【課題】マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、真空チャンバ１内に設けた基板電極６に対向して電位的に浮遊状態に維持された浮遊電極を設け、この浮遊電極の基板電極に対向した側に、エッチング保護膜を形成する材料１３を設け、浮遊電極に高周波電力を間欠的に印加させる制御手段１４を設けて構成される。エッチング方法は、基板電極に対向して設けた浮遊電極の基板電極に対向した側に設けた、エッチング保護膜を形成する材料をターゲット材として用い、主ガスとして希ガスのみを用い、浮遊電極に高周波電力を印加して基板上にスパッタ膜を形成し、その後、浮遊電極への高周波電力の印加を止め、真空チャンバにエッチングガスを導入して基板をエッチングし、基板上におけるスパッタ膜の形成とエッチングとを予定のシーケンスで繰り返すように構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。透過型電極体は、透過型電極層を少なくとも構成要素の一部としており。透過型電極層には、細長形状のスロット開口領域が稠密に形成されている。この透過型電極体はRFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞い、プラズマ特性およびプラズマ処理特性の高安定化、高信頼性化を実現する。 （もっと読む）

【課題】３次元トランジスタ構造のＰolyシリコンゲート側壁の窒素含有シリコン膜をシリコン基板削れを抑制しつつ、所望の形状に加工する方法を提供する。
【解決手段】３次元トランジスタ構造上の窒素含有シリコン膜をプラズマエッチングするために、堆積性の高いガスでエッチングする第１ステップと、堆積成分を除去する第２ステップとを有し、前記第１ステップと前記第２ステップを交互に繰り返すことにより、Ｐolyシリコンゲート電極３１の側壁にのみ窒素含有シリコン膜３４を残し、かつ、シリコン基板３３の削れを抑制するようにエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０は、線状のアンテナ導体１３と、アンテナ導体１３の周囲に設けられた誘電体製保護管１４と、誘電体製保護管１４の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体１３の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管１４を少なくとも１箇所覆うと共に少なくとも１個の開口１５３を有する堆積物シールド１５とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも１箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。
【解決手段】反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の凸分布傾向を改善したマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の伝送系が円形導波管を用いて構成され、電磁波供給機構が該円形導波管に接続された略円柱状の空洞部からなり、該空洞部にリッジ３０１を設けること、あるいは、リッジ３０１とテーパ導波管４０１を併用することでマイクロ波の中心集中傾向を改善する。 （もっと読む）

【課題】製造されるデバイスにおける閾値のバラツキを抑制する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室内に処理ガスを供給し、さらに該処理室内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成し前記処理室内の試料載置電極上に配置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該試料載置電極は、温度調節された冷媒を通流させるための冷媒溝を備えた基材部２０２と、該基材部の試料を載置する面に同心状に複数配置されたヒータ用抵抗体２０３、および静電吸着用電極２２２，２２３を備え、前記前記同心状に配置された複数のヒータ用抵抗体のうち中央部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスを周縁部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスよりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ化して基板上の被エッチング膜をドライエッチングするにあたり、基板に対して均一性高くエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を搬入して載置台に載置する工程と、少なくとも表面部の主成分が基板の被エッチング膜の主成分と同じ材質であるリング部材を基板を囲むように配置した状態で、基板に対向するガス供給部から処理ガスをシャワー状に吐出すると共に処理ガスをプラズマ化して被エッチング膜をエッチングする工程と、前記処理容器内を排気路を介して真空引きする工程と、を含むようにエッチングを行う。それによって基板の周端部付近におけるプラズマの活性種の分布の偏りを抑える。 （もっと読む）

【課題】安定して高周波の電界強度を制御する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器内に第１の電極を設け、前記処理容器内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによって被処理体に所望のプラズマ処理を施す。プラズマ処理装置の第１の電極は、所望の誘電体から形成された上部基材１０５ａに、該基材と同じ材質の誘電体２０５を嵌め込み、上部基材１０５ａと誘電体２０５との間を導電性接着層２１０ａにより接着固定させる。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。 （もっと読む）

【課題】筒状をなす真空容器の内表面において、プラズマ処理の実施に伴う付着物の堆積を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
プラズマエッチング装置１０は、誘電体円筒部１２を有する真空容器と、この誘電体円筒部１２を軸芯とするコイル状をなして誘電体円筒部１２の外周面との間に隙間を有しつつその外側に配設され、高周波電力が供給されることにより真空容器の内部にプラズマを生成する高周波アンテナ３１とを有する。また、誘電体円筒部１２の外周面に巻き付けられてプラズマにより生成される生成物の該誘電体円筒部１２の内周面への付着を抑える容量結合電極３２を備えている。この容量結合電極３２は、誘電体円筒部１２の中心軸線と平行な方向と誘電体円筒部１２の外周面の周方向とに周期性を有しつつ同誘電体円筒部１２の外周面と高周波アンテナ３１との隙間を外周面に沿って繰り返し横切る周回線路を有する。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】基板面内における堆積度合いのばらつきを効果的に抑制する。
【解決手段】被エッチング膜上に形成された反射防止膜上に，複数の開口部を有するレジストパターンが形成された基板に対して，被エッチング膜をエッチングする前にレジストパターンの各開口部の側壁に堆積物を堆積させるステップを有し，堆積ステップは処理室内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上にし，ＣＨＦ系ガスを１０００ｓｃｃｍ以上導入してプラズマを生起する。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成し、バイアス電力５００〜１０００Ｗの条件で、プラズマエッチングによりホール又はトレンチを形成する際に、ホール又はトレンチの底部周囲にマイクロトレンチを形成し、基板に貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。
【解決手段】真空処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段を備え、前記マイクロ波供給手段の前記処理室へのマイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換する円偏波発生器を備え、該円偏波発生器は、最低次のモードで動作する方形の入力側導波管３０１と、最低次のモードで動作する正多角形または円形の出力側導波管３０６と、偏波面の異なる複数の直線偏波が同時に伝播可能な正多角形または円形の位相調整用導波管３０３を備え、該位相調整用導波管は、偏波面の異なる直線偏波の一方の位相または振幅を調整する調整手段３０４，３０５を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷の影響によって高周波電力の伝送路上で高調波成分が発生し波形歪みが起きた場合においても、安定した静電吸着電圧に制御する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１０５内でウエハを載置する下部電極と、該電極にウエハ１１３を静電吸着させる直流電源１０７と、下部電極に接続された高周波バイアス電源１１０と、上部電極１０３と、該電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源１０１と、下部電極に印加されている高周波電圧Ｖppを検出する高周波電圧Ｖpp検出手段１１９と、を有し、ウエハの静電吸着力を所定範囲に制御するためにＶppを用いて静電吸着用直流電圧を制御するプラズマ処理装置において、高周波電圧Ｖpp検出手段は、Ｖppの基本周波数成分を検出する基本波成分Ｖpp検出手段１１５と、Ｖppの平均値を検出する平均値Ｖpp検出手段１１６と、Ｖppの実効値を検出する実効値Ｖpp検出手段１１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理室内の耐プラズマ壁材を変えず、同材質が並ぶ配置のままでも耐プラズマ壁材温度を測定し温度制御を行ってウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置及び制御方法とする。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられたウェハをプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、処理室上方で前記試料台上面と対向して配置されプラズマを形成するための電界が透過して処理室内に供給される誘電体製の板部材１０３，１０４と、板部材１０３，１０４の内部に配置され板部材１０３，１０４を透過する所定の範囲の電磁波を反射する部材２０２と、部材２０２から放出される電磁波を検知するセンサ１１０と、センサ１１０からの信号に基づいて部材の温度を検出する検出器と、を備え、検出器の検出結果を用いて処理に係る動作を調節する。 （もっと読む）