【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。
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半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタが、チャンバを画成する側壁およびオーバーヘッド天井と、半導体ワークピースを支持するための天井と対面する作業面を有するチャンバ内のワークピース支持カソードと、プロセスガスをチャンバに導入するためのプロセスガス入口と、バイアスパワー周波数を有するＲＦバイアスパワー発生器とを含む。作業面には、バイアスパワー供給点があり、ＲＦバイアスパワー発生器と作業面にあるバイアスパワー供給点との間には、ＲＦ導体が接続される。誘電スリーブが、ＲＦ導体の部分を取り囲み、このスリーブは、ＲＦ導体に沿った軸方向の長さと、ＲＦ導体に沿った誘電率および軸方向の位置と、作業面にわたってプラズマイオン密度の均一性を高めるリアクタンスをスリーブが与えるようなスリーブの長さ、誘電率、および位置とを有する。更なる態様によれば、リアクタは、ワークピースの周囲に対応する内径を有する環状のＲＦ結合リングを含むことができ、ＲＦ結合リングは、作業面とオーバーヘッド電極との間の距離の十分な部分を延長して、ワークピースの周囲付近のプラズマイオン密度を高める。 （もっと読む）

【課題】 印加高周波電場が互いに干渉することなく、高密度のプラズマを形成することができ、また、対向電極に所定の値の高周波電圧を印加することができ、マスクの耐性を向上させると共に、良好なエッチ速度を達成することが可能な、簡単な構造を有する安価なエッチング装置の提供。
【解決手段】 基板電極と対向する位置に浮遊電極を設け、高周波電源からプラズマ発生用高周波アンテナコイルへ至る給電路の途中に分岐路を設けて、対向電極にコンデンサーを介して分岐した高周波電力を印加するように構成し、さらに、浮遊電極に印加される高周波電圧を一定に制御する機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】 処理室１と、処理室に処理ガスを供給する手段１３〜１４と、処理室１を減圧する真空排気手段２５，２６と、ウェハ等の被処理体２を載置する電極４と、電磁波放射電源５Ａとを有するプラズマ処理装置において、Ｏ_２あるいはＮ_２の組成比が異なる少なくとも２種類の処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入することによって、加工深さの面内均一性を保ったままＣＤ寸法の面内均一性を制御できるようにする。 （もっと読む）

本発明によるプラズマ処理装置には、アノードとカソードとが含まれる。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。弱電離プラズマの近傍に磁場を生成するように、磁石が配置される。その磁場は、カソードの近傍の弱電離プラズマ内の電子を実質的に閉じ込める。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を作り出す。その電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。その二次電子は励起原子を電離し、それにより、強電離プラズマを生成する。電圧源は、カソードの近傍に配置される基板にバイアス電圧を印加し、それにより、基板の表面のエッチングを引き起こすように、イオンの一部が基板の表面に衝突する。
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【課題】 ウェハ全面に亘って均一な食刻を行うことができる半導体食刻装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバー内でウェハを安着させる静電チャック１１０の外周縁上端部に段差を有するように形成されたリング安置部１１１に静電チャック１１０のエッジ部食刻を防止するためのエッジリング１２０を備える半導体食刻装置において、リング安置部１１１の垂直面１１２高さよりも厚い外側部１２１、及び外側部１２１の内周面からリング安置部１１１の垂直面１１２に近接するように突出し、上端部と下端部は外側部１２１の内周面上端部と下端部から同一な高さで下向及び上向の段差を有する内側部１２２からなるエッジリング部材１２０と、リング安置部１１１の水平面１１３に安着してエッジリング部材１２０の内側部１２２の底面を支持し、外側部１２１と内側部１２２の各段差に対応する厚さを有するリング形状のスペーサー部材１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生手段が小型であって安価になり低価格のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 永久磁石装置６が与える磁場の元で媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマを被処理体の表面処理に用いるプラズマ処理装置であって、永久磁石装置６は、一方の永久磁石１５を磁性体製の一方の磁石保持ケース１３に吸着収容した一方の磁気ユニット１１と、他方の永久磁石１５―１を磁性体製の他方の磁石保持ケース１３に吸着収容した他方の磁気ユニット１２とを有し、一方の磁石保持ケース１３と他方の磁石保持ケース１３とを、それぞれの合せ目１３ａにおいて磁気保持回路（磁気誘導回路）を構成するように磁気吸着させて枠体Ａを構成し、一方の永久磁石１５と他方の永久磁石１５―１との磁極間において磁界を発生することで磁場を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチング装置において、真空容器壁のスパッタで生じる被加工試料への汚染や異物発生の抑制および真空容器壁交換に伴うランニングコスト増加や稼働率低下を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
平行平板構造のドライエッチング装置において、被加工試料４と対向する位置に配置され、放電生成用高周波電源２が接続される放電生成用電極１に、放電生成用高周波電源２の周波数に対して高インピーダンスで、かつ直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタを３接続するか、または直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタ３とそれに直列に挿入された直流電源を接続する構成とする。 （もっと読む）

半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体を支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバ、チャンバ壁の一部を有する電極、オーバヘッド電極に発生器の周波数で電力を供給し、所望のプラズマイオン密度のレベルでチャンバ内にプラズマを維持することができるＲＦ電力発生器を有する。オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマは、共に電極−プラズマ共振周波数で共振し、発生器の周波数は、電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くである。リアクタは、更に、プラズマの密度分布の均一性を向上するために、プラズマを掻き回す円形磁界を改善するために、ゆっくりした回転磁界を生成する、ウエハ表面上のプラズマ生成領域の周りにＭＥＲＩＥ磁石の組を有する。
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本発明は、プラズマ源に関するものであって、第１幅を有しているとともに、頂部と壁部とを備えて構成された、放電キャビティと；頂部に配置され、かつ、頂部から外向きに延出されているとともに、頂部を貫通しかつ放電キャビティ内にまで延出されている開口が形成された、ノズルであり、開口が第２幅を有し、この第２幅が第１幅よりも小さなものとされた、ノズルと；を具備している。プラズマ源は、さらに、電源と；放電キャビティ内にイオン化可能ガスを導入し得るよう放電キャビティ内に配置された導管と；電源に対して接続されたカソード電極と；を具備し、カソード電極は、放電キャビティ内において、少なくとも１つのマグネトロン放電領域を支持することができる。プラズマ源は、さらに、壁部に隣接して配置された複数の磁石であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成するものとされた、複数の磁石を具備している。
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本発明は、中性粒子ビーム処理装置に関するものである。より詳細には、本発明はプラズマ放電を通じて処理ガスをプラズマに転換させるプラズマ放電空間、プラズマイオンと衝突して前記プラズマイオンを中性粒子に変換させる重金属板、プラズマイオン及び電子の通過は妨害して前記重金属板と前記プラズマイオンの衝突によって生成された中性粒子は通過させるプラズマリミッター及び表面処理を要する基板を収納する処理室含む。ここで、前記プラズマ放電空間は前記重金属板と前記プラズマリミッターの間にサンドイッチされたことを特徴とする中性粒子ビーム処理装置に関するものである。
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【課題】基板を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバが提供される。基板支持部が前記チャンバ壁内に提供される。少なくとも１つの閉じ込めリングが提供され、前記閉じ込めリングおよび前記基板支持部はプラズマ空間を定義する。前記少なくとも１つの閉じ込めリングによって提供される物理的閉じ込めを磁気的に向上させる磁界を発生する磁界源が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）