【課題】ガス穴部での異常放電を抑制することにより、異常放電によって起こる試料台の損傷を防止し、装置の信頼性及び安定性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、被処理体が載置され内部に被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、被処理体を試料台に静電吸着する静電吸着電源と、試料台内に被処理体と試料台との間に被処理体の温度を制御するための伝熱ガスを供給する複数のガス穴部とを有するプラズマ処理装置において、ガス穴部は、誘電体からなるボス，スリーブ及び複数の細管を有し、複数の細管は、ガス穴部の中心から外側に向かって半径の１０％以上５０％以下の範囲に配置させた。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。高周波誘導アンテナとプラズマ間の容量結合を遮断し誘導結合させるファラデーシールド９には、位相検出器４７−２による監視の基に、位相制御器４４から制御を受けたファラデーシールド用高周波電源４５からの出力が整合器４６を介して電源供給される。複数のフィルター４９が、ファラデーシールド９を異なる箇所で高周波電圧をグラウンドに短絡させており、発生するプラズマ生成用高周波と同一周波数を持つ不均一な電圧分布の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェットクリーニング後のシーズニングにかかる時間を短縮し、かつ、再現性よく最適なシーズニング処理終了判定が可能なプラズマ処理装置のシーズニング終了判定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のウェットクリーニング（Ｓ５０１）後、処理ガスにＳＦ６を含む処理ガスを使用し、量産条件の２倍のＲＦバイアスを印加してシーズニング（Ｓ５０２）し、ＳｉＦとＡｒガスを用いた検査条件でプラズマ処理中のＳｉＦおよびＡｒ発光データを取得し（Ｓ５０３）、シーズニング中の発光強度の演算値が量産安定時の発光強度の演算値以下であるか否かを判断し（Ｓ５０４）、判断が以下であるときにシーズニング処理の終了を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７−１〜７−４、７’−１〜７’−４）設け、それぞれのアンテナの組の高周波誘導アンテナ素子７−１〜７−４、７’−１〜７’−４に供給する電流の位相を、対応する素子で同位相に制御して、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止するとともに、容易に製造することができる載置台を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２と、ウエハＷ及び誘電体層２１の間に配される導電膜４５とを有し、該静電チャック２２は電極膜３７を有し、導電膜４５は条件「δ_１／ｚ_１≧８５」及び条件「ρ_ｓ１≦２．６７×１０^５Ω／□」を満たし、電極膜３７は条件「δ_２／ｚ_２≧８５」を満たす。但し、ｚ_１：導電膜４５の厚さ、δ_１：導電膜４５のスキンデプス、ρ_ｓ１：導電膜４５の表面抵抗率、ｚ_２：電極膜３７の厚さ、δ_２：電極膜３７のスキンデプス。 （もっと読む）

【課題】ウエハ温度を短時間で変化させる場合においてもウエハ温度を均一に保持することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室内に配置された試料台と、前記真空処理室に処理ガスを導入するガス導入手段を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、基材の上部に配置され試料が載置される前記基材上面を加熱するヒータ２０４と、前記基材の上面の外周側であって前記基材の側面に沿って配置され前記ヒータと接続して電力を供給する給電路２０９を有する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の向上したプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置またはその運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給する。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】減圧可能な処理室１０２内に設けられた載置台に対向するように，板状絶縁部材で構成した天井壁１０５を介して誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ１０６と環状の上部移動磁場形成部３００とを設けた。上部移動磁場形成部３００は，プラズマ生成空間の上部に，下方に向かって上方に戻る経路を形成する複数の磁力線が周方向に回転する移動磁場を形成する。これにより，高周波アンテナ１０６により形成された誘導結合プラズマの電子をプラズマ生成空間内に閉じ込めることができるので，プラズマの電子温度の上昇を抑えながら，プラズマ電子密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。エッチングガスには、Ｃｌ₂ガスおよびＯ₂ガスを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】処理容器の温度上昇を抑制する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、下側容器１２の内側表面にリフレクタ４２を設置する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をリフレクタによって反射することにより、下側容器の温度上昇を抑制できる。 （もっと読む）