合せることができる。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】処理ガス供給機構１０２からの処理ガスの供給を停止する工程と、ターボ分子ポンプ１０３を停止する工程と、真空ポンプ１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつターボ分子ポンプ１０３を加熱機構１０７によって加熱してターボ分子ポンプ１０３内に付着した付着物を除去する除去工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】基板載置台内部の流路を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】主線１０１に、当該主線と熱電対を構成する枝線１０２を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構１００を、基板載置台内部に配設された温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において前記温度測定機構により直接測定する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜とＣｕ配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨを含む層間絶縁膜４とＣｕを含む配線２との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層１５及び酸フッ化層１６が夫々形成されたウエハＷに対して、Ｈ2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むＴＭＳＤＭＡガスの供給とを同一の処理容器５１においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層１６の還元処理及びダメージ層１５の回復処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】チャンバ壁の影響を好適に考慮できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、ウェハが配置されるチャンバ２と、チャンバ２内の状態を示す指標値としての発光強度Ｉを検出するＯＥＳ１３とを有する。また、エッチング装置１は、検出された発光強度Ｉの値に基づいて、チャンバ２のチャンバ壁に対する粒子の付着確率Ｓの値を算出する付着確率算出部１９と、チャンバ２において付着確率Ｓを変動させることが可能なヒータ１１とを有している。さらに、エッチング装置１は、付着確率算出部１９の算出する付着確率Ｓが初期値Ｓ_０となるようにヒータ１１を制御する制御部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器１と、真空容器１の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器１内に設けられ、被加工試料３を載置する下部電極２と、下部電極２を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極２が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー２７と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー２８とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第２のカバー２８を導体とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１０３を有するフォトレジスト膜１０２が形成された基板１０１をエッチングチャンバ内に設置する設置工程と、フォトレジスト膜１０２をマスクとして、ＳｉＦ_４とＯ_２とを含むガスを用いて、エッチングチャンバ内に設置された基板１０１をエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程に続いて、ＳＦ_６とＯ_２とＨＢｒとを含むガスを用いて基板１０１をエッチングし、基板１０１に穴１０７を形成する第２のエッチング工程とを有する。 （もっと読む）