【課題】基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１０３を有するフォトレジスト膜１０２が形成された基板１０１をエッチングチャンバ内に設置する設置工程と、フォトレジスト膜１０２をマスクとして、ＳｉＦ_４とＯ_２とを含むガスを用いて、エッチングチャンバ内に設置された基板１０１をエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程に続いて、ＳＦ_６とＯ_２とＨＢｒとを含むガスを用いて基板１０１をエッチングし、基板１０１に穴１０７を形成する第２のエッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】部品点数及び組立工数の増加を伴うことなく、プラズマの進入に起因する、接着剤層の消耗及び基部表面におけるアーキング（異常放電）による損傷を防止することができる基板処理装置の基板載置台を提供する。
【解決手段】円板状の基部４１と、基部４１の上部平面に接着剤層４２で接着され、ウエハＷを載置する円板状の静電チャック２３と、その周囲に配置され、ウエハＷを囲むと共に基部４１の上部平面４１ｂの外周部を覆う円環状のフォーカスリング２５とを有し、静電チャック２３は上部円板部２３ｂとこの上部円板部２３ａよりも径が大きい下部円板部２３ａとを有する２段構造を呈しており、下部円板部２３ａは、基部４１の凹部４１ａに嵌合され凹部４１の底部平面に接着剤層４２で接着されており、嵌合部がフォーカスリング２５で覆われている。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】基板面内における堆積度合いのばらつきを効果的に抑制する。
【解決手段】被エッチング膜上に形成された反射防止膜上に，複数の開口部を有するレジストパターンが形成された基板に対して，被エッチング膜をエッチングする前にレジストパターンの各開口部の側壁に堆積物を堆積させるステップを有し，堆積ステップは処理室内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上にし，ＣＨＦ系ガスを１０００ｓｃｃｍ以上導入してプラズマを生起する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】容量結合ＲＦ駆動プラズマ処理チャンバ内でプラズマ閉じ込めの状態の変化を検出するための方法およびシステムが開示されている。１または複数の実施形態において、プラズマ非閉じ込め検出方法は、静電チャック（ＥＳＣ）の形態の電力供給された電極におけるＲＦ電圧と、ＥＳＣへのウエハの固定に関与する電源（ＰＳＵ）の開ループ応答とを能動的にポーリングできるアナログまたはデジタル回路を用いる。その回路は、ＥＳＣに供給されるＲＦ電圧の変化およびＰＳＵの開ループ応答の変化の両方を検出する手段を提供する。これらの電気信号を同時に監視することにより、開示されているアルゴリズムは、閉じ込め状態から非閉じ込め状態へプラズマが変化した時点を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハーの載置ズレを検出、調整し、ウェハーの載置精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハーＷを処理するチャンバと、チャンバ内に設けられ、ウェハーＷの裏面にガスを供給する複数の穴２０を有するウェハーステージ１４と、複数の穴２０におけるガスの漏れ量をそれぞれ独立に検出するガス検出機構と、検出された穴の位置及びガスの漏れ量に基づき、ウェハーＷのウェハーステージ１４の所定の位置からのズレの方向及び量を求めるウェハー位置検出機構３０と、ウェハーステージの所定の位置からのズレの方向及び量に基づき、ウェハーの位置を調整するウェハー位置調整機構３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、下部電極１６に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源８９および相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極34に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部５０を設ける。電気特性調整部５０は，処理空間Ｋから上部電極４に流れ込む電流の電流値が最大にならないように，プラズマＰから見た上部電極４側の回路の電気特性を調整できる。エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷の影響によって高周波電力の伝送路上で高調波成分が発生し波形歪みが起きた場合においても、安定した静電吸着電圧に制御する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１０５内でウエハを載置する下部電極と、該電極にウエハ１１３を静電吸着させる直流電源１０７と、下部電極に接続された高周波バイアス電源１１０と、上部電極１０３と、該電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源１０１と、下部電極に印加されている高周波電圧Ｖppを検出する高周波電圧Ｖpp検出手段１１９と、を有し、ウエハの静電吸着力を所定範囲に制御するためにＶppを用いて静電吸着用直流電圧を制御するプラズマ処理装置において、高周波電圧Ｖpp検出手段は、Ｖppの基本周波数成分を検出する基本波成分Ｖpp検出手段１１５と、Ｖppの平均値を検出する平均値Ｖpp検出手段１１６と、Ｖppの実効値を検出する実効値Ｖpp検出手段１１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジスト層の高さの減少をより強力に抑制できる被処理体の処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体Ｗが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第１電極５に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内において基板を下部電極から機械的に取り除くための最適な時間を特定するための方法が提供される。方法は、センサのセットを用いて、デチャック事象中に基板の上に形成されるプラズマの電気的特性のセットを監視することを含む。方法は、また、電気的特性のセットに関する処理データをデータ収集装置に送信することも含む。方法は、さらに、処理データを閾値のセットと比較することも含む。方法は、なおもまた、もし、処理データが閾値を通過する場合に、基板解放事象が発生しているゆえに、基板を下部電極から取り除くことも含む。 （もっと読む）

【課題】載置部に載置される被処理基板に対して真空処理を施す真空処理機構と、真空処理機構を制御する制御装置とを備えた真空処理装置、および、これを用いる真空処理方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗと略同形同大に形成され、真空処理状態の情報を検出する検出素子１１ｄと検出した情報を処理する情報処理素子１１ｐとを有するセンサ基板１１を、載置部１０に載置し、真空処理機構３１により真空を用いた処理を施す。センサ基板１１が真空処理を施される際において、真空処理状態の情報が検出、処理される。処理された真空処理状態の情報に基づいて、制御装置５１により、真空処理機構３１を制御して被処理基板Ｗに対して真空処理を施す。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内にフロロカーボン系のガスを供給して試料台に載置された被処理基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板Ｗの周辺に配置されたフォーカスリング７と、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部にそれぞれ別々のガスを供給する第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａを備え、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部に前記第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａから異なる種類のフロロカーボン系のガスを供給し、前記被処理基板Ｗの中心部よりも炭素とフッ素の比率（C/F比）の低いフロロカーボン系のガスを前記被処理基板Ｗの外周部に供給する。 （もっと読む）

【課題】減圧下であっても広範囲の圧力で放電し、効率良く一様に処理できる板状陰極表面処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に設けられた陰極機構３０、陰極機構３０内の板状陰極３６、板状陰極３６の放電にさらされる面の反対側に磁気機構４０を配し、磁気機構４０により板状陰極３６の放電にさらされる面の一端から出て他端に入る磁力線４１１を発生させ、陰極表面上にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、板状陰極３６に電力を供給して表面にある磁界４１１と少くとも直交する成分を有する電界４２０を発生する手段、放電空間の圧力をガス導入系と排気系により調整することの出来る板状陰極放電を利用する表面処理装置であって、磁気機構４０が磁力線の遠回り手段を備える。 （もっと読む）