プラズマチャンバ内のイオンエネルギーを調整するためのシステム、方法、および装置を開示する。例示的システムは、イオンエネルギー制御部分を含み、イオンエネルギー制御部分は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を示す、少なくとも１つのイオンエネルギー設定に応答して、少なくとも１つのイオンエネルギー制御信号を提供する。コントローラは、スイッチモード電源に結合され、コントローラは、少なくとも２つの駆動制御信号を提供する。加えて、スイッチモード電源は、基板支持部、イオンエネルギー制御部分、およびコントローラに結合される。スイッチモード電源は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を生じさせるように、駆動信号およびイオンエネルギー制御信号に応答して、基板に電力を印加するように構成される、スイッチング構成要素を含む。
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【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、疎部および密部を有するパターンを表面に形成した試料をエッチングするドライエッチング方法において、パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速いＣＦ系ガスと窒素ガスを含むエッチングガスを用いた第１のエッチングステップと、パターンの密部のエッチング速度に比べてパターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップとを用いる。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜２上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト４を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる２種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。加熱用電極１３５の内部には、往路及び復路のコイル１３５ａ１、１３５ａ２が載置台１１０ａの外周に沿って互いに近接して配線されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の装置の構成では、エッチング工程の終点を示すのに緩慢な反応を示す場合があり、終点の検出が困難であった。
【解決手段】本発明の、ワークピースを化学的にエッチングする装置１０は、プロセスガスを受け入れて排気ガスを抜き出すポンピングポート１６を有するチャンバ１１と、ポンピングポート１６の上流側においてチャンバ１１内に配置されるワークピース支持部１２と、を備える。チャンバ１１は、さらに、ポンピングポートの上流側且つワークピース支持部の下流側に配置されるサブチャンバ１５を備え、サブチャンバ１５は、窓部１９と、その窓部に近接した励起源であって、排気ガスの標本にプラズマを発生させて窓部１９を通じて監視可能な光学的発光を発生させる励起源とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する悪影響を抑制でき、かつ、十分にプラズマを閉じ込めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加される一対の電極５４、５６間にプラズマ化されるガスが供給されると共に、一方の電極５４の表面に沿って基板２が配置される。電極５４、５６間から排出されるガスの流路にプラズマ閉込部６５を備え、プラズマ閉込部６５は、表面にＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎがガスの流れＡと交差する方向に一列に交互に配置された磁石部６０を一対有し、一対の磁石部６０はＳ極５８ＳとＮ極５８Ｎとが互いに対向し、かつ、一対の磁石部６０間にガスが流れるように対向配置されている。プラズマ閉込部６５は、さらに、一方の磁石部６０のＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎの境界部と、他方の磁石部６０のＳ極５８Ｓ及びＮ極５８Ｎの境界部との間に、ガスの流通を妨げるブロック５９を有する。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する装置であって、複数の電極３１を電極３１の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極３１の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材３５を配置する。各電極端支持部材３５にて、各電極３１の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】加工による透磁率の低下、焼鈍による強度低下および歪発生を抑制し磁性体としての特性向上を図ることのできるヨークを持つプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】静磁場発生装置１１５は、筒状の真空処理室の外側面に円周方向に巻回された第１の励磁コイル２０３と、真空処理室の上面に円周方向に巻回された第２の励磁コイル２０２と、第１の励磁コイル２０３の外周、第１および第２の励磁コイル２０３，２０２の上面、並びに第２の励磁コイル２０２の内周を覆うヨーク２０４を備え、第２の励磁コイル２０２の内周を覆うヨーク２０４ａは、第１の励磁コイル２０３の外周、第１および第２の励磁コイル２０３，２０２の上面を覆うヨーク２０４ｂに分割可能に接合されるとともに焼鈍処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して安定なプラズマ処理を実施することにより処理室内からの微細粒径の異物の発塵を低減し、半導体素子の生産効率を向上する。
【解決手段】処理ガスを導入するガス導入装置を備えた真空処理室と、該真空処理室内に配置され、導入された処理ガスにマイクロ波エネルギを供給してプラズマを生成するマイクロ波電源と、前記真空処理室内に配置された試料台を備え、前記試料台に高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを吸引して前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記マイクロ波のエネルギとしてプラズマが着火可能なエネルギである８ないし２００Ｗの低電力を供給して前記真空処理室内にプラズマを生成する第１のステップと、前記プラズマの生成確認後に、前記マイクロ波の電力としてプラズマを安定に生成してプラズマ処理可能な通常値を供給してプラズマを生成する第２のステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】ガス穴部での異常放電を抑制することにより、異常放電によって起こる試料台の損傷を防止し、装置の信頼性及び安定性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、被処理体が載置され内部に被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、被処理体を試料台に静電吸着する静電吸着電源と、試料台内に被処理体と試料台との間に被処理体の温度を制御するための伝熱ガスを供給する複数のガス穴部とを有するプラズマ処理装置において、ガス穴部は、誘電体からなるボス，スリーブ及び複数の細管を有し、複数の細管は、ガス穴部の中心から外側に向かって半径の１０％以上５０％以下の範囲に配置させた。 （もっと読む）