【課題】
【解決手段】 本発明は、壁（２）を備える真空チャンバ（１）と、一つ以上のプラズマ励起装置（６）及び電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波エネルギーをプラズマに結合するためにプラズマを巡って定磁界を発生させる手段を備えるプラズマ源（５）とを備えるプラズマ発生装置に関し、前記プラズマ励起装置（６）のそれぞれはマイクロ波エネルギー源に接続可能な同軸マイクロ波コネクタ（７）と、プラズマを励起するマイクロ波エネルギーを発することができるループアンテナ（９）とを備える。発明によれば、一つ以上のプラズマ励起装置（６）のループアンテナ（９）はプラズマに接触するために真空チャンバ（１）内部に配置され、定磁界発生手段は真空チャンバ（１）の壁に配置された少なくとも二つの磁気双極子（１０）を備え、前記一つ以上のプラズマ励起装置（６）のそれぞれの両側には前記二つの磁気双極子（１０）が配置される。 （もっと読む）

イオン源および制御可能なイオン電流密度分布を有するイオンビームを発生させるためにイオン源の電磁石を動作させる方法。イオン源（１０）は、放電チャンバ（１６）および放電チャンバ（１６）の内側でプラズマ密度分布を変化させるために磁界（７５）を発生させるようになっている電磁石（４２；４２ａ−ｄ）を含む。方法は、放電空間（２４）内でプラズマ（１７）を発生させること、電流を電磁石（４２；４２ａ−ｄ）に印加することによって、プラズマ密度分布を規定するのに有効である磁界（７５）を放電空間（２４）内に発生し形作ること、プラズマ（１７）からイオンビーム（１５）を抽出すること、イオンビーム密度について分布プロファイルを測定すること、および、イオンビーム密度について実際の分布プロファイルを所望の分布プロファイルと比較することを含んでもよい。
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プラズマ処理装置、及び基板表面の処理方法。処理空間（５）を有し、処理空間（５）において、大気圧プラズマを発生させるために、第一電極（２）、第二電極（３）及び第一電極（２）と第二電極（３）とに接続したパワーサプライ（１１）を含む、誘電体バリア放電電極構造を提供する。プラズマ処理装置は、少なくとも第一電極（２）の表面に提供された磁気層（６）をさらに備える。第一電極（２）は、作動中に、処理される基板（１）、及び基板（１）と接触し、磁気層と相互作用するマスクデバイス（７）を支えるように配置される。
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【課題】
試料への汚染及び異物混入の原因となる処理室の損傷を抑制し、稼働率の向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、この真空容器内部に配置され処理用ガスが供給される処理室と、この処理室内に配置されその上面に処理対象の試料を保持する保持電極と、前記処理室内の前記保持電極の上方の空間にプラズマを形成するための電界を供給する電界供給手段及び磁界を供給するための磁界供給手段と、前記保持電極の上方の前記処理室の内側壁を構成しその内壁面が略円錐台形である接地された壁部材とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】定数を最適な値に設定するのみで、ガス種、ガス流量、目標圧力に関わらず、減圧処理室を速やかに所望圧力に調整する。
【解決手段】減圧処理室１と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに電磁エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段５と、前記減圧処理室内のガスを排気する排気手段２と、前記減圧処理室内のガス圧力を測定するガス圧力測定手段４と、前記排気手段により排気されるガスの排気速度を調整する排気速度調整手段３と、前記圧力測定手段により測定したガス圧力が目標値に一致するように制御演算を施して排気速度を演算し、演算結果に基づいて前記排気速度調整手段を制御する演算制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生する放電不安定を抑制する。
【解決手段】真空処理室１に接地された環状導体２６を直流アースとして設置し、環状導体２６からアースへ流れる電流を０Ａ付近になるように電流モニタ２９の値に基づき直流バイアス電源２８を制御系３０で制御することにより、プラズマの空間電位が上昇することによって起こる放電不安定を抑える。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内で磁場を回転させるための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、処理チャンバ内で磁場を回転させるための方法は１次形状を有する磁場を形成し、１次形状を少なくとも２つの連続する移行形状に変化させ、移行形状を回転された１次形状へと変化させることを含む。任意で、各工程を通して磁場をほぼ一定の強度に維持する。任意で、１つ以上の磁場発生コイルに印加する１つの電流の最大値はゼロに等しい、或いはいずれの２つの隣り合う工程間でその極性は逆転する。 （もっと読む）

【課題】
真空容器内に配置される試料に異物が発生することを抑制するプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内部に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台とを有しこの試料台上に載置される試料を前記処理室内に形成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室の内側壁面を構成しその内側壁面に誘電体部分を有する部材と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記処理室内においてプラズマを形成しない状態で前記部材に電界を供給する電界供給手段と、前記排気手段により前記処理室を排気しつつ前記電界供給手段から供給される前記電界の大きさを急激に変化させる。 （もっと読む）

【課題】直径３００ｍｍ以上のウエハを広い範囲にわたりより均一に高精度に処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】減圧可能な容器１内に配置されその上面に半導体ウエハ３が載せられる試料台２と、試料台２の上方で対向して半導体ウエハ３に載せられる面に並行に配置され容器１内に形成されるプラズマに面する略円形の導電性板７と、導電性板７に連結され試料台２と導電性板７との間の容器１内の空間にプラズマを形成するため電力を供給する電源１１と、空間１に炭素及びフッ素を含むガスを供給する供給口とを備え、導電性板７に供給される電力の周波数ｆ１が、真空中の光の速度Ｃ及び前記ウエハの直径Ｄに関し１００ＭＨｚ＜ｆ１＜（０．６×Ｃ）／（２．０×Ｄ）Ｈｚの範囲であって、試料台２の上面と導電性板７との間の距離を２０から１００ｍｍの間にして前記半導体ウエハを処理するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加中に異常放電や高周波電力の逆流を発生させることなく、フォーカスリングの温度を正確に制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷの周縁部を囲うように配されている環状のフォーカスリング２４と、フォーカスリング温度制御装置２６とを備え、フォーカスリング温度制御装置２６は環状の誘導コイル３６を有し、該誘導コイル３６はフォーカスリング２４と対向し、誘導コイル３６は電力供給棒３８から電力を供給されると磁力線を発生し、発生した磁力線は誘導発熱部４０と交差し、誘導発熱部４０内には磁場誘導によって渦電流が発生し、該渦電流及び誘導発熱部４０が有する電気抵抗に起因するジュール熱によって誘導発熱部４０は発熱し、これにより、フォーカスリング２４は自己発熱する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システム内のプラズマの均一性を調整・制御する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】
基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。プラズマの密度分布の変化に影響を及ぼすリング状の中空陰極プラズマを作り出すために、電子源電極に対向するように基板の周囲に設けられたリング状電極が使用される。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマパラメータの所望の値に従って複数のチャンバパラメータを制御することによる、プラズマリアクタチャンバ内でのウェハ処理法に関する。
【解決手段】本方法はＭ個のプラズマパラメータについてのＭ個の所望の数値のセットをＮ個の各チャンバパラメータについてのＮ個の数値のセットへと同時変換することを含む。Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。Ｎ個のチャンバパラメータはソース電力、バイアス電力、チャンバ圧、内側磁気コイル電流、外側磁気コイル電流、内側領域ガス流量、外側領域ガス流量、内側領域ガス組成、外側領域ガス組成を含む群から選択される。本方法は更にＮ個のチャンバパラメータをＮ個の値のセットに設定することを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマを閉じ込めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを閉じ込めるための装置は、基板支持体と、プラズマが形成されるべき、前記基板支持体の少なくとも上部に設けられた第１の領域と、前記プラズマが選択的に抑制されるべき第２の領域との間の境界線の近傍で磁界を形成するための磁界形成デバイスを含む。この磁界は前記プラズマを形成するために用いられるプロセス条件に依存して、前記第１の領域から前記第２の領域へのプラズマの荷電活性種の動きを選択的に抑制する、プラズマの閉じ込めの方向に垂直な所要の磁界成分を有する。 （もっと読む）

【課題】清浄化対象面の状態にかかわらず異物除去に問題が生じる虞のない清浄化処理方法を提供すること。
【解決手段】図(a)に示す多数のサブミクロンサイズの異物Ａ〜Ｍが表面に付着している被処理半導体基板載置電極１０７を対象にした場合、まず、図(b)に示すように、その表面に、例えば酢酸ビニール樹脂を水に懸濁させた溶液など、重金属を含まず、塗布前は適切な粘度で適度の流動性を持ったゆるい水あめ状を呈しているが、乾燥などの処理により半硬化し、半流動性から粘稠度の高い半固体状になる流動性物質３を塗布し、ついで、乾燥処理し、流動性物質３が適度に硬化して固めのゼリー状の膜になったら、図(c)に示すように、膜状の流動性物質３を基板載置電極１０７の基板載置面から引き剥がし、流動性物質３に埋めまれていた異物Ａ〜Ｍを基板載置電極１０７の基板載置面から一緒に引き剥がして基板載置電極１０７の基板載置面を異物の無い清浄な状態にする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの放射分布の磁気コントロール、インピーダンス閉じ込めによってプラズマの放射閉じ込めを増強する方法および装置の提供。
【解決手段】 プラズマ閉じ込め、プラズマ放射分布性能を具備するプラズマ反応器。該反応器は、側壁およびワークピースサポートペデスタルを含み、かつペデスタルと側壁間のポンプ環状部と、ポンプ環状部の底部のポンプポートをもつ反応器チャンバを備える。反応器はさらに、ポンプ環状部を介して軸方向のガス流を閉じ込めて、プラズマがポンプポートに流れるのを防止する手段、ポンプポートの配置から生じるペデスタル全体のガス流パターンの非対称性を補償する手段、縁部が高いプラズマ密度分布を促進する固有の傾向を有するプラズマ分布をコントロールする手段を備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台上に配置される試料を均一に処理できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内に配置された試料台上に乗せられたウエハを、この真空室内に生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記真空処理容器の前記ウエハ上方で対向して配置され第１の処理用ガスが導入される貫通孔を備えたプレートと、上下に隣接して配置された第１、第２の円筒部材と、これら第１、第２の円筒部材の隙間に連通して配置さ第２の処理用ガスを供給する手段を備え、前期第１の処理ガスと組成の異なる第２の処理用ガスを供給しつつ、前記ウエハを処理するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理方法において、プラズマ放電を継続しながらステップ切替えを行う場合、プラズマ処理条件の切替え時におけるプラズマ不安定を防止する。
【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ発生用の高周波電源と、該プラズマ発生用の高周波電源の反射電力を自動的に低減する自動整合機とを備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、予め処理条件切替え後のプラズマ処理条件を決定し（手順１）、切替え後の処理条件でテスト放電して自動整合機で反射波が低減した時点の整合素子の位置を記録し（手順２）、プラズマ処理条件切替え時に自動整合機を予め記録した整合素子の位置に移動させる（手順３）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、真空チャンバー内に設けた酸素ガス及び水蒸気ガスを導入するための導入口と、真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなることを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】処理室の壁材から発生する異物の抑制による汚染発生が低減され、プラズマ分布の均一性にも寄与し、且つ処理室の寸法管理が緩やかで済むプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室１００内側に配置された試料台１０９上に載置された試料を、処理室１００内に生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、その処理室１００を内面形状が円錐形の内側壁部材で構成した上で、それを上下に２分割し、上側の内側壁部材１１６と下側の内側壁部材１２４で構成したもの。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスを効率よく使用することができるとともに、エッチング特性（エッチングレート）のバラツキを抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、チャンバ１２と、チャンバ１２の上方に設けられたドーム型のベルジャ１３と、基板２３を載置固定するステージ１４と、プラズマの空間分布を制御するとともに基板２３の周囲に設けられたフォーカスリング１５と、処理室２１の中にプロセスガスを供給するガス供給口１６と、処理室２１内の使用済みのプロセスガスを排気するガス排気口１７とを有する。フォーカスリング１５は、基板２３の上方が開口しており、更に、この開口する内壁に使用済みのプロセスガスを排気する流路が形成されている。プロセスガスは、基板２３の上方に集中したあと、流路を通ってチャンバ１２の下方に吸引される。 （もっと読む）