【課題】非閉じ込めプラズマの点火を防ぐと共に、ＲＦリターンパスを短くできる構成をとる。
【解決手段】可動基板支持アセンブリ３１０の可動接地リング４００を記載する。可動接地リング４００は、ギャップ調節可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００において、可動基板支持アセンブリ３１０の固定接地リング３４０の周囲に嵌合され、固定接地リング３４０に対するＲＦリターンパスを提供する。基板支持アセンブリ内３１０に支持された半導体基板はプラズマ処理される。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】隔壁カバー部の交換時期を知るために発生するドライエッチング装置のダウンタイムを短縮し、隔壁カバー部が破損して落下する危険を低減することが可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板１４が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１６を形成し、処理空間１６と外部とを連通する開口２０が設けられた処理容器１８と、全部又は一部が誘電体で構成されており、処理容器１８に着脱自在であって、処理容器１８に取り付けた場合に開口２０を塞ぐ隔壁２２と、隔壁２２が有する誘電体を介して処理空間１６に導入され、プロセスガスをプラズマ化する電磁波を生成するコイル２４とを備えるドライエッチング装置であって、隔壁２２は、誘電体で全体又は一部が構成される平板状の隔壁本体部３６と、隔壁本体部３６が有する誘電体の処理空間側の面を覆う誘電体で全体又は一部が構成される平板状の隔壁カバー部３８とを有し、隔壁カバー部３８が有する誘電体は、有底孔又は溝を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に均一なプラズマ処理を施しつつ、一チャンバ複数プロセスの要求に充分応えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置されウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２に対向配置された上部電極２４と、サセプタ１２に接続された第１，第２の高周波電源１４，１６とを備え、上部電極２４は接地３６と電気的に接続され、上部電極２４をサセプタ１２に対して移動可能な基板処理装置１０において、上部電極２４に誘電体２６を埋め込んで、処理空間ＰＳに生じるプラズマ及び接地３６の間の電位差を、プラズマ及び誘電体２６の間の電位差、並びに、誘電体２６及び接地３６の間の電位差に分割し、さらに上部電極２４とサセプタ１２との間のギャップＧを変動させることによって、上部電極２４及びサセプタ１２の間のプラズマ密度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。アース線９が接続されている側壁部８の部分の近傍には、チャンバー２内に生成されるプラズマから接地電位へ向かって流れるリターン電流を測定する電流センサ１０が取り付けられている。電流センサ１０には異常放電検知部１４が電気的に接続されて、測定されたリターン電流に基づいて異常放電が発生したか否かが判定される。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】磁性金属薄膜その他プラズマに対して不安定な薄膜及び基板をエッチングする際に、表面平坦性良くエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２０と、基板Ｗを保持する保持部３０と、処理ガス供給部４０と、高周波電力供給部６０と、保持部３０に保持されている基板Ｗと対向する所定位置Ｐ１に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第１の磁界Ｈ１を印加可能な第１の磁界印加部７０と、第１の磁界印加部７０の基板Ｗ側に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第２の磁界を印加可能な第２の磁界印加部８０と、発生したプラズマが安定するまで、第１の磁界Ｈ１によりプラズマを閉じ込め、発生したプラズマが安定した後、第１の磁界Ｈ１の印加の停止後または停止直前に、第２の磁界を印加することによって、プラズマを基板Ｗ側に移動させ、プラズマを基板Ｗに接触させる、制御部１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】単一の電源及び単一のマッチングボックスにより、各被エッチング物の最適な周波数を用いてエッチングする。
【解決手段】被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、前記バイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段とを備えたドライエッチング装置によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０では、チャンバ１１にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源１６によって高周波コイル１５に電圧が印加されることにより、チャンバ１１内にプラズマが発生する。チャンバ１１内には、半導体基材Ａを保持する基材ホルダー電極２０と、基材ホルダー電極２０に対応して配置される陰極２１とが設けられる。陰極２１には、高圧パルス電源２２により負電圧が印加される。分光計２３は、半導体基材Ａの発光態様を測定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のエッチング装置は、障害物が、前記陽極側電極側に複数の開口部を有し、前記処理基板の全面を覆っており、前記陽極側電極側に対向する面が面内の一点を頂点とし周辺部位に向けて傾斜していることにより、処理基板面内中心部のプラズマ密度を低減させることが出来る。このため、処理基板において、中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制することが出来ることから、ローディング効果を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型マイクロプラズマは、高密度プラズマが得られるが点灯が難しい問題があった。電離開始に必要な初期電子を発生させる、内部にイグナイター機構を加える方法が知られているが、専用電源を新たに用意すること、電極製作、電極と電源間の結線を必要とするため、小型化をも阻害する。
【解決手段】 誘導結合型マイクロプラズマ源のガス流路内部に、浮遊電極を用意する。マイクロプラズマの励起に誘導結合を利用しているため、特別の結線を施すことなく、浮遊電極にエネルギーを供給することができる。この電極から、電離開始に必要な初期電子を発生させることができる。浮遊電極周辺からガスの電離が促進され、点灯が容易になると同時に、より省電力でプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】確実にガスを供給してプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給口を有するアウターガス供給部材４０と、処理容器内においてアウターガス供給部材４０を支持するガス供給部材支持装置としてのジャケット部２７を備える。ジャケット部２７は、アウターガス供給部材４０および側壁を連結するように、ガス供給部材の延びる方向にそれぞれの間隔を空けて設けられる３つの支持部材４４〜４６と、側壁に固定され、支持部材を取り付け可能な取り付け部４７〜４９とを含む。支持部材は、第一の取り付け部４７に固定して取り付けられる第一の支持部材４４と、第二の取り付け部４８、４９にフリーに支持されるように取り付けられる第二の支持部材４５、４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）