【課題】シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦLを印加する。そして、自己バイアス電圧の絶対値を２８０Ｖ以下に選び、圧力（mTorr）をｘ、サセプタ１２におけるバイアスＲＦパワー密度（ワット／ｃｍ２）をｙとすると、ｙ＜８ｘ＋１２０の関係が満たされるようにする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、高アスペクト比構造のプラズマエッチングを可能にする方法及び装置を提供する。一実施形態では、エッチングするための方法が提供され、その方法は、シリコン層上に配置されるパターニングされたマスクを有する基板をエッチングリアクタ内に提供するステップと、リアクタに混合ガスを供給するステップと、混合ガスから形成されたプラズマを維持するステップを含み、リアクタに供給されるバイアス電力及びＲＦ電力はパルス化され、方法はプラズマの存在の中でシリコン層をエッチングするステップを更に含む。
（もっと読む）

【課題】シリコン基板のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、マイクロトレンチの防止および垂直形状加工を両立させる。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ（下部電極）１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。そして、チャンバ１０内の圧力を１mTorr〜１００mTorrに選び、圧力（mTorr）をｘ、サセプタ１２に生成される自己バイアス電圧（ボルト）の絶対値をｙとすると、ｙ≧−１．７ｘ＋２９５の関係が満たされるようにする。 （もっと読む）

【課題】シール性の高いセラミックスと、吸着力の強いセラミックを配置することにより、被処理体とのシール性と吸着力を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、被処理体が載置され内部に被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、被処理体を試料台に静電吸着する静電吸着電源と、被処理体と試料台に介在して被処理体を試料台に吸着させるための静電吸着板と、被処理体と静電吸着板との間に被処理体の温度を制御する冷却ガスを供給する手段と、冷却ガスを静電吸着板と被処理体の間に閉じ込めるシール部を有し、このシール部は、耐プラズマ性で表面粗さが小さくシール性の高いセラミックスからなる高シール部と、所定吸着力を維持する比抵抗値を有するセラミックスからなる吸着部で構成される。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さい真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器の内部に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台５０４と、この試料台５０４と前記側壁との間で試料台の側方を囲んで且つ側壁と空間を空けて配置されその内側でプラズマが形成される略円筒形上の内側壁部材５３３と、この内側壁部材５３３の上端部または下端部の周縁に配置されフランジ部と、前記内側壁部材５３３と前記真空容器の側壁との間の空間及び前記内側壁部材の内側を減圧するための排気手段５０８とを備え、前記内側壁部材５３３が前記真空容器内が減圧された状態でその上端部及び下端部がそれに接した部材から力を受けてその位置が前記真空容器の内側で固定されるとともに、前記フランジ部が前記力を受けて前記内側壁部材５３３の内側と外側とを封止するシールを挟んで押圧されるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体をエッチングにより加工して高アスペクト比の微細構造を高精度に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムおよびリンを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０上にエッチングマスク１１ｐを形成する工程と、エッチングマスク１１ｐの形成後、プラズマエッチング装置のチャンバ内に配置された被加工物１０の上に、ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分からなる混合ガスを導入しこの混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物１０に入射させて被加工物１０を選択的にエッチングする工程とを含む。ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分の総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比が７０％以上である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

フィールド強化型誘導結合プラズマリアクタ及びその利用法の実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、フィールド強化型誘導結合プラズマ処理システムは、誘電性の蓋及び誘電性の蓋の上方に配置されるプラズマ源アセンブリを有するプロセスチャンバを含んでもよい。プラズマ源アセンブリは、プロセスチャンバ内にプラズマを形成して維持するためのＲＦ電力をプロセスチャンバ内に誘導結合するために構成される１以上のコイルと、プロセスチャンバ内にプラズマを形成するためのＲＦ電力をプロセスチャンバ内に容量結合するために構成され、１以上のコイルのうちの１つに電気的に結合される１以上の電極と、１以上の誘導コイル及び１以上の電極に結合されるＲＦジェネレータとを含む。いくつかの実施形態では、ヒーター要素は誘電性の蓋とプラズマ源アセンブリの間に配置されてもよい。
（もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。
【解決手段】減圧処理室２０４と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内に、半導体基板を載置して保持する試料台２０５と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、生成したプラズマにより前記半導体基板にプラズマエッチング処理を施す半導体加工方法において、前記試料台上に、ＨｆあるいはＺｒを含む高誘電率絶縁膜、ＴｉあるいはＴａを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板２０６を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被加工試料端部でのイオンシースの歪みに伴う加工特性劣化抑制または抑制条件の維持を可能とし、ウエハ端部での良品取得率を向上させ歩留まり向上を可能とする。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング９の内周部近辺に微細孔１０を設け、該微細孔１０底部に電流検出手段１１を配置し、フォーカスリング９に高周波電力分配手段１６介して高周波電力を供給してフォーカスリング９に印加する高周波電力量に応じて変化する電流検出手段１１での検出電流量からイオンシース１８の歪み具合を検出し、さらにそれを補正するようにフォーカスリング９に印加する高周波電力量を制御部２１で判断し制御する。 （もっと読む）

【課題】試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体が載置され内部に前記被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、前記被処理体を前記試料台に静電吸着する静電吸着電源と、前記被処理体と前記試料台との間に前記被処理体の温度を制御するためのガスを供給する手段と、前記試料台に設けられた貫通孔に配置され前記被処理体を昇降させるプッシャピンとを有する真空処理装置であって、前記プッシャピンは、前記被処理体の処理中、前記試料台に密着接触することにより、前記貫通孔を塞ぐと共に、良好な伝熱が得られるように構成される。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを安定して吸着し処理のスループットを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部のプラズマが形成される処理室と、この内側に配置されその上面にウエハを静電吸着に保持する試料台と、この試料台の前記上面配置され前記ウエハを加熱する第一のヒータと、前記試料台内の前記第一のヒータ下方で下方の試料台内部に前記上面の外周側でこれを囲んで配置された第二のヒータと、前記第二のヒータにより前記試料台下部の温度が中央側より外周側が高くなるように前記第二ヒータの動作を調節する調節器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバーに絶縁領域を具備せずにプラズマチャンバーを堅固かつ簡便に構成することができ、エネルギーの伝達効率を高めて大容量のプラズマを安定的に発生することができる内蔵変圧器を有するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】ガス入口４１２とガス出口４１４を有してプラズマ放電空間を提供するプラズマチャンバー４００と、上記プラズマ放電空間でコア保存空間４２７を提供し、貫通口４２４を具備してプラズマ集中４５０及び非集中チャンネル４５２を形成するコアシリンダジャケット４２０と、一次巻線を有して貫通口４２４を覆うようにコア保存空間４２７に設置されるマグネチックコア４３２を具備する変圧器４３０を含み、上記プラズマ放電空間は、プラズマ集中チャンネル４５０を形成するための第1空間領域４４０と、プラズマ非集中チャンネル４５２を形成するための第2空間領域４４６を含む。 （もっと読む）

【課題】 高密度のプラズマを安定的に供給可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な真空容器１０と、真空容器１０に設けられた誘電体２０とを備え、誘電体２０を介して真空容器１０内に電磁波を導入することによりプラズマを生成するプラズマ発生装置１であって、誘電体２０は、環状に形成され、真空容器１０の内壁に埋設される外周側の埋設部２０ａと、真空容器１０内に露出する内周側の露出部２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。トレー３２の周縁は、クランプ機構３３によってステージ２６に保持される。基板Ｗは、当該基板Ｗとステージ２６の間に静電力を発生させることで、トレー３２上に保持される。トレー３２は、当該トレー３２に冷却ガスを接触させることで冷却される。基板Ｗは、真空チャンバ内にプラズマを発生させることでエッチングされる。 （もっと読む）