【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本処理時間に対する準備時間を短縮し生産効率を向上させる。
【解決手段】ＭＭＴ装置２００はウエハＷに処理を施す処理室２０１と、処理室２０１内に設置されウエハＷに処理を施す処理ステージＳ２ステージとウエハＷを授受する授受ステージＳ１とを移動するサセプタ２１７と、授受ステージＳ１に対向した処理室２０１の開口を開閉するゲートバルブ２４４と、サセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉を制御するコントローラ１２１を備えている。コントローラ１２１はサセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉とを並行処理させる。サセプタの移動とゲートバルブの開閉を並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板処理に関する。
【解決手段】 本発明は、多層処理シーケンス、多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いた基板処理方法を供する。当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化を招くことがなく、被処理物の全面に亘って均一に垂直磁場が印加されるようにした簡単な構造のＲＩＥ装置を提供する。
【解決手段】 処理室２内で被処理物の保持を可能とするステージ８と、処理室内でステージに対向配置されたガス導入部３を有するガス導入手段とを備え、真空雰囲気にて処理室内にエッチングガスを導入してプラズマ化すると共に、ステージに高周波電位を印加し、プラズマ中のイオン種やラジカルを前記基板ステージで保持された被処理物Ｓに加速して衝突させ、被処理物をエッチングする反応性イオンエッチング装置であって、ステージで保持された被処理基板に対して垂直磁場を印加する磁場発生手段を設けたものにおいて、磁場発生手段は、処理室内で相互に向かい合う面の極性を変えて対向配置した一対の磁石９ａ、９ｂから構成される。 （もっと読む）

【課題】高周波バイアス電力の伝送路中のインピーダンス整合器の動作の安定性を向上し、処理の安定性を図ることのできるプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】基板電極用高周波バイアス電源１１０と前記基板電極間の伝送路に挿入されたインピーダンス自動整合器１１６を備え、該インピーダンス自動整合器は、前記高周波バイアス電源からみた前記伝送路のインピーダンスあるいは位相を測定するＲＦセンサ２０１の出力をもとに前記整合器を構成するインピーダンス素子２０７，２０８を調整する制御装置２０３と、制御に際して前記ＲＦセンサ出力のオフセットを補正するオフセット補正部を備え、該オフセット補正部は、前記整合器に入力される入力電力の大きさを多段階に分け、多段階に分けられた入力電力毎に予め前記オフセットの補正値を設定した記憶装置を備え、該記憶装置に設定された補正値にしたがって前記ＲＦセンサの出力のオフセットを補正する。 （もっと読む）

【課題】分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。
【解決手段】所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。所定の実施形態において、エッチャントガス混合物はＣＯＳとＯ_２の２つの成分しか含まないが、その他の実施形態では分子窒素（Ｎ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ_２）の少なくとも１つ等の追加のガスを更に用いて炭素質層をエッチングしてもよい。 （もっと読む）

【課題】メタンガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生じたプラズマを用いるプラズマ処理において発生した付着物を確実に除去することができる付着物除去方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１２によって高周波電圧が印加される反応室１７内において、１ロットに含まれる複数の半導体ウエハＷへ、メタンガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生じたプラズマを用いて連続的にプラズマエッチング処理を施した後、さらに反応室１７内において、酸素ガス及びＣＨＦ_３ガスを含む混合ガスからＣＦｘ^＋イオンやＯ⁻イオン、並びにＨ^＊ラジカル、Ｆ^＊ラジカルやＯ^＊ラジカルを発生させる。 （もっと読む）

【課題】ガスシャワーヘッドまたはターゲットから高周波または直流電極への熱伝導性とガスシャワーヘッド下方のガス分布とを改善できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、反応室と、金属で形成され、反応室内にプラズマを発生させるために高周波または直流の電力を印加するための上部電極１１と、上部電極に固定されるガスシャワーヘッドまたはターゲットプレートと、上部電極の下面部内に設けられ、複数の分れた磁石４２と、そしてガスシャワーヘッドまたはターゲットプレート１５の上面に接合され、複数の分かれた磁石４３と、強磁性金属で作られる金属シート４４と、を有するシート状磁気アセンブリ２２と、を備え、上部電極１１内の磁石４２とガスシャワーヘッドまたはターゲットプレート１５上の磁石４３が互いの間に引力が生じるように配置される。 （もっと読む）

【課題】
異物の発生を抑制して処理の歩留まりを向上したエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器内部の処理室内に配置された試料をプラズマを用いてエッチング処理するエッチング処理装置であって、前記処理室の内側に配置された部材と、所定の材料が溶射されて形成され前記部材の表面を覆って前記プラズマに面する被膜であって、その表面が前記材料と同じ材料を用いて封孔された被膜を備えた。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導波管の開口に放電管７が装着される。放電管の導波管から外側に露出する部分にスリット８が形成される。導波管に、放電管を取り囲むブロック９が取り付けられる。ブロックは、プラズマ生成室１０、第１の通路１１および第２の通路１２を有する。第１の通路の開口に放電管が収容され、第２の通路の開口はウエハー挿入口１２ａをなす。ブロックは、ガス供給管路１３およびガス排出管路１４を有する。ブロックの前方にターンテーブル１７が配置される。ターンテーブルの上に置かれたウエハー１６を被覆する被覆プレート２８と、被覆プレートを上下に移動させるアクチュエータ２３が備えられる。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】
処理室壁面の損傷を少なくし、長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器内の処理室内に配置された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、この処理室内に配置されて前記プラズマに面しイットリウムを０.０５乃至０.５重量％またはアルミニウムを０.１乃至１重量％含む石英から構成された処理室内部材を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１にプラズマ処理を施すＭＭＴ装置１０は、気密性を確保した処理室１４でウエハ１を保持するサセプタ２１と、処理室１４にプラズマを生成する筒状電極１５および筒状磁石１９と、処理ガスＧを処理室１４内に供給するガス供給管３３やバルブ３４およびＭＦＣ３５と、バルブ３４およびＭＦＣ３５を信号線Ｅを通じて制御するコントローラ４１と、サセプタ２１の周縁部を覆う周辺カバー５０とを備えている。ガスの流量によって２つ以上の異なるプラズマ状態を選択することにより、プラズマ状態を制御し、所望の膜厚および均一に成膜する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の寸法が大きくなったとき、処理対象物の表面における電子温度分布が不均一になることを防止するプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】リング状放電用電極１５と、真空容器１１内部に磁界を形成し、この磁界と放電用電極１５に放電用電力を供給して得られる高周波電界とにより真空容器１１周辺部でプラズマを生成する永久磁石２７，２８と、真空容器１１と同軸的に設け、かつ放電用電極１５近傍で放電用電極１５内側を覆うことで真空容器内部領域をその中心軸に垂直な方向にプラズマ生成領域Ｒ１とプラズマ拡散領域Ｒ２とに分割するように設けられた領域分割部３０とを備え、領域分割部３０は複数の電子通過孔を有するとともに放電用電極１５と対向配設されるグリッドと、前記グリッドを真空容器１１に固定するための仕切板を有し、前記グリッド及び前記仕切板は同電位かつ零電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、静電吸着用電圧を印加することによりプラズマの着火性を向上させる。
【解決手段】真空処理室１１５と、該真空処理室内に配置され試料台１０１と、前記真空処理室内に高周波電力を供給してプラズマを生成するアンテナ電極１０５を備え、前記生成されたプラズマにより前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台１０１は、試料載置面に絶縁された静電吸着用の電極を備え、前記アンテナ電極に高周波電力を供給してプラズマを生成させる前の所定期間に、前記静電吸着用の電極に所定の直流電圧を供給して充電してプラズマの着火性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】自己バイアスを最適化することが可能な自己バイアス制御システムを提供する。
【解決手段】プラズマ生成室４０の外周を囲む複数の空芯コイル（３０、３２）と、プラズマ生成室４０にマイクロ波を供給するマイクロ波発生器４２と、複数の空芯コイルのそれぞれに電流を供給して電子サイクロトロン共鳴を生じさせる電源１４と、プラズマ生成室４０に隣接する位置に設けられた試料台５２表面の電位を検出する検出器１２と、複数の空芯コイルのそれぞれに供給する電流から磁束密度曲線を計算し、試料台５２表面に生じる自己バイアス電位を計算する計算モジュール２０と、自己バイアスの計算値が予め定められた自己バイアスの許容範囲となるように複数の空芯コイルのそれぞれの電流を設定する設定モジュール２２と、検出器１２により検出された電位の測定値を許容範囲と比較する判定モジュール２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
処理対象の試料の異物による汚染の発生を抑制して処理の効率を向上させた真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】
減圧された内部で基板状の被処理物が処理される処理室と、被処理物を処理装置内に搬入または搬出する導入室と、内部が減圧されて前記処理室と導入室との間で前記被処理物を受渡しする搬送室とを備えた真空処理装置であって、前記搬送室と前記処理室との間に配置された中間室と、前記搬送室，中間室，処理室の各々の間に配置され内部に前記被処理物が搬送される開口を有した接続部と、これら接続部の各々の前記開口を気密に開閉する弁と、前記中間室の圧力を前記搬送室及び処理室とは独立に調節可能な圧力調節手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の最外周の特性補正を有効に行うことができるガス供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理条件に応じてプラズマの周辺領域の分布を容易に制御する。
【解決手段】上部電極の周囲を囲むように固定して設けられた環状コア３１０と，環状コアの下面に突出して形成された複数のティース部３１２と，これらティース部間に下方に向かって上方に戻る経路を形成する磁力線が環状コアの周方向全周に亘って複数発生するように巻回した複数の巻線からなるコイル３２０とを有する移動磁場形成部３００と，コイルの各巻線にそれぞれ位相の異なる交流電流を流して磁力線を時間的に変化させることで周方向に回転する移動磁場を形成するための磁場形成用電源とを備え，ウエハの処理条件に応じて磁場形成用電源からの交流電流を制御することにより移動磁場を制御する。 （もっと読む）

【課題】大面積にわたって均一なプラズマ密度を有する高密度プラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置はプラズマ源と基板ホルダ１５を含む反応容器１０によって構成される。反応容器はトッププレート１１とボトムプレート１３と円筒型側壁１２とにより構成される。基板ホルダはボトムプレートに設けられる。複数のマグネット２１が、碁盤目状に複数連なる四角形の各角部に対応する位置に、トッププレートに分離して配置される。反応容器の内部に向かう各四角形の辺方向に隣接するマグネットの極性が反対の極性となっており、マグネットはトッププレートの内面の近くにカスプ磁界を生成する。この構成は１つまたは２つの電力供給のシステムに応用される。 （もっと読む）