【課題】試料台カバーの温度を安定させ、試料台カバーから発生するガス量を安定させることで、プラズマ処理性能の経時変化が小さいプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の下部に配置されプラズマに面してその上面にプラズマを用いた処理対象の試料Wが載置される試料台２０７を備え、この試料台２０７が、試料Ｗの載置される面の外周側にこれと段差を有して配置され誘電体製のリング状部材３０１が配置される凹み部及びこのリング状部材３０１の下方に配置されこれを加熱する手段３１５とを有し、リング状部材３０１の外周側上方に配置されて試料台２０７と連結されリング状部材３０１を下方に押し付けて位置決めする金属製の部材３０３，３０４と、凹み部の上面とリング状部材３０１の下面との間のすき間に熱伝達性ガスを供給する手段３０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成するエッチングに際してより均一なエッチングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される１０４。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される１０８。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される１１２。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される１１６。蒸着ガスから、プラズマが形成される１２０。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される１２４。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる１２８。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理装置用のシリコン製部品に使用するシリコン廃材の選定を適正化する。
【解決手段】エッチング処理装置内に配置されるシリコン製部品をシリコン廃材から再生して製造するエッチング処理装置用のシリコン製部品の製造方法であって、シリコン廃材の不純物を測定する工程と、測定された不純物含有量と目標値に基づきシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材の投入量を算出する工程と、算出された投入量のシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材をるつぼに投入し、溶解する工程と、前記溶解された材料を冷却して固める工程と、前記固められた材料の少なくとも上面を含む部分を切除して多結晶シリコンを生成する工程と、前記生成された多結晶シリコンから前記シリコン製部品を製造する工程と、を含むことを特徴とするシリコン製部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件を変更することなく、経時変化に伴うレジストのエッチング速度の低下を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを供給するとともに、保持部１６及び電極板３６の少なくとも一方に高周波電力を供給することによって発生させたプラズマにより基板をエッチングするプラズマエッチング方法において、処理ガスが流れる流路４５内の圧力を計測して計測値を取得する取得ステップと、取得した計測値が、予め設定された基準値から所定の範囲内にあるか否かを判定する判定ステップと、計測値が所定の範囲内にないと判定されたときに、予め設定された、電極板３６を支持する電極支持体３８から電極板３６までの間隔と流路４５内の圧力との関係に基づいて、間隔の設定値を決定する決定ステップと、間隔を、決定された設定値に調整する調整ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合方式のように電磁界強度が強い場合にも異常放電することなく、試料全面にわたって均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
処理室１と、第１誘電体の真空窓４と、誘導コイル９と、高周波電源１３と、ガス供給手段と、被処理体３を載置する試料台２０とを備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、真空窓４の下方に近接して設置され、中央部にガス放出口を備えた第２誘電体のガス放出板６と、真空窓４とガス放出板６との隙間に設けられ、第１及び第２誘電体よりも比誘電率の高い第３の誘電体の島状の部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電に用いたマイクロ波のＲＦ給電ラインへの漏洩をライン途中で効果的に遮断してマイクロ波漏洩障害を確実に防止する。
【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置において、サセプタ１２にＲＦバイアス用の高周波を印加するための給電棒３４は、その上端がサセプタ１２の下面中心部に接続され、その下端がマッチングユニット３２内の整合器の高周波出力端子に接続されている。また、チャンバ１０の底面とマッチングユニット３２との間には、同軸線路３６を形成するために、給電棒３４を内部導体としてその周りを囲む円筒状の外部導体３８が設けられている。同軸線路３６には、チャンバ１０内のプラズマ生成空間から線路内に入ってきた不所望なマイクロ波の空間伝播を遮断するためのチョーク機構４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】矩形基板の外側領域におけるプラズマ分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、誘導電界を形成する部分が全体として矩形基板Ｇに対応する矩形状平面を構成し、かつ、複数のアンテナ線を渦巻状に巻回してなる第１のアンテナ部１３ａと第２のアンテナ部１３ｂとを有し、第１のアンテナ部１３ａの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの角部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの角部を結合するように設けられ、第２のアンテナ部１３ｂの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの辺の中央部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの辺の中央部を結合するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバー内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターを含む。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】基板全体でエッチングを均一に行うことができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプラズマ装置は、反応チャンバーと、反応チャンバー内の上部に配置された上部電極と、上部電極と対向する下部電極と、下部電極を取り囲んで、周縁に複数の切り欠きを含むバッフルプレートとを含み、各切り欠きの境界線は、バッフルプレートの境界線と連結されて、バッフルプレートの周縁に凹部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる天井電極板を提供することにある。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、基板載置台１２と処理空間Ｓを挟んで対向するように配置された天井電極板３１は、クーリングプレート３２を介して電極支持体３３に当接、支持されており、クーリングプレート３２との当接面には伝熱シート３８が形成されている。伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜２．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、その膜厚は、例えば３０μｍ〜８０μｍであり、天井電極板３１の各ガス孔３４の近傍の所定領域を回避するように塗布し、形成されている。 （もっと読む）

【課題】 最大ガス流量に関する自由度に富み、電極カバー部材の薄型化も可能であり、かつ、ガス導入時の処理室内におけるガス挙動の経時的な変化も発生し難いガス吐出機能付電極を提供すること。
【解決手段】 複数のガス穴５４を有するベース材５２と、ベース材５２の複数のガス穴５４のそれぞれに対して１対１で対応するガス穴５３を複数有し、ベース材５２に固定されて被処理体をプラズマ処理する処理空間に面して配置される電極カバー部材５１と、を含み、電極カバー部材５１のガス穴径を、ベース材５２のガス穴径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、内部が減圧されるチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置するサセプタ１２と、プラズマ生成用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＨＦ高周波電源１８と、バイアス電圧発生用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＬＦ高周波電源２０と、矩形波状の直流電圧をサセプタ１２に印加する直流電圧印加ユニット２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングリアクタの静電チャックの寿命を向上させるチャンバ洗浄機構を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 （もっと読む）