【課題】プラズマ処理装置の処理室内の耐プラズマ壁材を変えず、同材質が並ぶ配置のままでも耐プラズマ壁材温度を測定し温度制御を行ってウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置及び制御方法とする。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられたウェハをプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、処理室上方で前記試料台上面と対向して配置されプラズマを形成するための電界が透過して処理室内に供給される誘電体製の板部材１０３，１０４と、板部材１０３，１０４の内部に配置され板部材１０３，１０４を透過する所定の範囲の電磁波を反射する部材２０２と、部材２０２から放出される電磁波を検知するセンサ１１０と、センサ１１０からの信号に基づいて部材の温度を検出する検出器と、を備え、検出器の検出結果を用いて処理に係る動作を調節する。 （もっと読む）

【課題】多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。
【解決手段】被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。また、多孔構造の透過窓１０８にイットリアを主成分とする部材を用いることにより、装置構成部材の温度上昇を招いたとしても、前記多孔構造の透過窓と前記透過窓に付着したエッチング反応生成物の線膨張係数をほぼ一致させる。 （もっと読む）

【課題】減圧下であっても広範囲の圧力で放電し、効率良く一様に処理できる板状陰極表面処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に設けられた陰極機構３０、陰極機構３０内の板状陰極３６、板状陰極３６の放電にさらされる面の反対側に磁気機構４０を配し、磁気機構４０により板状陰極３６の放電にさらされる面の一端から出て他端に入る磁力線４１１を発生させ、陰極表面上にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、板状陰極３６に電力を供給して表面にある磁界４１１と少くとも直交する成分を有する電界４２０を発生する手段、放電空間の圧力をガス導入系と排気系により調整することの出来る板状陰極放電を利用する表面処理装置であって、磁気機構４０が磁力線の遠回り手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。この透過型電極体は、放電形成用電磁波にとっては誘電体（電気的絶縁体）のように振る舞い、RFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞う特性を有している。 （もっと読む）

【課題】所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を低コストで提供する。
【解決手段】真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体１と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路４Ａ，４Ｂを備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器内にエッチングガスを用いたプラズマを発生させて基板電極にバイアス電力を供給することにより基板の表面に凹部を形成するエッチング工程Ｓ１と、ターゲット電極に高周波電力を供給してフッ素樹脂ターゲットをスパッタすることにより基板に形成された凹部の側壁に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２とを繰り返すドライエッチング装置及びドライエッチング方法であって、保護膜形成工程Ｓ２では、フッ素樹脂ターゲットをスパッタしつつ、真空容器内に塩素、臭素、ヨウ素からなる群から選択された一つのハロゲン元素を含む反応ガスを供給することにより、フッ素樹脂ターゲットの構成材料と選択されたハロゲン元素とが含まれるかたちで保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるシャワープレート電極の構成とガス孔の配置を、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔１８５が設けられた上側部材１８２と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔１８４が設けられた下側部材１８１と、中間部材１８３と、からなる構成とし、前記ガス通路孔１８５は前記ガス吐出孔１８４より大径で、１つの前記ガス通路孔１８５に対して複数の前記ガス吐出孔１８４が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔１８５の外周より外側に前記ガス吐出孔１８４が配置されるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓをエッチングするドライエッチングを複数回行うことによって同基板Ｓの厚さ方向に段差を形成するデバイスを製造するに際し、凹部Ｓ２用マスクＥＭ２を用いて基板Ｓに第２の凹部Ｓ２を形成し、この凹部Ｓ２及び該凹部に隣接した段差形成部Ｓ３を露出させる段差用マスクＥＭ１を用いて第２の凹部Ｓ２及び段差形成部Ｓ３をエッチングして、第２の凹部Ｓ２と段差形成部Ｓ３とで段差Ｓ１を形成する。このとき、段差Ｓ１を形成する工程では、基板Ｓに印加される高周波電圧の電圧振幅を、第２の凹部Ｓ２を形成する工程の電圧振幅よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理用基板載置台、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密に構成された処理室内で被処理基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、該載置台において前記被処理基板を囲むように配される円環状部品と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体と、処理ガスを排気する排気プレートと、前記処理室の外部に設けられ該処理室内に磁場を生成する磁場発生装置とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理室内の構成部材に該処理室内に生成される磁場強度及び／又は磁力線形状を制御する磁場制御手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートガス孔内で生じる異常放電を抑制し、異常放電に伴うプラズマの不安定性や異物の発生を防止する。
【解決手段】プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、シャワープレート背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、導体板の中心部に配置され第三のガス孔が施された絶縁板と、導体板の背面に配置され温度制御機能及びガス分散部を有するアンテナ基材部からなり、シャワープレートと絶縁板との界面には径方向に第一の微小隙間を有し、絶縁板と導体板との界面には径方向に第二の微小隙間を有し、第一のガス孔と第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】被加工試料とプラズマ発生部の相対位置を可変とする下部電極上下駆動機構を有するドライエッチング装置において、高周波のリターン電流が流入して下部電極カバー内側にプラズマが発生する事を防止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジ１５と、真空容器内に設けられ被加工試料１を載置する下部電極２と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構１０と、下部電極が有す接地電位部１３に固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー１４と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー１６とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、接地電位部とベースフランジとを接続する導体１７を有し、導体は下部電極の径方向の中心と第１のカバーとの中間よりも第１のカバー側に配置した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理によるレジストマスクの倒れを防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機材料のマスクを有する試料をプラズマ処理する工程を有する半導体製造方法において、前記プラズマ処理が、フッ素、酸素、窒素のいずれか又は全てを含むガスによりプラズマ処理する第１の工程と、フッ素、酸素、窒素のいずれも含まずに希ガスを含むガスにより前記プラズマ処理する第２の工程を有し、前記第１の工程と前記第２の工程を繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】有機膜および無機膜を備えた積層膜の各膜に対して均一に一貫処理を施す。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給管を備えた真空容器１と、該真空容器内に配置された基板電極３と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されたアンテナ電極７と、前記基板電極とアンテナ電極間の距離を処理雰囲気中で変更可能な電極間距離調整手段を備え、前記アンテナ電極に高周波エネルギを供給して供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成し、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、生成された前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料は有機膜と無機膜を積層した構造を備える絶縁膜構造を具備し、前記有機膜をエッチングするときは、前記無機膜をエッチングするときよりも前記電極間距離を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】
試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室内で試料を吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理装置および真空処理方法において、試料載置面に試料１を支持する凸部を外周部とその内側に離間して設け、押上げピン穴２０６を前記凸部の面内に設け、伝熱ガス供給穴２０５を前記凸部以外に設けて、押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して試料を処理する。 （もっと読む）

【課題】被加工体の中央部から周辺部までの全域に渡って均一にスパッタリングを行うことができ、エロージョンの発生を減少することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１において、カソード電極５と、被加工体１０上に磁界を形成する磁界形成部７と、アノード電極１３とを備える。磁界形成部７は、回転軸８Ｃからずれた位置に第１の磁極面７３Ｓを有する第１の磁石７３と、回転軸８Ｃ及び第１の磁石７３の周囲に沿って磁極が異なる第２の磁極面７２Ｓを有する第２の磁石７２と、第２の磁極面７２上の第１の磁石７３の周囲に沿った一部に第１の磁極面７３Ｓよりも低く第２の磁極面７２Ｓよりも高い範囲内において第２の磁極面７２Ｓと磁極が同一の第３の磁極面７４Ｓを有する第３の磁石７４とを備える。 （もっと読む）