【課題】基板にプラズマ処理を行う際に、載置台本体の昇降ピンの挿通孔に対応する位置における処理の不均一が生じ難い基板載置台を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理において基板Ｇを載置する基板載置台４は、載置台本体４ａと、載置台本体４ａに対して鉛直に挿通され、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピン３０とを具備し、昇降ピン３０は、少なくともその先端部が導電性であり、かつ、プラズマ処理の際に載置台本体４ａ内に退避する退避位置と、載置台本体から突出して基板を支持する支持位置とをとることが可能であり、退避位置にある時に、その先端の高さ位置が、基板Ｇの裏面から７０〜１３０μｍ下方になるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】２周波重畳印加方式の容量結合型において、他方の対向電極に不所望な膜が形成されるのを十全に防止ないし抑制しつつ、プラズマ密度の空間的な分布特性を任意に制御すること。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の第１高周波が印加され、高周波電源７０よりイオン引き込み用の第２高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して取り付けられている。上部電極３４は、棒状のインダクタ５４および導線５６を介して接地電位に（通常はチャンバ１０に）接続されている。 （もっと読む）

【課題】 基板から残渣を除去する方法を提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、Ｎ_ｘＯ_ｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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【課題】ＣＦ_x膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷに形成されたＣＦ_x膜１０１を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、ＣＨ₄とＯ₂とを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面のクリーニング後に、ウエハの表裏を反転させることなく、ウエハの裏面をクリーニングできる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０２を処理するためのチャンバ１００は、チャンバ１００の内部空間を上側部分１０６と下側部分１０８とに分離するためのリング１０４を有している。ウエハ１０２の表面１１０は上側部分１０６に位置し、裏面１１２は下側部分１０８に位置する。このように、リング１０４で裏面１１２が位置する領域を、表面１１０が位置する領域から分離させることによって、裏面１１２だけを対象にして、目的とするプロセスガスをチャンバ１００に導入することが可能となる。具体的には、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングする際は、チャンバ１００の下側部分１０８にのみプロセスガスを導入することが可能となる。その結果、ウエハ１０２の表面１１０に大きな影響を与えることなく、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】深さ対幅が１０：１より大きいアスペクト比を持つ高アスペクト比のホールを備える基板からポリマーを除去する方法を提供する。
【解決手段】２つの電極の間にアーク状のプラズマを発生させ、４０００℃と１２０００℃との間の範囲の温度を有する大気高温ガス流を前記アーク状のプラズマから形成する。前記基板に前記大気高温ガス流を向け、前記基板上に流体力学的なガス境界を形成する。前記基板を電気的劣化させることなく前記ホール内部の前記ポリマーを除去するように、必要な時間において前記基板上を前記大気高温ガス流を通過させるとともに、前記ポリマーを前記ホールから所望の深さまで除去するように、前記大気高温ガス流が前記基板上を所望の回数だけ通過するよう前記基板を移動する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部での腐食の発生を抑制し得、且つ、エッチャントと蒸気との反応を促進し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物５が内部に配置される処理室２と、水を気化させて第１のガスを生成する蒸気発生部３と、反応ガスをプラズマ化させて第２のガスを生成するプラズマ発生部４とを備え、常圧下でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１を用いる。蒸気発生部３は、ノズル１０を備え、ノズル１０を介して、処理対象物５へと第１のガスを送り出す。プラズマ発生部４は、ノズル２０を備え、ノズル２０を介して、処理対象物５へと第２のガスを送り出す。ノズル１０及びノズル２０は、処理室内２において処理対象物５に向けて突き出し、且つ、ノズル１０から送り出された第１のガスの流れ方向１８とノズル２０から送り出された第２のガスの流れ方向２５とが、一致するように、又は互いに交差する方向となるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の効率的な処理を行うことが可能な基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供するとともに、フットプリントを増加させることなく基板の効率的な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成された酸化膜のエッチング処理において、流体傘ノズル２２によりフッ酸蒸気が基板Ｗの表面に供給される。エッチング処理後のリンス処理を行うために、回転される基板Ｗの表面に向かってリンス液として温水または水蒸気を供給するリンスノズル４３が設けられている。リンスノズル４３により供給される温水または水蒸気の温度は、ホットプレート２１により加熱される基板Ｗとほぼ同じ温度（例えば３０℃以上９０℃以下）である。基板Ｗの乾燥処理の際には、流体傘ノズル２２および回転軸２５の空間４１の一方または両方を介して高温の窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物にチャージした電荷を短時間の中に除去でき、そして被処理物の損傷や搬送トラブル等が無く、かつ、安定したプラズマ処理が行われるプラズマ処理終了技術を提供することである。
【解決手段】 一対の電極間に電圧を印加して供給反応ガスのプラズマを被処理物に作用させてプラズマ処理を行った後にプラズマ処理を終了させるプラズマ処理終了方法であって、
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力Ｗ_１よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力Ｗ_２の中でも最も小さい電力Ｗ_２０に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力Ｗ_２０条件で、所定時間ｔの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を適切に調節可能で、十分な乾燥が可能な信頼性の高い基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの酸化膜をフッ酸蒸気によりエッチング処理する際には、基板Ｗの温度を適切に調節することが重要である。基板Ｗの表面にフッ酸蒸気が供給されている間、以下のようにして基板Ｗの温度を適切に調節する。裏面流体供給管２６内にバルブ４０ｄを介して温水を供給することにより、流体傘ノズル２７の複数の流体噴出口から当該温水をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に向けて供給する。基板Ｗの裏面が疎水性である場合には、基板Ｗの裏面と流体傘ノズル２７との間に、供給された温水からなる温水層ＨＬを生成する。エッチング処理後、リンス処理を行い、その後、スピンチャック２１の高速回転による基板Ｗの乾燥処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管３６を取付け、その保護管３６の外周面に熱電対３８を取付け、その起電圧をセンサ入力部９８でアナログ／デジタル変換して全体制御部９０へ入力し、処理ガスの流量制御弁９２３をフィードバック制御する。したがって、プラズマの点灯状態を反映した制御が可能になり、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、均一なプラズマ照射を可能にする。
【解決手段】各プラズマ発生ノズル３１において、チューブ３６によってノズルピース３７を伸縮可能とし、そのノズルピース３７を変位手段３９によって昇降可能にするとともに、ワークＷの高さ検知を行う高さ検知手段３８を設け、その検知結果に応答して前記ノズルピース３７の高さを制御する。したがって、基板Ｗ１に実装される電子部品Ｗ２の高さにばらつきがあるなどしても、ワークＷに対するプラズマ発生ノズルの高さを一定に維持し、均一な密度でプラズマ照射を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成および作業でコイルを用いた磁界や電磁波によるプラズマ発生の範囲、内外周でのアンバランスの調整がきめ細かくできるようにする。
【解決手段】真空容器１内にガス６を供給しながら排気し、コイル３からの磁界を直接またはコイル３から誘電体２を介し電磁波を真空容器１内に働かせてプラズマを発生させ、被処理物５を処理するのに、コイル３の外端３ａまたはおよび内端３ｂを移動させて巻き域を拡縮しプラズマ発生域を調整することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】試料の大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない真空処理装置を提供する。
【解決手段】１つのカセットブロックと複数の真空処理ブロックとを有する真空処理装置であって、前記カセットブロックは、試料を収納したカセットを載置するカセット台と前記試料を搬送する第一の試料搬送手段とを有し、前記真空処理ブロックの各々は、ロードロック室と真空下において前記試料を処理する真空処理室と真空下において前記試料を搬送する第二の試料搬送手段とを有し、前記カセット台は、前記真空処理装置のフロント部に配置され、前記第一の試料搬送手段は、前記カセットと前記真空処理ブロックの各々が有する前記ロードロック室との間において前記試料を搬送する。 （もっと読む）

【課題】大型の基板の精度良いパターンの形成及び調節、更には、パターンの３次元的な均一性を図ることができ、成膜部とパターニング部を併せ持つことにより、全体的な基板処理工期が短縮され、基板処理装置の全体のフットプリントを減らして製造コストを下げることができるレーザリソグラフィを用いた基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成するための成膜部と、薄膜に所定のパターンを形成するためのレーザリソグラフィ部と、を備える。又は、基板上に薄膜を塗布するためのコート部と、薄膜に所定のパターンを形成するためのレーザリソグラフィ部と、を備える。その基板処理方法は、基板を与える段階、基板上に薄膜を形成する段階、及び薄膜を同一装置内においてレーザを用いてパターニングする段階を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐとともに均一にエッチングするための半導体ウエーハと外周リングとの位置合せ用治具及びこれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート用ガイドピンをベースプレートの中心部の孔に差込むことでベースプレートと外周リングとの同芯合せを行う工程Ｃと、芯だしプレート用ガイドピンをベースプレートの中心部の孔を通じて芯だしプレートの中心部の孔に差込むことによりベースプレートと芯だしプレートとの同芯合せを行う工程Ｄと、芯だしプレートのＸ方向及びＹ方向のずれ量を測定する工程Ｅと、測定したずれ量に基づきＸ−Ｙステージの位置又はロボットハンドによりウエーハＷを配置する位置を補正してロボットハンドによりウエーハをＸ−Ｙステージに搬送する工程Ｇを含む半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁側より処理空間に向けてマイクロ波を導入することにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内の処理空間Ｓに設けられた載置台３４と、前記処理容器内へ所定のガスを供給するためのガス供給手段６６と、前記処理容器の側壁であって前記処理空間の周囲を囲むようにして設けられたマイクロ波導入窓７６と、前記マイクロ波導入窓に沿って設けられたマイクロ波導入手段８０とを備える。これにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成する。 （もっと読む）

【課題】ワークの形態、形状、数等に係わらず、プラズマ処理によるワークの表面改質を均一かつ安定的に行う。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極２と、電極２の下面に形成された誘電体層３と、ワーク１００を載置すると共に電極２の対向電極としての機能を併有する金属パレット４と、金属パレット４を支持する非金属製のテーブル６と、電極２に対しワーク１００をテーブル６ごとＸ方向に移動する移動手段と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１とを備える。金属パレット４は、ワーク１００を挿入する複数の凹部４１を有し、金属パレット４の上面４２の凹部４１以外の箇所には、誘電体材料で構成された被覆層５が形成されている。電極２、金属パレット４間に高周波電圧を印加しつつ、ワーク１００と電極２との間にガスを供給してプラズマを発生させ、ワーク１００の被処理面１０１をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】下部電極又は上部電極の少なくとも一方を支持する接地基板及び収容容器の内壁の間における電位差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ガラス基板Ｇを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてガラス基板Ｇを載置する載置台としての下部電極板２３と、該下部電極板２３に対向して配置され且つチャンバ１１内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１２と、該シャワーヘッド１２の上部電極板１３に接続された高周波電源２０と、下部絶縁部２５を介して下部電極板２３を支持すると共にチャンバ１１の内壁から離間して配置される接地基板２６と、該接地基板２６及びチャンバ１１の内壁を短絡する短絡板３６とを備え、該短絡板３６及びチャンバ１１の内壁の間にコンデンサ３７が介在し、該コンデンサ３７はチャンバ１１の内壁に設けられる。 （もっと読む）