【課題】正イオンによるエッチング効率を低下させることなく、負イオンを有効利用して全体としてのエッチング効率を高めることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマＲＦ及びバイアスＲＦをそれぞれパルス波として印加し、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦを共に印加してプラズマ中の正イオンによって基板にエッチング処理を施す正イオンエッチングステップ３ｂと、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦの印加を共に停止して処理室内で負イオンを発生させる負イオン生成ステップ３ｃと、プラズマＲＦの印加を停止し、バイアスＲＦを印加して負イオンを基板に引き込む負イオン引き込みステップ３ａとを順次繰り返し、バイアスＲＦのデューティー比をプラズマＲＦのデューティー比よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】基板に均一なプラズマ処理を施しつつ、一チャンバ複数プロセスの要求に充分応えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置されウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２に対向配置された上部電極２４と、サセプタ１２に接続された第１，第２の高周波電源１４，１６とを備え、上部電極２４は接地３６と電気的に接続され、上部電極２４をサセプタ１２に対して移動可能な基板処理装置１０において、上部電極２４に誘電体２６を埋め込んで、処理空間ＰＳに生じるプラズマ及び接地３６の間の電位差を、プラズマ及び誘電体２６の間の電位差、並びに、誘電体２６及び接地３６の間の電位差に分割し、さらに上部電極２４とサセプタ１２との間のギャップＧを変動させることによって、上部電極２４及びサセプタ１２の間のプラズマ密度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源１８に接続され且つウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配された上部電極板２８と、サセプタ１２及び上部電極板２８の間の処理空間ＰＳとを備え、プラズマを用いてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置１０は、上部電極板２８における処理空間ＰＳに面する部分を覆う誘電体板２７を備え、上部電極板２８は、ウエハＷの中央部と対向する内側電極２８ａと、ウエハＷの周縁部と対向する外側電極２８ｂとに分割され、内側電極２８ａと外側電極２８ｂとは互いに電気的に絶縁され、内側電極２８ａには第２の可変直流電源３３から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極２８ｂは電気的に接地される。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 （もっと読む）

【課題】プロセスに応じて適正にＡ／Ｃ比を制御する。
【解決手段】第１の高周波電源１４０からプラズマ生成用の高周波電力を印加して処理容器内のプラズマ処理空間Ｕにプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置は、バイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源１５０と、プラズマ処理空間Ｕを形成する処理容器１００の内壁に少なくとも一部が接し、処理容器内にて上下動することによりプラズマ処理空間Ｕの接地容量を調整する調整機構２００とを有し、プラズマ処理方法では、第２の高周波電源１５０から印加される高周波電力が５００Ｗ以下の場合、調整機構２００を可動範囲の上側に位置付け、該高周波電力が１５００Ｗ以上の場合、調整機構２００を可動範囲の下側に位置付ける。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＰの手法により微細なマスクパターンを形成するときに、酸化シリコン膜を成膜する際、及びエッチバック処理する際に、レジスト膜よりなる芯材が変形することを防止できるマスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜よりなる第１のライン部をマスクとして反射防止膜をエッチングすることによって、第２のライン部を含むパターンを形成する第１のパターン形成工程Ｓ１３と、レジスト膜に電子を照射する照射工程Ｓ１４と、酸化シリコン膜を成膜する酸化シリコン膜成膜工程Ｓ１５と、第２のライン部の側壁部として残存するように、酸化シリコン膜をエッチバック処理するエッチバック処理工程Ｓ１６と、第２のライン部をアッシング処理することによって、酸化シリコン膜よりなり、側壁部として残存する第３のライン部を含むマスクパターンを形成する第２のパターン形成工程Ｓ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバーと、処理チャンバー内に設けられ、高周波電力が印加される導電性金属からなる基材を有し、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、処理チャンバー内に設けられ、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極上に、被処理基板の周囲を囲むように配設されたフォーカスリングと、を具備したプラズマ処理装置であって、下部電極の基材とフォーカスリングとの間に、電流制御素子を介して電気的な接続を行い電位差に応じて直流電流を発生させる電気的接続機構を配設した。 （もっと読む）

【課題】イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置としてのプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１に設けられ、半導体ウエハＷが配置されるウエハ設置電極１２と、ウエハ設置電極１２に対向するようにチャンバー１１内に設けられた対向電極１３と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧を印加する高周波電源１４と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧と重畳するように負の第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１を印加する第１のＤＣパルス電源１７Ａと、第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１のオフ期間に、対向電極１３に負の第２のＤＣパルス電圧Ｖ_２を印加する第２のＤＣパルス電源１７Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】所望の機会に消耗部材の消耗量を測定することができる消耗量測定方法を提供する。
【解決手段】プラズマに晒される上面２５ａ及びサセプタに対向する下面２５ｂを有するフォーカスリング２５の消耗量を測定する際、サセプタに対向する下面５７ｂ及びフォーカスリング２５に対向する上面５７ａを有する基準片５７をフォーカスリング２５と熱的に結合し、上面２５ａ及び下面２５ｂに対して垂直にフォーカスリング２５へ低コヒーレンス光を照射してフォーカスリング２５内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光の第１の光路長を計測し、上面５７ａ及び下面５７ｂに対して垂直に基準片５７へ低コヒーレンス光を照射して基準片５７内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光の第２の光路長を計測し、第１の光路長及び第２の光路長の比率に基づいてフォーカスリング２５の消耗量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ボーイング形状の発生を防止してマスク層に良好な垂直加工形状のホールを形成し、且つマスク層としての残膜量を確保することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象層上にマスク層５２及び中間層５４が積層されたウエハＷを、チャンバ１１に収容し、チャンバ１１内で処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施し、中間層５４及びマスク層５２を介して処理対象層にパターン形状を形成する基板処理方法において、処理圧力を５ｍＴｏｒｒ（９．３１×１０^−１Ｐａ）以下、ウエハＷの温度を−１０℃〜−２０℃とし、さらにプラズマを発生させるための励起電力を５００Ｗとしてマスク層５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】異なる温度に調整される２つ以上の領域を有する構造体であって、水平方向の熱伝導を抑制すると共に、垂直方向からの入熱に対してはスムーズな熱の移動を確保して熱的特異点の発生を抑制することができる複数領域温度分割制御構造体を提供する。
【解決手段】表面温度がそれぞれ異なる温度に制御されるセンターエリア５１及びエッジエリア５２と、その間に配置され、センターエリア５１とエッジエリア５２の配列方向に沿った熱伝導率が、配列方向に交差する方向における熱伝導率よりも小さく、水平方向の熱伝導に対して、例えば断熱材として機能し、且つ垂直方向の熱伝導に対して、例えば熱伝導材として機能する傾斜材５６を配置する。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置面９０ａと、ウエハＷをリフトピン８４によって載置面９０ａから持ち上げる基板持ち上げユニット８０と、リフトピン８４内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光８８をウエハＷに照射し、ウエハＷの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット８７とを有し、光照射・受光ユニット８７は、基板持ち上げユニット８０のベースプレート８６に固定されている。 （もっと読む）

【課題】移動電極と筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４又は側壁１３とを電気的に接続するバイパス部材３５が配設される。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に微粒子がめり込むのを防止できる基板脱着方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板を内蔵し、該静電電極板に印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によってウエハを吸着する静電チャックと、吸着されたウエハＷ及び静電チャックの間の伝熱間隙にヘリウムガスを供給する伝熱ガス供給孔とを備える基板処理装置において、静電電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、直流電圧の上昇に応じて伝熱間隙へ供給されるヘリウムガスの圧力を段階的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】形成されるパターンのアスペクト比が高くてもパターンが歪むのを防止することができるエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】処理室１５内部にプラズマ生成用の高周波電力５５が印加され、サセプタ１２にイオン引き込み用の高周波電力５６が印加され、上部電極板２７に負の電位の直流電力が印加される基板処理装置１０において、ウエハＷ上のフォトレジスト膜４５において形成されたパターン４４の形状を改良する際、フォトレジスト膜４５をプラズマでエッチングし、該フォトレジスト膜４５を用いてＳｉＯ_２膜４０をプラズマでエッチングする際、負の電位の直流電力を上部電極板２７に印加するとともに、プラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６をパルス波状に印加してプラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６が印加されない状態を作り出す。 （もっと読む）